一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，设置有工作台主体、承载台主体和真空腔，真空腔设于承载台主体和工作台主体之间，工作台主体设有与真空腔连通的吸附通孔阵列，吸附通孔阵列的表面设有吸附调节件，吸附调节件将吸附通孔阵列的任意部分覆盖。该多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台的吸附调节件可以根据被吸附产品的形状对吸附通孔阵列的吸附面积进行调节，将没有吸附产品的吸附通孔覆盖，这样可以减少真空腔的真空度的减弱，提高吸附力。同时由于吸附通孔阵列的吸附面积可以根据产品的形状进行调节，不需要对每款产品设计匹配的吸附通孔阵列，因此不需要更换工作台，具有较高的通用性。具有较高的通用性。具有较高的通用性。
【技术实现步骤摘要】
一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台
[0001]本技术涉及电子材料
，特别涉及一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台。
技术介绍
[0002]真空吸附台是一种常用的工件支撑设备，其用于在线路板制造、液晶显示面板制造、半导体工艺、光学薄膜制造等领域中支撑并定位工件，以便对工件进行各种处理。
[0003]厚膜陶瓷产品印刷加工时需要用真空吸附固定。但由于很多陶瓷产品内部打了很多孔，且不同的产品的孔的位置不同，需要选取特定的位置进行吸附。
[0004]常见的真空吸附台设有真空腔和位于真空腔上的吸附平台，吸附平台设有大面积的吸附通孔。但面对具有多孔和不同形状的厚膜陶瓷产品，常规的吸附台一般采用真空度更高的真空腔来提高对厚膜陶瓷产品的吸附力，但该方式的缺点是能耗高，对真空腔设备的要求高。另外还有一种方式是吸附孔的排列面积与厚膜陶瓷产品的被吸附部位的面积相匹配，但该方式的缺点是需要根据不同的厚膜陶瓷产品设计不同的吸附孔排列形状，当厚膜陶瓷产品改变时还需要更换相匹配的吸附台。
[0005]因此，针对现有技术不足，提供一种吸附力强、通用不同产品的多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台以解决现有技术不足甚为必要。
技术实现思路
[0006]本技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台。该多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台的吸附面积可调，具有吸附力强和通用性高的特点。
[0007]本技术的上述目的通过以下技术措施实现：
[0008]提供一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，设置有工作台主体、承载台主体和真空腔。
[0009]其中，真空腔设于承载台主体和工作台主体之间。
[0010]其中，工作台主体设有与真空腔连通的吸附通孔阵列。
[0011]其中，吸附通孔阵列的表面覆盖有吸附调节件。
[0012]具体的，将吸附通孔阵列被吸附调节件覆盖的区域定义为调节面。
[0013]将吸附通孔阵列没有被吸附调节件覆盖的区域定义为吸附面。
[0014]厚膜陶瓷基板贴合于吸附面的部分或者全部区域。
[0015]具体的，工作台主体在与承载台主体在相对的一面设有凹槽，当工作台主体和承载台主体相贴合时，凹槽形成空腔。
[0016]或者其中，承载台主体在与工作台主体相对的一面设有凹槽，当工作台主体和承载台主体相贴合时，凹槽形成空腔。
[0017]或者工作台主体相对承载台主体的一面设置有第一凹槽，承载台主体相对于工作
台主体的一面设置有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽匹配，当工作台主体和承载台主体相贴合时，第一凹槽、第二凹槽整体形成空腔。
[0018]其中，空腔通过真空通孔与真空泵连接形成真空腔。
[0019]具体的，吸附通孔阵列设有主吸附区、定位区和边界区。
[0020]其中，主吸附区、定位区和边界区由内而外依次排列。
[0021]或者主吸附区、定位区和边界区由内而外依次排列构成最小吸附通孔阵列单元，最小吸附通孔阵列单元以矩阵式排列。
[0022]具体的，主吸附区由主吸附通孔以矩阵式排列构成。
[0023]其中，定位区由定位吸附通孔构成，定位吸附通孔环绕在主吸附区外周并与主吸附通孔形成矩阵排列。
[0024]其中，边界区由边界吸附通孔构成，边界吸附通孔环绕在定位区外周并同时与主吸附通孔、定位吸附通孔形成矩阵排列。
[0025]其中，主吸附区、定位区、边界区的面积依次减小。
[0026]其中，主吸附通孔为正多边形通孔或圆形通孔。
[0027]其中，定位吸附通孔为直角通孔。
[0028]其中，边界吸附通孔为长方形通孔。
[0029]其中，主吸附通孔、定位吸附通孔和边界吸附通孔的直径范围是2～5mm，间距范围是4～10mm。
[0030]具体的，承载台主体在与工作台主体相贴合的位置设有吸附固定通孔，吸附固定通孔与真空腔连通。
[0031]或者工作台主体设有螺丝通孔，承载台主体设有与螺丝通孔相对的螺丝孔。
[0032]其中，螺丝通孔和螺丝孔通过插入螺钉将工作台主体和承载台主体固定连接。
[0033]具体的，吸附调节件设置有吸附膜辊，吸附膜辊是由吸附膜卷绕于轴所形成的结构。
