反熔丝阵列结构及存储器制造技术

本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵；反熔丝集成结构包括：共用有源区的第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储MOS管；第一开关管和第二开关管分别通过相邻两根字线控制，第一开关管和第二开关管的共用端与位线连接，第一反熔丝存储MOS管和第二反熔丝存储MOS管分别通过相邻的编程导线控制，且在位线延伸方向上，编程导线还用于控制相邻反熔丝集成结构。以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积，从而在原有布局面积的基础上，增大反熔丝存储单元之间的间距。反熔丝存储单元之间的间距。反熔丝存储单元之间的间距。

【技术实现步骤摘要】
反熔丝阵列结构及存储器


[0001]本申请涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器。

技术介绍

[0002]半导体器件对于许多现代应用是必不可少的。在半导体器件中，用于存储数据的存储器件发挥了重要作用。随着技术的进步，存储器件的容量不断增加，换句话说，布置在衬底上的存储阵列的密度增加。
[0003]对于反熔丝存储器而言，存储阵列的密度增加，反熔丝存储单元之间的间隔减小，难以保证反熔丝存储单元之间电气元件的电隔离效果。
[0004]因此，当下亟待改进反熔丝阵列结构的布局方式，以保证反熔丝存储单元之间电气元件的电隔离效果。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种反熔丝阵列结构及存储器，提供一种新的反熔丝阵列的布局方式，以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积，从而在原有布局面积的基础上，增大反熔丝存储单元之间的间距，保证反熔丝存储单元之间电气元件的电隔离效果。
[0006]本申请实施例提供了一种反熔丝阵列结构，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵，所述位线延伸方向和所述字线延伸方向相交；每一反熔丝集成结构包括：沿有源区的延伸方向依次设置的第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储MOS管，且所述第一反熔丝存储MOS管、所述第一开关管、所述第二开关管和所述第二反熔丝存储MOS管共用所述有源区，所述有源区的延伸方向分别与所述位线的延伸方向和所述字线延伸方向相交；所述第一开关管和第二开关管分别通过相邻两根字线控制，所述第一开关管和第二开关管的共用端与位线连接，所述第一反熔丝存储MOS管和第二反熔丝存储MOS管分别通过相邻的编程导线控制，且在位线延伸方向上，所述编程导线还用于控制相邻反熔丝集成结构。2.根据权利要求1所述的反熔丝阵列结构，其特征在于，所述有源区包括有源区主体，所述有源区主体的长度方向为所述有源区的延伸方向，在所述有源区的延伸方向上，所述有源区主体各处的宽度相同。3.根据权利要求2所述的反熔丝阵列结构，其特征在于，所述有源区还包括凸起部，所述凸起部设置在所述有源区主体的至少一侧，在所述有源区的延伸方向上，所述凸起部的长度小于所述有源区主体的长度，且所述有源区中部宽度大于所述有源区两端宽度。4.根据权利要求3所述的反熔丝阵列结构，其特征在于，所述有源区包括一个所述凸起部，在垂直于所述有源区延伸方向上，相邻两个所述有源区的凸起部位于所述有源区主体的不同侧。5.根据权利要求1所述的反熔丝阵列结构，其特征在于，在所述位线延伸方向上，每一反熔丝集成结构的所述第二反熔丝存储MOS管的栅极，与相邻所述反熔丝集成结构的所述第一反熔丝存储MOS管的栅极连接同一编程导线。6.根据权利要求1所述的反熔丝阵列结构，其特征在于，包括：所述第一反熔丝存储MOS管的栅极连接第一编程导线；所述第一开关管的栅极连接第一字线，源极连接所述第一反熔丝存储MOS管，漏极连接所述位线；所述第二开关管的栅极连接第二字线，源极连接所述第二反熔丝存储MOS管，漏极连接所述位线；所述第二反熔丝存储MOS管的栅极连接第二编程导线。7.根据权利要求1所述的反熔丝阵列结构，其特征在于，所述有源区包括：沿所述有源区延伸方向依次排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区和第五掺杂区；所述第一掺杂区为所述第一反熔丝MOS管的空置端，所述第二掺杂区为所述第一反熔丝存储MOS管和所述第一开关管的共用端，所述第三掺杂区为所述第一开关管和所述第二开关管的共用端，所述第四掺杂区为所述第二开关管和所述第二反熔丝存储MOS管的共用端，所述第五掺杂区为所述第二反熔丝MOS管的空置端；所述位线电连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：池性洙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：