一种多电源切换电路结构及电子设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种多电源切换电路结构，包括预降压电路、切换控制电路和电源切换电路，其中预降压电路包括第一分压单元和第二分压单元，第一分压单元用于降低电源电压以产生第一偏置电压，第二分压单元用于产生第二偏置电压，切换控制电路用于在第一偏置电压的驱动下对第二偏置电压进行逻辑运算以获得切换控制信号，在第一偏置电压和切换控制信号的驱动下使得电源切换电路中的其中一个电源切换单元导通、其他电源切换单元断开，进而使得与导通的电源切换单元连接的电源的输出电压通过导通的电源切换单元进行输出，通过上述方式本发明专利技术可适用于高电压的电源切换，可以实现电源电压幅度较宽的电平转换，扩大电源切换电路结构的适用范围。路结构的适用范围。路结构的适用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种多电源切换电路结构及电子设备


[0001]本专利技术涉及电源
，尤其涉及一种多电源切换电路结构及电子设备。

技术介绍

[0002]在一些控制系统中，常常会拥有多个电源，既作为电源信号，又作为电路使能信号。当其中一个电源为高电平时，此电源为整个系统供电的同时，还作为其中部分电路的使能信号，而其他电源则为低电平。对于多个电源的系统，会涉及电源的切换，需要保证电源在切换过程中能够平稳的进行转换。
[0003]目前的电源转换电路一般通过单纯的开关进行选择，开关由电源提供的电压进行驱动，然而这种方式只适用于电源电压较低且不超过开关耐压幅度（约2.5V甚至更低）、能够直接用电源进行开关控制的状况。当电源电压较高，超出开关耐压限度时，则上述电源切换电路无法使用，电源转换电路的适应范围较小。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种多电源切换电路，可以实现电源电压幅度较宽的电平转换，扩大电源切换电路结构的适用范围。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术一方面提供一种多电源切换电路结构，包括预降压电路、切换控制电路和电源切换电路；所述预降压电路包括一第一分压单元、第1至第N个具有电源连接端的预降压单元以及连接在第m个和第m+1个预降压单元的电源连接端之间的第二分压单元，N个所述预降压单元的电源连接端与N个电源一一对应连接，所述第一分压单元与N个所述预降压单元连接；所述切换控制电路与所述第一分压单元、所述第二分压单元连接，所述电源切换电路包括一电压输出端和N个电源切换单元，N个电源切换单元的输入端分别与N个电源一一对应连接，N个电源切换单元的输出端均连接至所述电压输出端， N个电源切换单元与所述第一分压单元和所述切换控制电路连接；N为大于1的正整数，m为小于N的正整数；当任一电源为高电平、其他电源为低电平时，所述第一分压单元用于降低高电平电源的输出电压，以获得第一偏置电压；位于第m个和第m+1个预降压单元之间的第二分压单元用于产生第二偏置电压，其中当第m个电源为高电平、其他电源为低电平时，所述第二偏置电压与第m个电源的输出电压相同，当第m+1个电源为高电平、其他电源为低电平时，所述第二偏置电压低于所述第m+1个电源的输出电压；当第m个和第m+1个电源均为低电平时，所述第二偏置电压为低电平电压；所述切换控制电路在所述第一偏置电压的驱动下，用于对N
‑
1个第二分压单元产生的第二偏置电压进行逻辑运算，以产生N个切换控制信号，在所述第一偏置电压和N个切换控制信号的驱动下使得其中一个电源切换单元导通、其他电源切换单元断开，进而使得与导通的电源切换单元连接的电源的输出电压通过导通的电源切换单元从所述电压输出端输出。
[0006]进一步地，每个所述预降压单元包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管以及第一
二极管串；所述第一二极管串包括1个二极管或串联连接的多个二极管；所述第一电阻的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接且连接节点为预降压单元的电源连接端，所述第一电阻的第二端与所述第一NMOS管的栅极、所述第一二极管串的正极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一分压单元连接，第一二极管串的负极与所述第二NMOS管的栅极和漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地。
[0007]进一步地，所述第一分压单元包括第二电阻、第三电阻以及第一电容；所述第二电阻的第一端与第一NMOS管的源极、第一电容的第一端连接，所述第二电阻的第二端与第三电阻的第一端连接且连接节点用于输出所述第一偏置电压，第三电阻的第二端和第一电容的第二端均接地。
[0008]进一步地，所述第二分压单元包括第四电阻、第二电容以及第二二极管串，所述第二二极管串包括1个二极管或串联连接的多个二极管；所述第四电阻的第一端与第二电容的第一端均连接至第m个预降压单元的电源连接端，第四电阻的第二端与第二电容的第二端、第二二极管串的负极连接且连接节点用于产生所述第二偏置电压，所述第二二极管串的正极连接第m+1个预降压单元的电源连接端。
[0009]进一步地，所述切换控制电路包括一第一PMOS管、N
‑
1个反相器和1个与非门；所述N
‑
1个反相器的供电端和所述与非门的供电端均连接至供电电压，第1至第N
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1个反相器的信号输入端分别与第1至第N
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1个第二分压单元的第二电容的第二端连接，第1至第N
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1个反相器的信号输出端分别与第1至第N
