一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，具体步骤如下：第一步、碱液浸泡；第二步、过氧化氢浸泡；第三步、高温烧制；第四步、超声波清洗；第五步、纯水漂洗。本发明专利技术半导体陶瓷零件在清洗过程中首先依次通过氢氧化钾和过氧化氢溶液浸泡，以便于去除陶瓷零件表面的污染物，然后再经过高温烧制，高温烧制过程中分为两个不同速度的升温阶段，避免升温过快造成陶瓷零件炸裂，如此可保证安全烧制陶瓷零件的过程中，有效去除内部杂质，最后再经过超声波清洗和纯水清洗，去除表层颗粒，如此方便半导体陶瓷零件重新使用，降低使用成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺


[0001]本专利技术涉及半导体陶瓷材料清洗
，具体涉及一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺。

技术介绍

[0002]半导体陶瓷是指具有半导体特性的陶瓷材料，半导体陶瓷的电导率因外界条件的变化而发生显著的变化，因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号，制成各种用途的敏感元件，而半导体陶瓷材料零部件在半导体设备生产过程中，表面会吸附制造过程中产生的污染物，时间长会渗透到陶瓷材质内部，需要清洗处理，对半导体零件材料清洗方案检索后存在如下现有技术方案：
[0003]中国专利授权公告号为CN113770100A，名称为一种半导体零部件洁净清洗工艺，包括以下步骤：A、首先将半导体零部件放入温水中水流冲洗，时间为20min
‑
30min；B、之后将半导体零部件放入清洗机中，并加入清洗剂，采用超声清洗，时间为30min
‑
50min；C、之后将清洗后的零部件放入冷水中水流冲洗，时间为30min
‑
40min；D、将冷水清洗后的半导体零部件加入浓本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，具体步骤如下：第一步、碱液浸泡：将30％氢氧化钾溶液以及待清洗陶瓷零件装入配设的浸泡容器中，浸泡时间设定为3
‑
5分钟，用于将陶瓷零件表面污染物去除；第二步、过氧化氢浸泡：将经过碱液浸泡的陶瓷零件转移至30％过氧化氢溶液中；浸泡时长设定为10
‑
12小时，去除陶瓷零件表面的异色；第三步、高温烧制：将浸泡后的陶瓷零件纯水冲洗吹干，然后放入高温炉内烧制，烧制温度为850度，用于去除陶瓷零件内部的杂质；第四步、超声波清洗：将烧制后的陶瓷零件进行超声波清洗；第五步、纯水漂洗：最后再通过纯水清洗陶瓷零件，去除表面颗粒物。2.根据权利要求1所述的一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，陶瓷零件高温烧制升温过程为：先从0度上升到500度，以每小时300度的速度升温，再从500升到850度，以每小时200度的速度升温，然后保温两小时，最后再从850度降到600度，以每小时200度的速度降温。3.根据权利要求1所述的一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，所述浸泡容器包括第一浸泡盒(2)和第二浸泡盒(18)，第一浸泡盒(2)用于装放30％过氧化氢溶液；第二浸泡盒(18)用于装放30％氢氧化钾溶液以及待清洗的陶瓷零件；所述第二浸泡盒(18)和第一浸泡盒(2)之间设置有自动升降转移组件，自动升降转移组件在设定时间后用于将浸泡在氢氧化钾溶液中的陶瓷零件自动转移到第二浸泡盒(18)内。4.根据权利要求3所述的一种专用半导体设备陶瓷材料零部件清洗工艺，其特征在于，所述自动升降转移组件包括主电动伸缩杆(6)和第一计时控制器(7)，第二浸泡盒(18)底部设置有与主电动伸缩杆(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨从飞，孙德付，
申请(专利权)人：无锡升滕半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：