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本公开涉及一种反熔丝结构及其制备方法、反熔丝阵列结构、存储器，反熔丝结构包括位线结构、字线结构，以及位于位线结构和字线结构之间的可变电阻结构和阈值选通结构，其中，可变电阻结构被配置为在预设编程电压下从高阻态转变为低阻态；阈值选通结构被配置为...
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