阵列基板、阵列基板母板以及显示装置制造方法及图纸

技术编号:37099807 阅读:17 留言:0更新日期:2023-04-01 05:00
一种阵列基板,包括:衬底基板、至少一条第一走线以及至少一条第二走线。衬底基板包括:显示区域和位于显示区域一侧的第一周边区域。第一周边区域至少包括:第一走线区和第一绑定区;第一走线区位于第一绑定区靠近阵列基板边缘的一侧。至少一条第一走线和至少一条第二走线位于第一走线区。第一走线在衬底基板的正投影与第二走线在衬底基板的正投影存在交叠。每条第一走线包括:至少两个子走线。每条第一走线中的两个子走线通过至少一个第一连接电极电连接。第一连接电极采用透明导电材料。电连接。第一连接电极采用透明导电材料。电连接。第一连接电极采用透明导电材料。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板母板以及显示装置


[0001]本文涉及但不限于显示
,尤指一种阵列基板、阵列基板母板以及显示装置。

技术介绍

[0002]液晶显示装置具有功耗低、无辐射等优点。液晶显示装置通常包括液晶面板,液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及夹设在两者之间的液晶层。

技术实现思路

[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开实施例提供一种阵列基板、阵列基板母板及显示装置。
[0005]一方面,本公开实施例提供一种阵列基板,包括:衬底基板、至少一条第一走线以及至少一条第二走线。衬底基板包括:显示区域和位于显示区域一侧的第一周边区域。第一周边区域至少包括:第一走线区和第一绑定区;第一走线区位于第一绑定区靠近阵列基板边缘的一侧。至少一条第一走线和至少一条第二走线位于第一走线区。第一走线在衬底基板的正投影与第二走线在衬底基板的正投影存在交叠。每条第一走线包括:至少两个子走线。每条第一走线中的两条子走线通过至少一个第一连接电极电连接。第一连接电极采用透明导电材料。
[0006]在一些示例性实施方式中,所述第一连接电极在所述衬底基板的正投影与所述第二走线在所述衬底基板的正投影没有交叠。
[0007]在一些示例性实施方式中,所述第二走线采用金属材料,所述第一连接电极在所述衬底基板的正投影位于所述第二走线在所述衬底基板的正投影远离所述第一绑定区的一侧。
[0008]在一些示例性实施方式中,所述第二走线采用透明导电材料。
[0009]在一些示例性实施方式中,所述第一走线包括:第一子走线和第二子走线,所述第一子走线和第二子走线通过两个第一连接电极电连接。所述第一子走线具有第一主体、以及从所述第一主体朝所述第二子走线一侧凸出的第一凸出部和第二凸出部。所述第二子走线具有第二主体、以及从所述第二主体朝所述第一子走线一侧凸出的第三凸出部和第四凸出部。所述第一凸出部和第三凸出部通过一个第一连接电极电连接,所述第二凸出部和第四凸出部通过另一个第一连接电极电连接。所述两个第一连接电极在所述衬底基板的正投影没有交叠。
[0010]在一些示例性实施方式中,所述第一走线包括:第一子走线、第二子走线和第三子走线,所述第一子走线和第二子走线通过一个第一连接电极电连接,所述第二子走线和第三子走线通过另一个第一连接电极电连接。
[0011]在一些示例性实施方式中,与不同第一走线连接的多个第一连接电极在第二方向
上对齐排布。
[0012]在一些示例性实施方式中,所述第一绑定区设置有至少一条第三走线,所述至少一条第一走线与至少一条第三走线通过至少一个第二连接电极电连接;所述第二连接电极采用透明导电材料。
[0013]在一些示例性实施方式中,所述第二连接电极位于所述第一连接电极远离所述衬底基板的一侧。
[0014]在一些示例性实施方式中,所述第一绑定区还设置至少一个第一绑定引脚,所述至少一条第三走线通过所述至少一个第一绑定引脚与驱动芯片电连接。
[0015]在一些示例性实施方式中,所述第一周边区域还包括:位于所述第一绑定区远离所述显示区域一侧的第二绑定区,所述第二绑定区设置有多个第三绑定引脚,所述第二走线延伸至所述第三绑定区与至少一个第三绑定引脚电连接。
[0016]在一些示例性实施方式中,在垂直于所述阵列基板的方向上,所述阵列基板包括:依次设置在所述衬底基板上的第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第一透明导电层、第二导电层、第二绝缘层以及第二透明导电层。所述子走线位于所述第二导电层;所述第一连接电极位于所述第一透明导电层。
[0017]在一些示例性实施方式中,所述第二走线位于所述第一导电层或所述第二透明导电层。
[0018]在一些示例性实施方式中,所述第二绝缘层设置有隔离槽,所述隔离槽在所述衬底基板的正投影与所述第一连接电极在所述衬底基板的正投影存在交叠,所述隔离槽在所述衬底基板的正投影与所述第一走线和第二走线在衬底基板的正投影没有交叠。
[0019]另一方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
[0020]另一方面,本公开实施例提供一种阵列基板母板,包括:多个阵列区以及与多个阵列区一一对应的多个测试电极区。每个阵列区包括:显示区域和位于显示区域一侧的第一周边区域。第一周边区域至少包括第一走线区和第一绑定区,第一走线区位于第一绑定区靠近测试电极区的一侧。至少一个测试电极位于测试电极区。至少一条第一走线以及至少一条第二走线,位于第一走线区。至少一条第二走线与测试电极区的至少一个测试电极电连接,至少一条第二走线从第一走线区延伸至第一绑定区。第一走线在衬底基板的正投影与第二走线在衬底基板的正投影存在交叠。每条第二走线包括:至少两个子走线。每条第二走线中的两个子走线通过至少一个第一连接电极电连接。第一连接电极采用透明导电材料。
[0021]在一些示例性实施方式中,所述测试电极区设置有规则排布的多个测试电极,所述第一走线区设置有多条第一走线,所述多条第一走线与所述多个测试电极一一对应电连接。
[0022]在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
[0023]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案,并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本公开内容。
[0024]图1为本公开至少一实施例的阵列基板的示意图;
[0025]图2为本公开至少一实施例的阵列基板的显示区域的局部剖面示意图;
[0026]图3为图1中区域S1的局部示意图;
[0027]图4为图3中沿P

