一种晶圆擒纵结构、防滑组件、传片装置及热处理设备制造方法及图纸

技术编号:37023356 阅读:13 留言:0更新日期:2023-03-25 18:58
本实用新型专利技术公开了一种晶圆擒纵结构、防滑组件、传片装置及热处理设备;基于对晶圆表面退火异常产生机理的研究,公开了一种避免离子注入制程后期晶圆表面处理异常的结构及相关的产品;通过将支撑部件设置于晶圆的过渡结构,当过渡结构被移除后,顺利地获得不受侵扰的工件;同时,由于相关结构可以集成到原有的硬件设备,可以便捷地提升原有系统的工作质量,便于提高相关设备的生产效率,取得了理想的技术效果。的技术效果。的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆擒纵结构、防滑组件、传片装置及热处理设备


[0001]本技术属于微电子
,尤其涉及一种晶圆擒纵结构、防滑组件、传片装置及热处理设备。

技术介绍

[0002]产品的良率依赖于制造工艺的完备程度,在功率半导体制造场景下,特别是IGBT产品线中,为了改善器件的电气性能和能耗指标,会试图将晶圆的工艺厚度不断地减小;此时,背发射极的杂质激活率高,晶体缺陷与背面金属接触质量成为高性能产品的制约因素。
[0003]其中,激光退火设备在采用机械臂,特别是伯努利手臂传片过程中,晶圆与机械臂RA(Robot Arm)接触的位置极易产生粒子P(Particle)聚集,进而会对离子注入区的激活率产生严重影响,亦或导致晶圆部分区域不能完成有效退火。

技术实现思路

[0004]本技术公开了一种晶圆擒纵结构、防滑组件、传片装置及热处理设备;基于对晶圆表面退火异常产生机理的研究,公开了一种避免离子注入制程后期晶圆表面处理异常的结构及相关的产品。
[0005]其晶圆擒纵结构包括第一擒纵结构本体、第二支撑部件、第三吸取部件;基于柔性接触的吸附组件,确保晶圆转移过程的表面洁净水平和相关质量控制。
[0006]其中,第一擒纵结构本体与相关驱动装置或驱动机构固定连接或通过机械臂活动连接于驱动机构;通过传动部件,为传片装置或作业过程提供动力或执行机构。
[0007]为适应晶圆的外形特点,其第一擒纵结构本体设计为扁平结构,该第一擒纵结构本体包括第一安装面和第二安装面,为相关结构部件的布放提供基础。r/>[0008]具体地,其第一安装面固定安装有预设数量为N的第三吸取部件,N为自然数,且N大于或等3;其第三吸取部件的数量根据吸附制程的需要,可以增加以确保吸取过程的稳定和吸附能力的均衡。
[0009]其第二支撑部件由不少于M个分布支撑部件构成,M为自然数,M大于或等于3;该分布支撑部件至少包括第一分布支撑部件、第二分布支撑部件、第三分布支撑部件;分布置放的三个以上的支撑部件可构造相应的支撑面,用以为晶圆提供稳定的支撑结构,确保晶圆转移过程的稳定。
[0010]其第二支撑部件与第一安装面固定连接,其M个分布支撑部件的安装位置限制于一圆环状支撑件安装区域内部,确保了激光退火过程或相关处理过程中,晶圆的离子注入区域不受支撑部件的干涉或干扰。
[0011]进一步地,其第三吸取部件可与待擒纵的晶圆柔性接触或经由可压缩介质接触,其目的在于避免刚性接触或转运对晶圆产生的杂质侵扰。
[0012]具体地,其第三吸取部件可采用对称式的结构,使得该第三吸取部件对称分布于第一安装面。
[0013]进一步地,可使得第三吸取部件轴对称分布于第一安装面,其中,轴对称分布的对称轴为第一安装面的几何中心线。
[0014]具体地,其第三吸取部件可以采用伯努利吸盘或气动非接触式吸盘。
[0015]进一步地,其驱动装置可以包括一气动动力附件,该气动动力附件与第一擒纵结构本体固定连接,该气动动力附件包括相关的气动管路及阀门组件。
[0016]进一步地,其第二安装面一侧还可包括一支撑部件,该支撑部件与第一擒纵结构本体固定连接,该支撑部件可用以改善本技术结构的机械强度或刚性。
[0017]进一步地,本技术通过实施例还公开了一种防滑组件,采用了上述第二支撑部件。
[0018]具体地,第二支撑部件可采用已知成分的弹性材料制备,第二支撑部件与已知光洁度单晶硅或硅化合物表面的摩擦系数应不小于预设第一附着阈值,这使得第二支撑部件在起到支撑作用的同时,还能兼顾防滑的特性。
[0019]具体地,上述弹性材料可以是成分已知的橡胶或塑料;其第二支撑部件可由不少于M个分布支撑部件构成,M为自然数,M大于或等于3;其分布支撑部件包括第一分布支撑部件、第二分布支撑部件、第三分布支撑部件;分区布置的支撑部件为待擒纵工件提供了更均衡的吸力分布。
[0020]进一步地,本技术实施例还给出了一种传片装置,包括第一装置本体、第二机械臂部件、第三晶圆擒纵部件、第四气路部件;其中,第三晶圆擒纵部件采用如上所公开的擒纵结构;和/或采用前述的防滑组件。
[0021]进一步地,本技术实施例还给出了一种热处理设备的核心结构,包括一热处理控制单元和相关的传片单元;其中,
[0022]热处理控制单元根据晶圆制程控制驱动装置或驱动机构;其传片单元包括了上述任一擒纵结构、防滑组件。
[0023]具体地,该热处理设备采用激光作为激励源;其安装区域则采用太谷环TAKIO作为结构增强件,其中,安装区域不超出太谷环TAKIO的范围。
[0024]进一步地,上述太谷环TAKIO可以作用于12英寸制程的晶圆;其热处理设备为激光退火设备。
[0025]本技术公开了一种晶圆擒纵结构、防滑组件、传片装置及热处理设备;基于对晶圆表面退火异常产生机理的研究,公开了一种避免离子注入制程后期晶圆表面处理异常的结构及相关的产品。
[0026]通过将支撑部件设置于晶圆的过渡结构,当过渡结构被移除后,顺利地获得不受侵扰的工件;同时,由于相关结构可以集成到原有的硬件设备,可以便捷地提升原有系统的工作质量,便于提高相关设备的生产效率,取得了理想的技术效果。
[0027]需要说明的是,在本文中采用的“第一”、“第二”等类似的语汇,仅仅是为了描述技术方案中的各组成要素,并不构成对技术方案的限定,也不能理解为对相应要素重要性的指示或暗示;带有“第一”、“第二”等类似语汇的要素,表示在对应技术方案中,该要素至少包含一个。
附图说明
[0028]为了更加清晰地说明本技术的技术方案,利于对本技术的技术效果、技术特征和目的进一步理解,下面结合附图对本技术进行详细的描述,附图构成说明书的必要组成部分,与本技术的实施例一并用于说明本技术的技术方案,但并不构成对本技术的限制。
[0029]附图中的同一标号代表相同的部件,具体地:
[0030]图1为现有技术下的产品缺陷示意图;
[0031]图2为本技术结构实施例组成结构示意图;
[0032]图3为本技术结构实施例三维示意图;
[0033]图4为本技术结构实施例工作状态仿真示意图;
[0034]图5为本技术结构实施例工作状态剖面分层状态示意图;
[0035]图6为本技术结构及产品实施例三维示意图;
[0036]图7为本技术产品实施例应用效果示意图;
[0037]图8为本技术结构实施例核心部件位置示意图;
[0038]图9为本技术相关产品组成结构示意图。
[0039]其中:
[0040]001