[0034]其中，轴设于工作台主体，吸附膜从轴中拉伸出来覆盖于吸附通孔阵列。
[0035]具体的，工作台主体还固定有相互平行的第一导轨和第二导轨。
[0036]其中，第一导轨和第二导轨分别设于吸附通孔阵列的两侧。
[0037]其中，吸附膜辊设置有横向子吸附膜辊和纵向子吸附膜辊。其中，横向子吸附膜辊与第一导轨、第二导轨垂直，并且横向子吸附膜辊的两端分别滑动装配于第一导轨和第二导轨。
[0038]其中，纵向子吸附膜辊与第一导轨、第二导轨同向，并且活动套设于第一导轨或第二导轨或者同时套设于第一导轨和第二导轨。
[0039]其中，横向子吸附膜辊、纵向子吸附膜辊的数量均为1至2 个。
[0040]具体的，横向子吸附膜辊的两端分别固定有滑轮，滑轮分别对应装配于第一导轨、第二导轨。
[0041]具体的，纵向子吸附膜辊的纵向轴为中空管，中空管活动套设于第一导轨或者第二导轨中的至少一个。
[0042]本技术的多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，设置有工作台主体、承载台主体和真空腔，真空腔设于承载台主体和工作台主体之间，工作台主体设有与真空
腔连通的吸附通孔阵列，吸附通孔阵列的表面覆盖有吸附调节件。该多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台的吸附调节件可以根据被吸附产品的形状对吸附通孔阵列的吸附面积进行调节，将没有吸附产品的吸附通孔覆盖，这样可以缓解真空腔的真空度的降低，提高吸附力。同时由于吸附通孔阵列的吸附面积可以根据产品的形状进行调节，不需要对每款产品设计匹配的吸附通孔阵列，因此不需要更换工作台，具有较高的通用性。
附图说明
[0043]利用附图对本技术作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本技术的任何限制。
[0044]图1是一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台的俯视图。
[0045]图2是一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台的主视图。
[0046]图3是实施例4中吸附通孔阵列的示意图。
[0047]图4是实施例6的示意图。
[0048]图5是实施例3的示意图。
[0049]图6是实施例8的示意图。
[0050]图7是实施例13的示意图。
[0051]在图1至图7中，包括有：
[0052]工作台主体100、
[0053]吸附通孔阵列110、螺丝通孔120、第一凹槽130、第一导轨 140、第二导轨150、
[0054]主吸附区111、定位区112、边界区113、
[0055]主吸附通孔1111、定位吸本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，其特征在于：包括工作台主体、承载台主体和真空腔；所述真空腔设于承载台主体和工作台主体之间；所述工作台主体设有与真空腔连通的吸附通孔阵列；所述吸附通孔阵列的表面覆盖有吸附调节件。2.根据权利要求1所述的多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，其特征在于：将所述吸附通孔阵列被所述吸附调节件覆盖的区域定义为调节面；将所述吸附通孔阵列没有被所述吸附调节件覆盖的区域定义为吸附面；厚膜陶瓷基板贴合于所述吸附面的部分或者全部区域。3.根据权利要求1所述的多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，其特征在于：所述工作台主体在与所述承载台主体在相对的一面设有凹槽，当所述工作台主体和所述承载台主体相贴合时，所述凹槽形成空腔；或者所述承载台主体在与所述工作台主体相对的一面设有凹槽，当所述工作台主体和所述承载台主体相贴合时，所述凹槽形成空腔；或者所述工作台主体相对所述承载台主体的一面设置有第一凹槽，所述承载台主体相对于所述工作台主体的一面设置有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽匹配，当所述工作台主体和所述承载台主体相贴合时，第一凹槽、第二凹槽整体形成空腔；所述空腔通过真空通孔与真空泵连接形成所述真空腔。4.根据权利要求1所述的多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，其特征在于：所述吸附通孔阵列设有主吸附区、定位区和边界区；所述主吸附区、所述定位区和所述边界区由内而外依次排列；或者所述主吸附区、所述定位区和所述边界区由内而外依次排列构成最小吸附通孔阵列单元，最小吸附通孔阵列单元以矩阵式排列。5.根据权利要求4所述的多规格通用式厚膜陶瓷基板真空吸附工作台，其特征在于：所述主吸附区由主吸附通孔以矩阵式排列构成；所述定位区由定位吸附通孔构成，定位吸附通孔环绕在主吸附区外周并与主吸附通孔形成矩阵排列；所述边界区由边界吸附通孔构成，边界吸附通孔环绕在定位区外周并同时与主吸附通孔、定位吸附通孔形成矩...
【专利技术属性】
技术研发人员：王雅青，王子木，高建辉，杨莉，
申请(专利权)人：珠海市华晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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