三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法技术

技术编号:37086538 阅读:24 留言:0更新日期:2023-03-29 20:01
一种具有面的存储器件的编程方法包括:接收编程命令;获得与该编程命令相关联的地址;根据该地址确定面中的第一面;以及使第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。的一个或多个页寄存器复位。的一个或多个页寄存器复位。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法
[0001]本申请是申请号为202180001070.7、申请日为2021年3月30日、专利技术名称为“三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本申请涉及半导体
,并且具体而言涉及三维(3D)存储器件和页寄存器复位的方法。

技术介绍

[0003]与非(NAND)存储器是一种不需要电力来保持所存储的数据的非易失性类型的存储器。对消费电子品、云计算和大数据的不断增长的需求带来了对更大容量、更高性能的NAND存储器的持续需求。由于常规的二维(2D)NAND存储器接近了其物理极限,所以现在三维(3D)NAND存储器正在发挥重要作用。3D NAND存储器使用单个管芯上的多个堆叠层来实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗以及更好的成本效率。
[0004]在数据被写入到3D NAND存储器件中之前,多个页寄存器被复位或清空。寄存器复位过程可能引起峰值功率、总功率和功率噪声的增加。所公开的方法涉及解决上文阐述的一个或多个问题以及其他问题。

技术实现思路

[0005]在本公开的一个方面中,一种具有面的存储器件的编程方法包括:接收用于存储器件的编程命令;获得与编程命令相关联的地址;根据地址确定面中的第一面;以及使第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。
[0006]在本公开的另一方面中,一种存储器件包括:包括面的一个或多个逻辑单元(LUN);分别对应于面的页寄存器;以及用于执行命令的控制器。该控制器被配置为:接收用于存储器件的编程命令;获得与编程命令相关联的地址;根据地址确定面中的第一面;以及使页寄存器中的对应于第一面的页寄存器复位而不使页寄存器中的一个或多个其余页寄存器复位。
[0007]在本公开的另一方面中,一种具有面的存储器件的方法包括:接收用于存储器件的编程命令;获得与编程命令相关联的地址;根据地址确定面中的用于寄存器复位的第一面;以及保持面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器的状态。
[0008]在本公开的又一方面中,一种存储器件包括面和用于使面复位的复位电路。该复位电路被配置为获得基于地址的用于面的复位的第一控制信号,并且根据第一控制信号使面中的第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。
[0009]领域技术人员根据本公开的说明书、权利要求和附图能够理解本公开的其他方面。
附图说明
[0010]图1示出了根据本公开的各种实施例的示例性三维(3D)存储器件的截面图;
[0011]图2示出了根据本公开的各种实施例的3D存储器件的块图;
[0012]图3示出了根据本公开的各种实施例的3D阵列器件的构造的顶视图;
[0013]图4和图5示出了根据本公开的各种实施例的在示例性制作工艺中的特定阶段处的图3中所示的3D阵列器件的一部分的顶视图和截面图;
[0014]图6和图7示出了根据本公开的各种实施例的在示例性制作工艺中的特定阶段处的图4和图5中所示的3D阵列器件的部分的截面图;
[0015]图8示出了根据本公开的各种实施例的示例性外围器件的截面图;
[0016]图9示出了根据本公开的各种实施例的图6中所示的3D阵列器件与图7中所示的外围器件接合之后的示例性3D存储器件的截面图;
[0017]图10示出了根据本公开的各种实施例的图9中所示的3D存储器件的组织图;
[0018]图11示出了根据本公开的各种实施例的图10中所示的3D存储器件的写入操作的时序图;
[0019]图12示出了表示根据本公开的各个方面的执行3D存储器件处的页寄存器复位的方法的示意性流程图;
[0020]图13A和13B示出了根据本公开的各个方面的示例性实施方式块图;并且
[0021]图14示出了根据本公开的各个方面的页寄存器复位的时序图。
具体实施方式
[0022]下文将参考附图描述本公开的实施例中的技术解决方案。只要有可能,就将在所有附图中使用相同的附图标记指示相同或相似的部分。显然,所描述的实施例只是本公开的一些而非全部实施例。可以对各种实施例中的特征进行交换和/或组合。本领域技术人员在没有创造性努力的情况下基于本公开的实施例获得的其他实施例将落在本公开的范围内。
[0023]图1示意性地示出了根据本公开的实施例的示例性3D存储器件100的截面图。3D存储器件100可以是单独工作的分立存储器件。3D存储器件100还可以是具有多个存储器件100的存储系统的一部分。在一些实施例中,3D存储器件100可以耦合至主机设备(未示出)或者嵌入在主机设备中。在这样的情况下,3D存储器件100可以由主机设备的控制器控制。主机设备可以包括计算设备或电子设备,例如移动电话、智能电话、智能手表、平板电脑、膝上型电脑、个人计算机、数据服务器和工作站以及其他主机设备。
