温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵；反熔丝集成结构包括：共用有源区的第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储M...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。