现有技术举例,
[0041]002

本技术实施例组成结构举例,
[0042]003

立体布局,
[0043]004...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆擒纵结构,包括:第一擒纵结构本体(203)、第二支撑部件(207)、第三吸取部件(205、215、225、235、245、255、265、275);其中,所述第一擒纵结构本体(203)与相关驱动装置(400)或驱动机构(401)固定连接或通过机械臂活动连接于驱动机构(401);所述第一擒纵结构本体(203)为扁平结构,所述第一擒纵结构本体(203)包括第一安装面(311)和第二安装面(322);所述第一安装面(311)固定安装有预设数量为N的所述第三吸取部件(205、215、225、235、245、255、265、275),N为自然数,且N大于或等3;所述第二支撑部件(207)由不少于M个分布支撑部件(217、227、237)构成,M为自然数,M大于或等于3;所述分布支撑部件包括第一分布支撑部件(217)、第二分布支撑部件(227)、第三分布支撑部件(237);所述第二支撑部件(207)与所述第一安装面(311)固定连接,M个所述分布支撑部件(217、227、237)的安装位置限制于一圆环状支撑件安装区域(666)内部。2.如权利要求1所述的擒纵结构,其中:所述第三吸取部件(205、215、225、235、245、255、265、275)与待擒纵的晶圆柔性接触或经由可压缩介质接触。3.如权利要求1或2所述的擒纵结构,其中:所述第三吸取部件(205、215、225、235、245、255、265、275)对称分布于所述第一安装面(311)。4.如权利要求3所述的擒纵结构,其中:所述第三吸取部件(205、215、225、235、245、255、265、275)轴对称分布于所述第一安装面(311),所述轴对称分布的对称轴为所述第一安装面(311)的几何中心线(333)。5.如权利要求1、2或4所述的擒纵结构,其中:所述第三吸取部件(205、215、225、235、245、255、265、275)采用伯努利吸盘或气动非接触式吸盘。6.如权利要求5所述的擒纵结构,其中:所述驱动装置(400)包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:周顺风谭秀文吕剑
申请(专利权)人:华虹半导体无锡有限公司
类型:新型
国别省市:

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