【技术实现步骤摘要】
三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法
[0001]本申请是申请号为202180001070.7、申请日为2021年3月30日、专利技术名称为“三维存储器件和用于增强的页寄存器复位的方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本申请涉及半导体
,并且具体而言涉及三维(3D)存储器件和页寄存器复位的方法。
技术介绍
[0003]与非(NAND)存储器是一种不需要电力来保持所存储的数据的非易失性类型的存储器。对消费电子品、云计算和大数据的不断增长的需求带来了对更大容量、更高性能的NAND存储器的持续需求。由于常规的二维(2D)NAND存储器接近了其物理极限,所以现在三维(3D)NAND存储器正在发挥重要作用。3D NAND存储器使用单个管芯上的多个堆叠层来实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗以及更好的成本效率。
[0004]在数据被写入到3D NAND存储器件中之前,多个页寄存器被复位或清空。寄存器复位过程可能引起峰值功率、总功率和功率噪声的增加。所公开的方法涉及解决上文阐述的一个或多个问题以及其他问题。
技术实现思路
[0005]在本公开的一个方面中,一种具有面的存储器件的编程方法包括:接收用于存储器件的编程命令;获得与编程命令相关联的地址;根据地址确定面中的第一面;以及使第一面的页寄存器复位而不使面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器复位。
[0006]在本公开的另一方面中,一种存储器件包括:包括面的一个或多个逻辑单元(LUN);分别对应于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有多个面的存储器件的编程方法,包括:接收用于所述存储器件的编程命令;获得与所述编程命令相关联的地址;根据所述地址确定所述多个面中的第一面;以及清空根据所述地址确定的所述第一面的页寄存器,而保留所述多个面中的一个或多个其余面的一个或多个页寄存器。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:保持所述多个面中的所述一个或多个其余面的所述一个或多个页寄存器的状态。3.根据权利要求1所述的方法,还包括:根据所述地址确定所述多个面中的第二面;以及在清空根据所述地址确定的所述第一面的所述页寄存器时,清空根据所述地址确定的所述第二面的页寄存器。4.根据权利要求3所述的方法,其中:所述第一面和所述第二面来自所述存储器件的同一逻辑单元(LUN)或者来自所述存储器件的多个LUN。5.根据权利要求3所述的方法,其中:清空根据所述地址确定的所述第一面的所述页寄存器以及清空根据所述地址确定的所述第二面的所述页寄存器是并行操作。6.根据权利要求1所述的方法,其中:所述第一面来自所述存储器件的第一逻辑单元(LNU),并且所述一个或多个其余面中的面来自所述存储器件的第二LUN。7.根据权利要求1所述的方法,其中:所述第一面和所述一个或多个其余面中的所述面来自所述存储器件的同一逻辑单元(LUN)。8.一种存储器件,包括:一个或多个逻辑单元(LUN),所述逻辑单元(LUN)包括多个面;多个页寄存器,所述多个页寄存器分别对应于所述多个面;以及控制器,所述控制器用于执行命令,其中,所述控制器被配置为:接收用于所述存储器件的编程命令;获得与所述编程命令相关联的地址;根据所述地址确定所述多个面中的第一面;以及清空所述多个页寄存器中的对应于所述第一面的页寄存器,而保留所述多个页寄存器中的一个或多个其余页寄存器。9.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述控制器还被配置为:保持所述多个页寄存器中的所述一个或多个其余页寄存器的状态。10.根据权利要求8所述的存储器件,其中,所述控制器还被配置为:根据所述地址确定所述多个面中的第二面;以及在清空所述多个页寄存器中的对应于所述第一面的所述页寄存器时,清空所述多个页寄存器中的对应于所述第二面的另一页寄存器。
11.根据权利要求10所述的存储器件,其中:所述第一面和所述第二面来自所述一个或多个LUN中的同一LUN或者来自不同的LUN。12.根据权利要求10所述的存储器件,其中:清空所述多个页寄存器中的对应于所述第一面的所述页寄存器以及清空所述多个页寄存器中的对应于所述第二面的所述另一页寄存器是并行操作。13.根据权利要求8所述的存储器件,其中:所述多个面中的所述第一面来自所述多个LUN中的第一LUN,并且所述多个面中的一个或多个其余面来自所述多个LUN中的第二LUN。14.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:X,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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