P

方向的局部剖面示意图;
[0028]图5为图3所示的第一绑定区的局部放大示意图;
[0029]图6为图5中沿Q

Q

方向的局部剖面示意图;
[0030]图7为本公开至少一实施例的阵列基板母板的局部示意图;
[0031]图8为图1中区域S1的另一局部示意图;
[0032]图9为图8中区域S2的放大示意图;
[0033]图10为图1中区域S1的另一局部示意图;
[0034]图11为图10中沿R

R

方向的局部剖面示意图;
[0035]图12为图1中区域S1的另一局部示意图;
[0036]图13为图12中沿V

V

方向的局部剖面示意图;
[0037]图14为图1中区域S1的另一局部示意图;
[0038]图15为图14中沿U

U

方向的局部剖面示意图;
[0039]图16为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,包括:显示区域和位于所述显示区域一侧的第一周边区域;所述第一周边区域至少包括:第一走线区和第一绑定区;所述第一走线区位于所述第一绑定区靠近阵列基板边缘的一侧;至少一条第一走线以及至少一条第二走线,位于所述第一走线区;所述第一走线在所述衬底基板的正投影与所述第二走线在所述衬底基板的正投影存在交叠;每条所述第一走线包括:至少两个子走线;每条所述第一走线中的所述两个子走线通过至少一个第一连接电极电连接;所述第一连接电极采用透明导电材料。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一连接电极在所述衬底基板的正投影与所述第二走线在所述衬底基板的正投影没有交叠。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二走线采用金属材料,所述第一连接电极在所述衬底基板的正投影位于所述第二走线在所述衬底基板的正投影远离所述第一绑定区的一侧。4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二走线采用透明导电材料。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一走线包括:第一子走线和第二子走线,所述第一子走线和第二子走线通过两个第一连接电极电连接;所述第一子走线具有第一主体、以及从所述第一主体朝所述第二子走线一侧凸出的第一凸出部和第二凸出部;所述第二子走线具有第二主体、以及从所述第二主体朝所述第一子走线一侧凸出的第三凸出部和第四凸出部;所述第一凸出部和第三凸出部通过一个第一连接电极电连接,所述第二凸出部和第四凸出部通过另一个第一连接电极电连接;所述两个第一连接电极在所述衬底基板的正投影没有交叠。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一走线包括:第一子走线、第二子走线和第三子走线,所述第一子走线和第二子走线通过一个第一连接电极电连接,所述第二子走线和第三子走线通过另一个第一连接电极电连接。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,与不同所述第一走线连接的多个所述第一连接电极在第二方向上对齐排布。8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绑定区设置有至少一条第三走线,所述至少一条第一走线与至少一条第三走线通过至少一个第二连接电极电连接;所述第二连接电极采用透明导电材料。9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接电极位于所述第一连接电极远离所述衬底基板的一侧。10.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:张勇王建杨智超邓祁郝龙虎葛杨秦相磊赵宇曲峰
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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