一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，具体步骤如下：第一步、碱液浸泡；第二步、过氧化氢浸泡；第三步、高温烧制；第四步、超声波清洗；第五步、纯水漂洗。本发明专利技术半导体陶瓷零件在清洗过程中首先依次通过氢氧化钾和过氧化氢溶液浸泡，以便于去除陶瓷零件表面的污染物，然后再经过高温烧制，高温烧制过程中分为两个不同速度的升温阶段，避免升温过快造成陶瓷零件炸裂，如此可保证安全烧制陶瓷零件的过程中，有效去除内部杂质，最后再经过超声波清洗和纯水清洗，去除表层颗粒，如此方便半导体陶瓷零件重新使用，降低使用成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体陶瓷材料清洗
，具体涉及一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺。

技术介绍

[0002]半导体陶瓷是指具有半导体特性的陶瓷材料，半导体陶瓷的电导率因外界条件的变化而发生显著的变化，因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号，制成各种用途的敏感元件，而半导体陶瓷材料零部件在半导体设备生产过程中，表面会吸附制造过程中产生的污染物，时间长会渗透到陶瓷材质内部，需要清洗处理，对半导体零件材料清洗方案检索后存在如下现有技术方案：
[0003]中国专利授权公告号为CN113770100A，名称为一种半导体零部件洁净清洗工艺，包括以下步骤：A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为20min
‑
30min；B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为30min
‑
50min；C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为30min
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40min；D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓度为3％的氢氟酸和浓度为20％的硝酸进行酸蚀处理，时间为4min
‑
8min；E、最后将酸蚀处理后的零部件放入超声机进行二次超声处理；F、将清洗后的零部件放入氮气氛围中吹干；
[0004]该现有技术方案存在的不足之处在于：该技术方案在清洗半导体材料零件时，仅通过水流清洗以及酸性溶液腐蚀处理，该处理方式对零件表层污染物具有较好处理效果，但是对于渗透至陶瓷材料内部的污染物，很难有效去除掉，并且通过酸性溶液腐蚀零件，容易造成零件损坏。

