反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器技术

本公开涉及一种反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器，反熔丝结构包括位线结构、字线结构，以及位于位线结构和字线结构之间的可变电阻结构和阈值选通结构，其中，可变电阻结构被配置为在预设编程电压下从高阻态转变为低阻态；阈值选通结构被配置为在阈值电压下选通。本公开能够降低反熔丝结构的平面面积和体积，进一步降低集成反熔丝结构的半导体器件的体积。体器件的体积。体器件的体积。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器


[0001]本公开涉及半导体制造
，尤其涉及一种反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，在动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）中使用的熔丝，从以物理性切断的金属熔丝逐渐转变为使用脉冲电压的反熔丝。
[0003]传统的反熔丝结构在半导体器件中位置较为固定，且占据了芯片中较大面积，影响半导体器件的高度地集成化。传统反熔丝单元的尺寸与可靠性成负相关，随着制程工艺的微缩，反熔丝结构的可靠性急剧下降，导致反熔丝微缩遇到瓶颈，新型的小尺寸反熔丝结构亟待开发。

技术实现思路

[0004]基于此，本公开提供一种新型反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器，降低反熔丝结构的平面面积和体积，进一步降低集成反熔丝结构的器件的尺寸。
[0005]为实现上述目的及其他目的，根据本公开的各种实施例，本公开的一方面提供了一种反熔丝结构，该反熔丝结构包括位线结构、字线结构，以及位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括位线结构、字线结构，以及位于所述位线结构和字线结构之间的可变电阻结构和阈值选通结构，其中，所述可变电阻结构被配置为在预设编程电压下从高阻态转变为低阻态；所述阈值选通结构被配置为在阈值电压下选通。2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述可变电阻结构位于所述位线结构及所述阈值选通结构之间，或所述阈值选通结构位于所述位线结构及所述可变电阻结构之间。3.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述可变电阻结构为金属介质层。4.根据权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述金属介质层的材料为氧化铪、氧化锆、氧化铊与氧化铝中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述阈值选通结构的材料为氧化钛、氧化铪、氧化钛铪与碲锡锗相变材料中的一种或多种。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构形成于存储结构的预设区域内；所述预设区域选自第一金属层的表面、第二金属层的表面、顶层金属层的表面和其组合。7.根据权利要求6所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构形成于存储结构的第一金属层和第二金属层之间的电容层平面。8.根据权利要求1
‑
5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，包括如下特征中的至少一种：所述可变电阻结构的厚度范围为5
ꢀÅ‑
10
ꢀÅ
；所述阈值选通结构的厚度范围为1nm
‑
10nm；所述字线结构的厚度范围为20nm
‑
50nm；所述位线结构的厚度范围为20nm
‑
50nm。9.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，包括：第一反熔丝结构，采用权利要求1
‑
8任一项所述的反熔丝结构；以及第二反熔丝结构，采用权利要求1
‑
8任一项所述的反熔丝结构；所述第一反熔丝结构和所述第二反熔丝结构共用同一位线结构，所述第一反熔丝结构的可变电阻结构及阈值选通结构位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金荣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：