熔丝结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种熔丝结构及其形成方法，其中，熔丝结构包括：衬底，包括有源区；控制栅极，位于有源区上方，控制栅极电连接第一电源；栅介质层，位于控制栅极与有源区之间，栅介质层电连接第二电源，且栅介质层的等效栅介质厚度在第二电源打开时改变。本申请可以成倍地缩小熔丝单元的面积，极大地提高熔丝电路的集成度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
熔丝结构及其形成方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种熔丝结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]熔丝存储单元在集成电路中被广泛用于修复工作，其经典的结构是控制栅极与熔丝栅极分立的结构。但是受限于两个栅极结构之间设计规则的限制，这一熔丝结构存在面积过大的问题。随着集成电路的集成度不断提高，面积过大的劣势也会逐渐显现。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有技术中的熔丝结构面积过大的问题提供一种熔丝结构及其形成方法。
[0004]一种熔丝结构，包括：
[0005]衬底，包括有源区；
[0006]控制栅极，位于所述有源区上方，所述控制栅极电连接第一电源；
[0007]栅介质层，位于所述控制栅极与所述有源区之间，所述栅介质层电连接第二电源，且所述栅介质层的等效栅介质厚度在所述第二电源打开时改变。
[0008]在其中一个实施例中，所述栅介质层包括层叠设置的第一介质层、熔丝栅极以及第二介质层，所述第一介质层位于所述有源区与所述熔丝栅极之间，所述第二介质层位于所述熔丝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种熔丝结构，其特征在于，包括：衬底，包括有源区；控制栅极，位于所述有源区上方，所述控制栅极电连接第一电源；栅介质层，位于所述控制栅极与所述有源区之间，所述栅介质层电连接第二电源，且所述栅介质层的等效栅介质厚度在所述第二电源打开时改变。2.根据权利要求1所述的熔丝结构，其特征在于，所述栅介质层包括层叠设置的第一介质层、熔丝栅极以及第二介质层，所述第一介质层位于所述有源区与所述熔丝栅极之间，所述第二介质层位于所述熔丝栅极与所述控制栅极之间，所述熔丝栅极电连接所述第二电源。3.根据权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述第二介质层还沿所述控制栅极的侧壁向上延伸。4.根据权利要求3所述的熔丝结构，其特征在于，所述熔丝栅极还沿所述第二介质层的侧壁向上延伸。5.根据权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述第二介质层的厚度大于所述第一介质层的厚度。6.根据权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述第一电源具有第一电压，所述第二电源具有第二电压，所述第一电压小于所述第二电压。7.根据权利要求2所述的熔丝结构，其特征在于，所述控制栅极与所述第一电源具有第一连接端，所述熔丝栅极与所述第二电源具有第二连接端，所述第一连接端与所述第二连接端分别位于所述有源区的相对的两侧。8.根据权利要求7所述的熔丝结构，其特征在于，所述有源区还包括源区以及漏区，所述源区具有第三连接端，所述漏区具有第四连接端，所述第一连接端和所述第二连接端的排布方向垂直于所述第三连接端与所述第四连接端的排布方向。9.一种熔丝结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区；于所述有源区上形成栅介质层以及控制栅极，所述栅介质层位于所述控制栅极与所述有源区之间，并电连接第二电源，且所述栅介质层的等效栅介质厚度在所述第二电源打开时改变，所述控制栅极电连接第一电源。10.根据权利要求9所述的熔丝结构的形成方法，其特征在于，所述于所述有源区...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雄，李庚泽，冯鹏，朱黄霞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：