双管正激整流电路制造技术

本发明专利技术提供一种双管正激整流电路，其包括隔离变压器T1以及分别连接隔离变压器T1的初级线圈Lm与次级线圈Lc的和次级回路2，初级回路1中辅MOS管Q1、初级线圈Lm、主MOS管Q2依次接入输入电压Ui两端；在主MOS管Q2和初级线圈Lm整体两端并连第二续流二极管D2；在辅MOS管Q1与初级线圈Lm整体两端并连第一续流二极管D1，主MOS管Q2的栅极由外部输入驱动，辅MOS管Q1由初级回路1自驱动。该双管正激整流电路辅MOS管Q1的栅极接收来自正激电路内部的自激信号实现与主MOS管Q2的同步通断，因此能够实现使用单个控制信号对双管正激电路的两个MOS管的同步控制。同时也避免了两管状态切换不同步所带来的电路失稳，次级电流输出波形不稳定，转换效率降低的问题。效率降低的问题。效率降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
双管正激整流电路


[0001]本专利技术涉及正激开关电源电路
，具体涉及一种双管正激整流电路。

技术介绍

[0002]传统的单管正激变换器，需要磁复位电路来防止高频变压器磁饱和，开关管承受输入两倍或更大的电源电压，使其应用受到限制，而双管正激变换器在驱动电路中串联了两个MOS管，单个MOS管上的电压应力只有单管正激变换器的MOS的电压应力的一半，其MOS管电压应力更低、且无桥臂直通危险、可靠性和效率更高，并且无需外加磁芯复位电路，因此相比单管正激变换器双管正激变换器在开关电源中使用更加广泛。
[0003]公开号为“CN111083853B”的名为“去工频纹波的单级正激LED驱动电路”提供了一种双管正激驱动方案，通过分别驱动的MOS管控制变压器初级的电流通断，在双管正激电路中，需要两个MOS管状态同步工作，若两个MOS管不同步，则变压器仅能在均导通时接通，导致转换效率降低。

