一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法，其步骤为：(1)检查；(2)IPA浸泡擦洗；(3)丙酮浸泡擦洗；(4)打磨片打磨；(5)百洁布打磨；(6)IPA擦拭；(7)检测外观；(8)二次IPA擦拭；(9)超声波清洗；(10)再次用PIA擦拭；(11)氮气吹扫；(12)干燥；(13)真空包装。本发明专利技术先用打磨片对涂层表面的污染物进行有效去除，再用IPA擦拭清楚部件表面脏污，然后超声波清洗用IPA做介质，清洗的全程禁止部件直接接触水，有效的减少了涂层脱落的状况，涂层脱落从传统的清洗方法的70％降低到20％以下。方法的70％降低到20％以下。
【技术实现步骤摘要】
一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法
[0001]本专利技术涉及半导体设备精密备件清洗
，尤其涉及一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法。
技术介绍
[0002]半导体集成电路中芯片的集成度越来越高，等离子体刻蚀及等离子体清洁已经成为半导体制程工艺最关键的流程之一，在半导体制程设备、广电制程设备中的蚀刻工艺腔体的核心备件的等离子功率越来越大，等离子体对刻蚀工艺腔壁的损伤带来的粒子污染问题也越来越大，在应用一段时间后，其表面吸附了大量的颗粒污染物和沉积污染物，如不对其定期拆卸清洗，就会产生大量污染离子，影响产品良率，现有的对蚀刻设备中阳极氧化铝+陶瓷涂层部件的清洗普遍采用百洁布进行研磨+弱碱浸泡+纯水冲洗，这种方法工艺复杂繁琐，操作不方便，且容易产生部件基体腐蚀造成陶瓷涂层脱落的问题，此种方法涂层脱落的比例约为70％，大大增加使用成本。
技术实现思路
[0003]本专利技术为解决上述问题，提供了一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法。
[0004]本专利技术所采取的技术方案：
[0005]该清洗方法适用于半导体集成电路制造领域和显示面板制造领域中，用于蚀刻工艺的设备，包括介质蚀刻，金属蚀刻、硅化物蚀刻等工艺设备的阳极氧化铝+陶瓷涂层备件的清洗。
[0006]一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法，其步骤为：
[0007](1)检查：对部件进行仔细检查，重点观察陶瓷涂层面是否有缺损、分层起泡问题；
[0008](2)IPA浸泡擦洗：使用IPA浸泡5min，之后用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0009](3)丙酮浸泡擦洗：使用丙酮浸泡5分钟，之后用无尘布蘸丙酮擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0010](4)打磨片打磨：用360#打磨片打磨陶瓷溶射层面，主要对沉积膜区域进行打磨处理，时间5～30min，打磨过程用无尘布蘸IPA擦拭掉打磨掉的脏污，清洁部件表面及便于检查打磨状况，全程禁止使用水；
[0011](5)百洁布打磨:用400#百洁布蘸IPA打磨部件阳极氧化面3min，全程禁止使用水；
[0012](6)IPA擦拭：用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0013](7)检测外观：涂层表面无色差、残膜和印迹；氧化层密封面无损伤，表面无彩虹颜色和残膜，再通过粗糙度测量仪检测部件粗糙度，用膜厚测量仪检测陶瓷涂层厚度；
[0014](8)二次IPA擦拭：用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0015](9)超声波清洗：将部件流转至100级洁净间，然后将部件放入超声波清洗槽的子槽中，子槽内放入IPA溶液，清洗30分钟，每5min旋转部件90度角一次，并注意观察是否陶瓷
溶射层有脱落；
[0016](10)再次用PIA擦拭：将部件从超声波子槽的IPA溶液中取出后，用无尘布蘸IPA擦拭整个部件；
[0017](11)氮气吹扫：对冲洗完毕的部件使用99.999％纯度的氮气进行表面吹扫，去除部件表面的残液；
[0018](12)干燥：将吹扫完毕的部件转移至洁净的干燥箱中，使用100度的温度干燥2个小时，待部件自然冷却后，将部件取出；
[0019](13)真空包装：用2层PE袋对部件做真空封装，包装前将部件做整体氮气吹扫。
[0020]所述的(1)检查步骤中对于缺损、气泡长度低于5mm及以下的可以正常清洗，缺损、气泡长度超过5mm的剔除。
[0021]所述的(4)打磨片打磨步骤中打磨陶瓷溶射层面至没有明显膜质为止。
[0022]所述的(9)超声波清洗步骤中设置超声波频率40KHZ，超声波功率密度4
‑
10瓦/平方英寸。
[0023]所述的(12)干燥步骤中自然冷却的温度在40℃以下。
[0024]所述的(11)氮气吹扫和(13)真空包装步骤中氮气吹扫时设定气枪压力为30
±
5Psi。
