一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，在双元输出的情况下，不仅可以实现忆阻器存储阵列信号存储和读取，而且通过为每个存储单元的输出信号赋予存储标记信号，通过FGMOS管输出不同的存储标记信号，结合已有的存储信号值，可以数倍地扩充存储阵列的信号存储范围；而且在存储外围工作电路的设计方面，兼顾了忆阻器的性能特点，使用者可以根据是否需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。需要划分信号进行对FGMOS进行状态编程。

【技术实现步骤摘要】
一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法


[0001]本专利技术涉及忆阻器阵列电路
，主要涉及一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法。

技术介绍

[0002]现在存储器的成本主要取决于所占面积和单位区域内的存储密度，以NAND Flash存储芯片为例，在日常的电子消费类的产品当中非常常见，但在其存储密度不断提升的同时，成本也越来越敏感。而忆阻器的多态性、体积小的特点正好迎合了这种成本降低、提升经济效益的存储需求，能够凭借丰富阻态，在消耗资源少、占用空间小的情况下，存储大量的浮点信息。如何能结合传统器件更有效地利用忆阻的这种特点，并设计出合适的电路，这对新型存储器的发展有着很好的推动作用。因此需要研究一种可以将传统器件结合忆阻阵列来降低存储成本的有效存储的电路以及输出信号方式，进而实现成本更低、效益更佳的效果。

技术实现思路

[0003]专利技术目的：针对上述
技术介绍
中提出的需求，本专利技术提供了一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列及工作方法，充分利用了FGMOS的可编程特点，采用双元输出的情况下，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于FGMOS管扩容的忆阻器存储阵列，其特征在于，单个忆阻器存储单元包括依次串联于Vs和Vd两端的编码Cod、电阻R1和忆阻器m；所述电阻R1和忆阻器m间通过二极管VD1输出存储信号值；n位地址选择器的位信号输入端通过二极管VD2连接至编码Cod和电阻R1之间；采用基于FGMOS管扩容的方法对忆阻器存储阵列的输出存储信号值进行标记，进而实现扩容；基于FGMOS管的扩容单元包括依次串联的电阻R2和FGMOS管T1；电阻R2另一端连接至n位地址选择器的位信号输入端，FGMOS管T1另一端连接至忆阻器m与Vd之间；电阻R2与FGMOS管T1间通过二极管VD3输出存储信号标记；存储外围工作电路Mem
‑
Reg Several voltage每个输出端连接至FGMOS管T1的栅极，进行栅极控制；每一行FGMOS管由同一个存储外围工作电路进行栅极控制；同一列忆阻器存储单元和扩容单元共用一个位信号输入端；所述存储外围工作电路单元采用2T1M结构，包括依次串联于Vs
‑
和Vd
‑
两端的2T编码组件、电阻R
‑
1和忆阻器m
‑
1；所述2T编码组件两端通过连接控制脉冲信号{wl}和{wl
‑
}实现忆阻器m
‑
1编程；电压输入端Vin
‑
通过二极管VD4连接至2T编码组件和电阻R
‑
1之间；所述电阻R
‑
1和忆阻器m
‑
1之间连接晶体管T
‑
1的集电极；晶体管T
‑
1基极由寄存器Reg提供外部控制；晶体管T
‑
1发射极经由...

【专利技术属性】
技术研发人员：张粮，童祎，蔚仁伟，王宇，何南，连晓娟，万相，
申请(专利权)人：山西职业技术学院，
类型：发明
国别省市：