技术实现思路

[0005]为了克服上述的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺。
[0006]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0007]一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，具体步骤如下：
[0008]第一步、碱液浸泡：将30％氢氧化钾溶液以及待清洗陶瓷零件装入配设的浸泡容器中，浸泡时间设定为3
‑
5分钟，用于将陶瓷零件表面污染物去除；
[0009]第二步、过氧化氢浸泡：将经过碱液浸泡的陶瓷零件转移至30％过氧化氢溶液中；浸泡时长设定为10
‑
12小时，去除陶瓷零件表面的异色；
[0010]第三步、高温烧制：将浸泡后的陶瓷零件纯水冲洗吹干，然后放入高温炉内烧制，烧制温度为850度，用于去除陶瓷零件内部的杂质；
[0011]第四步、超声波清洗：将烧制后的陶瓷零件进行超声波清洗；
[0012]第五步、纯水漂洗：最后再通过纯水清洗陶瓷零件，去除表面颗粒物。
[0013]作为本专利技术进一步的方案：陶瓷零件高温烧制升温过程为：先从0度上升到500度，
以每小时300度的速度升温，再从500升到850度，以每小时200度的速度升温，然后保温两小时，最后再从850度降到600度，以每小时200度的速度降温。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：所述浸泡容器包括第一浸泡盒和第二浸泡盒，第一浸泡盒用于装放30％过氧化氢溶液；第二浸泡盒用于装放30％氢氧化钾溶液以及待清洗的陶瓷零件；所述第二浸泡盒和第一浸泡盒之间设置有自动升降转移组件，自动升降转移组件在设定时间后用于将浸泡在氢氧化钾溶液中的陶瓷零件自动转移到第二浸泡盒内。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：所述自动升降转移组件包括主电动伸缩杆和第一计时控制器，第二浸泡盒底部设置有与主电动伸缩杆配合连接的升降托板，第一计时控制器用于设定陶瓷零件在氢氧化钾溶液中浸泡的时长，在达到设定时长后，第一计时控制器控制主电动伸缩杆进行收缩，通过升降托板带动陶瓷零件下降进入第一浸泡盒内。
[0016]作为本专利技术进一步的方案：所述升降托板与第二浸泡盒之间设置有分液组件；在分液组件中设置环形存储盒，在升降托板下降过程中，分液组件用于将第二浸泡盒内流出的氢氧化钾溶液导入环形存储盒内。
[0017]作为本专利技术进一步的方案：所述第一浸泡盒上配设有临时存储组件，所述临时存储组件包括分储盒和联动封堵组件，分储盒用于装放事先准备的过氧化氢溶液，在升降托板下降至第一浸泡盒内后，联动封堵组件用于将分布的分储盒打开，使得各个分储盒内的过氧化氢溶液流入第一浸泡盒内，对陶瓷零部件进行浸泡。
[0018]作为本专利技术进一步的方案：所述浸泡容器还包括风干组件，在主电动伸缩杆收缩时，风干组件下降运动，且运行吹风，对升降托板上的陶瓷零件进行风干作用。
[0019]作为本专利技术进一步的方案：所述自动升降转移组件还包括第二计时控制器和电控排放组件，第二计时控制器用于设定陶瓷零件在过氧化氢溶液内浸泡的时间，且升降托板进入第一浸泡盒内，第二计时控制器开始计时，计时达到设定时间，第二计时控制器控制电控排放组件打开第一浸泡盒底部，使得过氧化氢溶液排出。
[0020]本专利技术的有益效果：
[0021]1、本专利技术的半导体陶瓷零件在清洗过程中首先依次通过氢氧化钾和过氧化氢溶液浸泡，以便于去除陶瓷零件表面的污染物，然后再经过高温烧制，高温烧制过程中分为两个不同速度的升温阶段，避免升温过快造成陶瓷零件炸裂，如此可保证安全烧制陶瓷零件的过程中，有效去除内部杂质，最后再经过超声波清洗和纯水清洗，去除表层颗粒，如此方便半导体陶瓷零件重新使用，降低使用成本；
[0022]2、本专利技术半导体陶瓷零件在经过氢氧化钾和过氧化氢溶液浸泡时，可分别在设置的第一浸泡盒和第二浸泡盒内进行，并且当半导体陶瓷零件在装有氢氧化钾溶液的第二浸泡盒内浸泡达到设定时候后，可依靠设置的自动升降转移组件转移到第一浸泡盒内，进行过氧化氢溶液浸泡，无需人工看管，提升操作便捷性，提高清洗效率；
[0023]3、本专利技术半导体陶瓷零件在氢氧化钾溶液和过氧化氢溶液内浸泡完成时，浸泡容器中设置的分液组件和排放组件均可在设定时间达到时有效分离对应的溶液，避免溶液之间发生干扰，同时也可避免浸泡时间过长，影响陶瓷零件质量。
附图说明
[0024]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0025]图1是本专利技术工艺流程示意图；
[0026]图2是本专利技术中浸泡容器整体结构示意图；
[0027]图3是本专利技术中环形存储盒和导套连接的俯视结构示意图；
[0028]图4是本专利技术中分储盒和第一浸泡盒连接的俯视结构示意图；
[0029]图5是图2中A处的放大结构示意图。
[0030]图中：1、支撑底座；2、第一浸泡盒；3、第二弹簧；4、分储盒；5、环形板；6、主电动伸缩杆；7、第一计时控制器；8、第二计时控制器；9、警报器；10、第二下压板；11、环形存储盒；12、第一下压板；13、启动按键开关；14、风机；15、横导管；16、连接导轨；17、第三弹簧；18、第二浸泡盒；19、升降底板；20、升降托板；21、嵌合槽；22、嵌合筒；23、导套；24、通管；25、封堵块；26、回本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，具体步骤如下：第一步、碱液浸泡：将30％氢氧化钾溶液以及待清洗陶瓷零件装入配设的浸泡容器中，浸泡时间设定为3
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5分钟，用于将陶瓷零件表面污染物去除；第二步、过氧化氢浸泡：将经过碱液浸泡的陶瓷零件转移至30％过氧化氢溶液中；浸泡时长设定为10
‑
12小时，去除陶瓷零件表面的异色；第三步、高温烧制：将浸泡后的陶瓷零件纯水冲洗吹干，然后放入高温炉内烧制，烧制温度为850度，用于去除陶瓷零件内部的杂质；第四步、超声波清洗：将烧制后的陶瓷零件进行超声波清洗；第五步、纯水漂洗：最后再通过纯水清洗陶瓷零件，去除表面颗粒物。2.根据权利要求1所述的一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，陶瓷零件高温烧制升温过程为：先从0度上升到500度，以每小时300度的速度升温，再从500升到850度，以每小时200度的速度升温，然后保温两小时，最后再从850度降到600度，以每小时200度的速度降温。3.根据权利要求1所述的一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，所述浸泡容器包括第一浸泡盒(2)和第二浸泡盒(18)，第一浸泡盒(2)用于装放30％过氧化氢溶液；第二浸泡盒(18)用于装放30％氢氧化钾溶液以及待清洗的陶瓷零件；所述第二浸泡盒(18)和第一浸泡盒(2)之间设置有自动升降转移组件，自动升降转移组件在设定时间后用于将浸泡在氢氧化钾溶液中的陶瓷零件自动转移到第二浸泡盒(18)内。4.根据权利要求3所述的一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，所述自动升降转移组件包括主电动伸缩杆(6)和第一计时控制器(7)，第二浸泡盒(18)底部设置有与主电动伸缩杆(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨从飞，孙德付，
申请(专利权)人：无锡升滕半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：