一种硅片的双面抛光用的载具以及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种硅片的双面抛光用的载具以及装置；所述载具包括：呈圆盘状且具备圆形开口的本体；布设在所述本体的圆形开口内周一圈且呈圆环状的缓冲单元，所述缓冲单元被构造成被挤压产生变形之后仍能够使得硅片边缘的抛光量不超过目标抛光量。片边缘的抛光量不超过目标抛光量。片边缘的抛光量不超过目标抛光量。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片的双面抛光用的载具以及装置


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种硅片的双面抛光用的载具以及装置。

技术介绍

[0002]近年来，随着半导体行业的发展，对硅片的平坦度提出了更高的要求，除了目前为止作为平坦度评估指标的GBIR(整体背面一基准理想平面/范围Global，Backsurface
‑
referenced Ideal plane/Range)、SFQR(部位正面基准最小二乘/范围，Site Frontsurface referenced least Squares/Range)、SBIR(部位背面一基准理想平面/范围，Site Backsurface
‑
referenced Ideal plane/Range)等，也开始使用以下新的指标：评估硅片平坦度的ROA(塌边量，Roll Off Amount)，也称为边缘塌边量(Edge Roll Off Amount)、ESFQR(边缘部位正面基准最小二乘/范围，Edge Site Frontsurface referenc本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片的双面抛光用的载具，其特征在于，所述载具包括：呈圆盘状且具备圆形开口的本体；布设在所述本体的圆形开口内周一圈且呈圆环状的缓冲单元，所述缓冲单元被构造成被挤压产生变形之后仍能够使得硅片边缘的抛光量不超过目标抛光量。2.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述缓冲单元被构造成夹心结构状，所述夹心结构状的缓冲单元包含第一夹层结构，以及，完全包裹于所述第一夹层结构外周的第二夹层结构。3.根据权利要求2所述的载具，其特征在于，所述第一夹层结构为硬质材料，所述第二夹层结构为软质材料。4.根据权利要求2所述的载具，其特征在于，所述夹心结构状的缓冲单元被设置成在挤压变形之后的高度与所述硅片边缘抛光后的目标高度相同。5.根据权利要求1所述的载具，其特征在于，所述缓冲单元被构造成三明治结构状，所述三明治结构状的缓冲单元包括中间层结构，以及，设置于所述中间层结构两侧的外层结构。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：衡鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：