[0025]本专利技术的有益效果：本专利技术先用打磨片对涂层表面的污染物进行有效去除，再用IPA擦拭清楚部件表面脏污，然后超声波清洗用IPA做介质，清洗的全程禁止部件直接接触水，有效的减少了涂层脱落的状况，涂层脱落从传统的清洗方法的70％降低到20％以下。
具体实施方式
[0026]一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法，其步骤为：
[0027](1)检查：对部件进行仔细检查，重点观察陶瓷涂层面是否有缺损、分层起泡问题，对于缺损、气泡长度低于5mm及以下的可以正常清洗，缺损、气泡长度超过5mm的剔除，退还客户；
[0028](2)IPA浸泡擦洗：使用IPA浸泡5min，之后用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0029](3)丙酮浸泡擦洗：使用丙酮浸泡5分钟，之后用无尘布蘸丙酮擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0030](4)打磨片打磨：用360#打磨片打磨陶瓷溶射层面，主要对沉积膜区域进行打磨处理，时间5～30min，根据膜质轻可以适当延长打磨时间，打磨陶瓷溶射层面至没有明显膜质为止，打磨过程用无尘布蘸IPA擦拭掉打磨掉的脏污，清洁部件表面及便于检查打磨状况，全程禁止使用水；
[0031](5)百洁布打磨:用400#百洁布蘸IPA打磨部件阳极氧化面3min，全程禁止使用水；
[0032](6)IPA擦拭：用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0033](7)检测外观：涂层表面无色差、残膜和印迹；氧化层密封面无损伤，表面无彩虹颜色和残膜，再通过粗糙度测量仪检测部件粗糙度，RA＝2
‑
5μm符合标准，用膜厚测量仪检测陶瓷涂层厚度，厚度≥80μm符合标准；
[0034](8)二次IPA擦拭：用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；
[0035](9)超声波清洗：将部件流转至100级洁净间，然后将部件放入超声波清洗槽的子槽中，子槽内放入IPA溶液，清洗30分钟，每5min旋转部件90度角一次，并注意观察是否陶瓷溶射层有脱落，设置超声波频率40KHZ，超声波功率密度4
‑
10瓦/平方英寸；
[0036](10)再次用PIA擦拭：将部件从超声波子槽的IPA溶液中取出后，用无尘布蘸IPA擦拭整个部件；
[0037](11)氮气吹扫：对冲洗完毕的部件使用99.999％纯度的氮气进行表面吹扫，去除部件表面的残液，氮气吹扫时设定气枪压力为30
±
5Psi；
[0038](12)干燥：将吹扫完毕的部件转移至洁净的干燥箱中，使用100度的温度干燥2个小时，待部件自然冷却至40℃以下后，将部件取出；
[0039](13)真空包装：用2层PE袋对部件做真空封装，包装前将部件做整体氮气吹扫，氮气吹扫时设定气枪压力为30
±
5Psi。
[0040]检查清洗后的产品表面的杂质含量，以每本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种去除陶瓷层表面沉积污染物的清洗方法，其特征在于，其步骤为：(1)检查：对部件进行仔细检查，重点观察陶瓷涂层面是否有缺损、分层起泡问题；(2)IPA浸泡擦洗：使用IPA浸泡5min，之后用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；(3)丙酮浸泡擦洗：使用丙酮浸泡5分钟，之后用无尘布蘸丙酮擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；(4)打磨片打磨：用360#打磨片打磨陶瓷溶射层面，主要对沉积膜区域进行打磨处理，时间5～30min，打磨过程用无尘布蘸IPA擦拭掉打磨掉的脏污，清洁部件表面及便于检查打磨状况，全程禁止使用水；(5)百洁布打磨：用400#百洁布蘸IPA打磨部件阳极氧化面3min，全程禁止使用水；(6)IPA擦拭：用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；(7)检测外观：涂层表面无色差、残膜和印迹；氧化层密封面无损伤，表面无彩虹颜色和残膜，再通过粗糙度测量仪检测部件粗糙度，用膜厚测量仪检测陶瓷涂层厚度；(8)二次IPA擦拭：用无尘布蘸IPA擦拭整个部件，重点擦拭工作面和沟槽；(9)超声波清洗：将部件流转至100级洁净间，然后将部件放入超声波清洗槽的子槽中，子槽内放入IPA溶液，清洗30分钟，每5min旋转部件90度角一次，并注意观察是否陶瓷溶射层有脱落；(10)再次用PIA擦拭：将部件从超声波子槽的IPA溶液...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆帅帅，贺凯，
申请(专利权)人：富乐德科技发展天津有限公司，
类型：发明
国别省市：
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