连续存储器编程操作制造技术

本申请案涉及连续存储器编程操作。一种实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列。所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
连续存储器编程操作


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及实施连续存储器编程操作。

技术介绍

[0002]存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一实施例提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。
[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个导电线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的当前编程脉冲之后暂停所述存储器编程操作，其中所述当前编程脉冲在第一电压电平下执行；发起所述存储器存取操作；和通过在超过所述第一电压电平的第二电压电平下执行下一编程脉冲来重新开始所述存储器编程操作。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中用于所述编程操作的编程操作数据存储于与所述存储器单元集相关联的页缓冲器中。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作另外包括：通过将从所述存储器装置读取的一或多个数据项存储于与所述存储器单元集相关联的输入/输出I/O缓冲器中，完成所述存储器存取操作。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述I/O缓冲器是由与所述存储器单元集相关联的次级数据高速缓存器SDC表示。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中暂停所述存储器编程操作另外包括：将所述编程操作的状态存储于与所述存储器单元集相关联的页缓冲器中。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器编程另外包括将所述存储器单元集的阈值电压电平与至少一个预定义的阈值电压电平进行比较的一或多个编程验证操作。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作另外包括：与执行所述重新开始的存储器编程操作的一或多个编程脉冲同时地完成所述存储器存取操作。8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器存取操作是读取操作。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器单元集是所述存储器阵列的块。10.一种包括可执行指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述可执行指令在由管理包括多个存储器单元的存储器阵列的控制器执行时致使所述控制器执行包括以下各项的操作：相对于所述存储器阵列的存储器单元集执行存储器编程操作，其中所述存储器编程操作包括施加至与所述存储器单元集电耦合的一或多个导电线的第一编程脉冲序列；响应于接收到执行存储器存取操作的命令，在执行所述编程脉冲序列中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：