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1个电源切换单元连接，所述与非门的一信号输入端与第N
‑
1个反相器的信号输出端连接，所述与非门的另一信号输入端与第1个反相器的信号输出端连接，所述与非门的信号输出端与第N个电源切换单元连接，所述N
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1个反相器的接地端和所述与非门的接地端均连接至所述第一PMOS管的源极，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二电阻的第二端，所述第一PMOS管的漏极接地。
[0010]进一步地，所述电源切换单元包括第二PMOS管、第三PMOS管、第三二极管串和第四二极管串；所述第三二极管串包括1个二极管或串联连接的多个二极管，所述第四二极管串包括1个二极管或串联连接的多个二极管；所述第二PMOS管的栅极连接至所述第二电阻的第二端，所述第二PMOS管的源极为电源切换单元的输入端，第二PMOS管的漏极与第三二极管串的正极、第四二极管串的负极、第三PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的漏极与第三二极管串的负极、第四二极管串的正极均连接至所述电压输出端，第1至第N
‑
1个电源切换单元的第三PMOS管的栅极分别连接至第1至第N
‑
1个反相器的信号输出端，第N个电源切换单元的第三PMOS管的栅极连接至所述与非门的信号输出端。
[0011]进一步地，所述电源切换电路还包括稳压电容，所述稳压电容的第一端与所述电压输出端连接，稳压电容的第二端接地。
[0012]本专利技术另一方面还提供一种电子设备，包括上述任一项的多电源切换电路结构。
[0013]有益效果：本专利技术的多电源切换电路结构，通过预降压电路对电源的输出电压进行降压，从而可提供较低的第一偏置电压以驱动后续的切换控制电路和电源切换电路，以避免偏置电压超出后续电路中的开关器件的耐压值而导致电路损坏，因此本专利技术可适用于高电压的电源切换，可以实现电源电压幅度较宽的电平转换，扩大电源切换电路结构的适
用范围。
附图说明
[0014]下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其有益效果显而易见。
[0015]图1是本专利技术实施例提供的多电源切换电路结构的电路原理图。
具体实施方式
[0016]请参照图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，本专利技术的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本专利技术具体实施例，其不应被视为限制本专利技术未在此详述的其它具体实施例。
[0017]参阅图1，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多电源切换电路结构，其特征在于，包括预降压电路、切换控制电路和电源切换电路；所述预降压电路包括一第一分压单元、第1至第N个具有电源连接端的预降压单元以及连接在第m个和第m+1个预降压单元的电源连接端之间的第二分压单元，N个所述预降压单元的电源连接端与N个电源一一对应连接，所述第一分压单元与N个所述预降压单元连接；所述切换控制电路与所述第一分压单元、所述第二分压单元连接，所述电源切换电路包括一电压输出端和N个电源切换单元，N个电源切换单元的输入端分别与N个电源一一对应连接，N个电源切换单元的输出端均连接至所述电压输出端， N个电源切换单元与所述第一分压单元和所述切换控制电路连接；N为大于1的正整数，m为小于N的正整数；当任一电源为高电平、其他电源为低电平时，所述第一分压单元用于降低高电平电源的输出电压，以获得第一偏置电压；位于第m个和第m+1个预降压单元之间的第二分压单元用于产生第二偏置电压，其中当第m个电源为高电平、其他电源为低电平时，所述第二偏置电压与第m个电源的输出电压相同，当第m+1个电源为高电平、其他电源为低电平时，所述第二偏置电压低于所述第m+1个电源的输出电压；当第m个和第m+1个电源均为低电平时，所述第二偏置电压为低电平电压；所述切换控制电路在所述第一偏置电压的驱动下，用于对N
‑
1个第二分压单元产生的第二偏置电压进行逻辑运算，以产生N个切换控制信号，在所述第一偏置电压和N个切换控制信号的驱动下使得其中一个电源切换单元导通、其他电源切换单元断开，进而使得与导通的电源切换单元连接的电源的输出电压通过导通的电源切换单元从所述电压输出端输出。2.根据权利要求1所述的多电源切换电路结构，其特征在于，每个所述预降压单元包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管以及第一二极管串；所述第一二极管串包括1个二极管或串联连接的多个二极管；所述第一电阻的第一端与所述第一NMOS管的漏极连接且连接节点为预降压单元的电源连接端，所述第一电阻的第二端与所述第一NMOS管的栅极、所述第一二极管串的正极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一分压单元连接，第一二极管串的负极与所述第二NMOS管的栅极和漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地。3.根据权利要求2所述的多电源切换电路结构，其特征在于，所述第一分压单元包括第二电阻、第三电阻以及第一电容；所述第二电阻的第一端与第一NMOS管的源极、第一电容的第一端连接，所述第二电阻的第二端与第三电阻的第一端连接且连接节点用于输出所述第一偏置电压，第三电阻的第二端和第一电容的第二端均接地。4.根据权利要求3所述的多电源切换电路结构，其特征在于，所述第二分压单...

【专利技术属性】
技术研发人员：任小娇，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：