技术实现思路

[0004]针对现有的双管正激整流电路需要同时控制两个MOS管通断，对两个MOS管的频率一致性要求很高，难以保证双管正激电路的转换效率，本专利技术提供一种双管正激整流电路。
[0005]本专利技术的技术方案提供一种双管正激整流电路，包括隔离变压器T1以及分别连接隔离变压器T1的初级线圈Lm与次级线圈Lc的初级回路和次级回路，初级回路中辅MOS管Q1、初级线圈Lm、主MOS管Q2依次接入输入电压Ui两端；
[0006]所述初级回路还包括第二续流二极管D1与第一续流二极管D2；第一续流二极管D2的正极连接输入电压Ui的负极，第一续流二极管D2的负极连接所述初级线圈Lm的同名端；第二续流二极管D1的负极连接输入电压Ui的正极，第一续流二极管D2的正极连接所述初级线圈Lm的异名端；
[0007]所述主MOS管Q2的栅极由外部输入驱动，所述辅MOS管Q1由所述初级回路自驱动。
[0008]优选的，所述隔离变压器T1还包括辅助线圈La，所述辅MOS管Q1的栅极接入辅助线圈La的同名端实现自驱动。
[0009]优选的，所述初级回路在所述辅MOS管Q1的栅极与所述辅助线圈La的同名端之间接入升压电容C1，稳压二极管D3的正极连接所述辅助线圈La的同名端，稳压二极管D3的负极接通所述辅MOS管Q1的栅极，在第二续流二极管D1负极与稳压二极管D3负极之间并联释放电阻R1。
[0010]优选的，所述初级回路还包括保护电阻R2，保护电阻R2一端连接所述辅MOS管Q1的栅极，另一端连接所述稳压二极管D3的负极。
[0011]优选的，所述辅助线圈La的异名端连接所述初级线圈Lm的同名端。
[0012]优选的，所述次级回路中，在所述次级线圈Lc的同名端串联储能电感L后作为输出电压Uo正极，所述次级线圈Lc的异名端接地作为输出电压Uo负极；
[0013]在所述次级线圈Lc的异名端与输出电压Uo负极之间串联第三MOS管Q3，所述次级回路还包括第五MOS管Q5，第五MOS管Q5的源极与漏极分别连接于所述次级线圈Lc的同名端以及输出电压Uo负极。
[0014]优选的，所述第三MOS管Q3的栅极与所述次级线圈Lc的同名端连接，所述第五MOS管Q5的栅极通过第四二极管D4连接至所述次级线圈Lc的异名端；
[0015]第四二极管D4的正极连接所述次级线圈Lc的异名端，第四二极管D4的负极连接所述第五MOS管Q5的栅极；
[0016]所述次级回路还包括第四MOS管Q4，第四MOS管Q4的源极与栅极一端连接所述第五MOS管Q5的栅极，另一端连接输出电压Uo的负极，第四MOS管Q4的栅极与所述第三MOS管Q3的栅极连接。
[0017]优选的，所述次级回路还包括输出电容C2，输出电容C2并联在输出电压Uo两端。
[0018]本专利技术的双管正激整流电路包括一个由外部信号控制的主MOS管以及一个自驱动的辅MOS管，由于辅MOS管的栅极接收来自正激电路内部的自激信号实现与主MOS管的同步通断，因此能够实现使用单个控制信号对双管正激电路的两个MOS管的同步控制。同时也避免了两管状态切换不同步所带来的电路失稳，次级电流输出波形不稳定，转换效率降低的问题。
[0019]本专利技术的自绕组驱动方案，使双管正激电路的辅MOS管实现自驱动，减少额外驱动电路,简化了电路，保证了驱动信号的同步性，保证了双管同时导通。这可以有效避免当电路中双管采用不同的驱动电路时，由于不同驱动电路存在时序问题，无法保证完全同时序，因此存在双管无法同时导通的问题而造成的效率降低的问题。
[0020]本专利技术的次级回路中，通过多个MOS管之间的合理设置解决了传统同步整流电路中，死区时间内续流MOS管内部的体二极管导通而导致的整流损耗增加，整流效率降低的问题。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的双管正激整流电路的电路原理图；
[0022]图2为本专利技术的双管正激整流电路的初级回路1导通时的电流流向图；
[0023]图3为本专利技术的双管正激整流电路的初级回路1在MOS管断开后的电流流向图；
[0024]图4为本专利技术的双管正激整流电路的辅MOS管Q1的自驱动电路；
[0025]图5为本专利技术的双管正激整流电路的次级回路2从初级取电过程的电流流向；
[0026]图6为本专利技术的双管正激整流电路的次级回路2由储能电感L供能时的电流流向。
[0027]图中，
[0028]Ui:输入电压Uo:输出电压Q2:主MOS管Q1:辅MOS管D2:第一续流二极管D1:第二续流二极管PWM:控制信号T1:隔离变压器Lc:次级线圈Lm:初级线圈La:辅助线圈C1:升压电容D3:稳压二极管R1:释放电阻R2:保护电阻1:初级回路2:次级回路Q3:第三MOS管Q4:第四MOS管Q5:第五MOS管L:储能电感C2:输出电容D4:第四二极管
具体实施方式
[0029]以下结合附图和具体实施例，对本专利技术进行详细说明，在本说明书中，附图尺寸比
例并不代表实际尺寸比例，其只用于体现各部件之间的相对位置关系与连接关系，名称相同或标号相同的部件代表相似或相同的结构，且仅限于示意的目的。
[0030]图1为本专利技术的双管正激整流电路的电路原理图。该双管正激整流电路包括隔离变压器T1，隔离变压器T1包括初级线圈Lm、次级线圈Lc以及辅助线圈La，隔离变压器T1将双管正激整流电路隔离为初级回路1与次级回路2，其中，初级回路1中辅MOS管Q1、隔离变压器T1的初级线圈Lm、主MOS管Q2依次接入输入电压Ui两端，输入电压Ui的负极接地。如图2所示，在辅MOS管Q1、主MOS管Q2导通时形成经过初级线圈Lm的电流回路。在主MOS管Q2和初级线圈Lm整体两端并连第一续流二极管D2，其中，第一续流二极管D2的正极连接输入电压Ui的负极，第一续流二极管D2的负极连接初级线圈Lm的同名端；在辅MOS管Q1与初级线圈Lm整体两端并连第二续流二极管D1，其中，第二续流二极管D1的负极连接输入电压U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双管正激整流电路，包括隔离变压器T1以及分别连接隔离变压器T1的初级线圈Lm与次级线圈Lc的初级回路和次级回路，其特征在于，初级回路中辅MOS管Q1、初级线圈Lm、主MOS管Q2依次接入输入电压Ui两端；所述初级回路还包括第一续流二极管D1与第二续流二极管D2；第二续流二极管D2的正极连接输入电压Ui的负极，第二续流二极管D2的负极连接所述初级线圈Lm的同名端；第一续流二极管D1的负极连接输入电压Ui的正极，第二续流二极管D2的正极连接所述初级线圈Lm的异名端；所述主MOS管Q2的栅极由外部输入驱动，所述辅MOS管Q1由所述初级回路自驱动。2.如权利要求1所述的双管正激整流电路，其特征在于，所述隔离变压器T1还包括辅助线圈La，所述辅MOS管Q1的栅极接入辅助线圈La的同名端实现自驱动。3.如权利要求2所述的双管正激整流电路，其特征在于，所述初级回路在所述辅MOS管Q1的栅极与所述辅助线圈La的同名端之间接入隔直电容C1，稳压二极管D3的正极连接所述辅助线圈La的同名端，稳压二极管D3的负极接通所述辅MOS管Q1的栅极，在第一续流二极管D1负极与稳压二极管D3负极之间并联释放电阻R1。4.如权利要求3所述的双管正激整流电路，其特征在于，所述初级回路还包括保护电阻R2，保护电阻R2一端连接所述辅MOS管Q1...

【专利技术属性】
技术研发人员：程铭，李媛媛，金阳，朱伟龙，皋艳，李浩，韩志康，郝瑞瑞，郑辰雅，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：