[0024]可选的,3D存储器件100可以包括存储阵列器件110和外围器件120。存储阵列器件110可以包括形成一个或多个3D阵列的存储单元。外围器件120可以包括作为控制器的电路以控制3D存储器件100的操作。在一些实施例中,存储阵列器件110和外围器件120可以分开制作,并且之后接合到一起以形成堆叠式结构,如图1中所示。替代性地,存储阵列器件110和外围器件120可以被集成到一个器件中。例如,可以首先制作外围器件120,并且之后在外围器件120之上制作存储阵列器件110,并且使用外围器件120作为衬底。在一些其他实施例中,存储阵列器件110和外围器件120可以分开制作,并且之后并排安装在印刷电路板(PCB)上。
[0025]图2示出了根据本公开的实施例的3D存储器件200的块图。3D存储器件200可以包括存储阵列210和电路220。存储阵列210可以包括存储单元(未示出)的3D阵列。电路220可以包含控制电路222、输入/输出(I/O)接口224、页寄存器226、行解码器228和列解码器230。行解码器和列解码器还可以被分别称为X解码器和Y解码器。此外,电路220可以包括Y路径电路(未示出)。Y路径电路连接至列解码器230(即Y解码器),并且被布置为根据从列解码器230传输的输出来分配位线路径。控制电路222可以充当实施3D存储器件200的各种功能的控制器。例如,控制电路222可以实施读取操作、写入操作和擦除操作。I/O接口224可以包含I/O电路,以接收通往3D存储器件200的命令信号、地址信号和数据信号的输入,并且将数据信号和状态信息从3D存储器件200传输至外部设备(例如,主机设备)。行解码器228可以选择存储阵列210的一条或多条字线,并且列解码器230可以选择存储阵列210的一条或多条位线。行解码器228和列解码器230还可以接收来自电压发生器电路(未示出)的不同电压,并且将接收到的电压传递至选定的一条或多条字线以及选定的一条或多条位线。页寄存器226可以包括一个本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有多个面的存储器件的编程方法,包括:接收用于所述存储器件的编程命令;获得与所述编程命令相关联的地址;根据所述地址确定所述多个面中的第一面;以及清空根据所述地址确定的所述第一面的页寄存器,而保留所述多个面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:保持所述多个面中的所述一个或多个其余面的所述一个或多个页寄存器的状态。3.根据权利要求1所述的方法,还包括:根据所述地址确定所述多个面中的第二面;以及在清空根据所述地址确定的所述第一面的所述页寄存器时,清空根据所述地址确定的所述第二面的页寄存器。4.根据权利要求3所述的方法,其中:所述第一面和所述第二面来自所述存储器件的同一逻辑单元(LUN)或者来自所述存储器件的多个LUN。5.根据权利要求3所述的方法,其中:清空根据所述地址确定的所述第一面的所述页寄存器以及清空根据所述地址确定的所述第二面的所述页寄存器是并行操作。6.根据权利要求1所述的方法,其中:所述第一面来自所述存储器件的第一逻辑单元(LNU),并且所述一个或多个其余面中的面来自所述存储器件的第二LUN。7.根据权利要求1所述的方法,其中:所述第一面和所述一个或多个其余面中的所述面来自所述存储器件的同一逻辑单元(LUN)。8.一种存储器件,包括:一个或多个逻辑单元(LUN),所述逻辑单元(LUN)包括多个面;多个页寄存器,所述多个页寄存器分别对应于所述多个面;以及控制器,所述控制器用于执行命令,其中,所述控制器被配置为:接收用于所述存储器件的编程命令;获得与所述编程命令相关联的地址;根据所述地址确定所述多个面中的第一面;以及清空所述多个页寄存器中的对应于所述第一面的页寄存器,而保留所述多个页寄存器中的一个或多个其余页寄存器。9.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述控制器还被配置为:保持所述多个页寄存器中的所述一个或多个其余页寄存器的状态。10.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述控制器还被配置为:根据所述地址确定所述多个面中的第二面;以及在清空所述多个页寄存器中的对应于所述第一面的所述页寄存器时,清空所述多个页寄存器中的对应于所述第二面的另一页寄存器。
11.根据权利要求10所述的存储器件,其中:所述第一面和所述第二面来自所述一个或多个LUN中的同一LUN或者来自不同的LUN。12.根据权利要求10所述的存储器件,其中:清空所述多个页寄存器中的对应于所述第一面的所述页寄存器以及清空所述多个页寄存器中的对应于所述第二面的所述另一页寄存器是并行操作。13.根据权利要求8所述的存储器件,其中:所述多个面中的所述第一面来自所述多个LUN中的第一LUN,并且所述多个面中的一个或多个其余面来自所述多个LUN中的第二LUN。14.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:X
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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