显示器结构及其制造方法技术

一种显示器结构包含第一基板、第二基板、第一凸块、发光单元、连通柱、第二凸块以及第三凸块。第二基板设置于第一基板上。第一凸块设置于第二基板的顶面上。发光单元设置于第一凸块上。连通柱填充贯穿第一基板以及第二基板的通孔。第二凸块设置于第二基板的顶面上并连接连通柱。第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度。第三凸块设置于第一基板的底面上并连接连通柱。柱。柱。

【技术实现步骤摘要】
显示器结构及其制造方法


[0001]本专利技术有关于一种显示器结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着电流驱动的功能增加，显示器结构中的元件配置变得复杂，故面内的走线亦趋于复杂，进而产生空间不足的问题。此外，因现时用以制造走线的基板为软板，因此存在基板涨缩问题，基板平整性也因此较难控制，进而导致导通孔搭接不良以及电镀偏移的问题。如何提出一种可以解决上述问题的显示器结构及其制造方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有解决上述问题的显示器结构及其制造方法。
[0004]为了达到上述目的，依据本专利技术的一实施方式，一种显示器结构包含第一基板、第二基板、第一凸块、发光单元、连通柱、第二凸块以及第三凸块。第二基板设置于第一基板上。第一凸块设置于第二基板的顶面上。发光单元设置于第一凸块上。连通柱填充贯穿第一基板以及第二基板的通孔。第二凸块设置于第二基板的顶面上并连接连通柱。第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度。第三凸块设置于第一基板的底面上并连接连通柱。
[0005]于本专利技术的一或多个实施方式中，显示器结构进一步包含第一种子层以及第二种子层。第一种子层位于第一凸块与第二基板之间以及第二凸块与第二基板之间。第二种子层位于连通柱与通孔之间以及第三凸块与第一基板之间。
[0006]于本专利技术的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度与第一凸块的厚度的厚度差大于0.5微米。
[0007]于本专利技术的一或多个实施方式中，第三凸块的宽度大于第二凸块的宽度。
[0008]于本专利技术的一或多个实施方式中，第三凸块的宽度大于17微米。
[0009]于本专利技术的一或多个实施方式中，以俯视观之，第二凸块位于第一凸块的周围。
[0010]于本专利技术的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和。
[0011]于本专利技术的一或多个实施方式中，显示器结构进一步包含主动元件，且主动元件位于第二基板中。
[0012]于本专利技术的一或多个实施方式中，主动元件藉由接触件连接第一凸块。
[0013]于本专利技术的一或多个实施方式中，主动元件为薄膜晶体管。
[0014]为了达到上述目的，依据本专利技术的一实施方式，一种显示器结构的制造方法包含：提供玻璃基板、第一基板以及第二基板，其中第一基板位于玻璃基板上，第二基板位于第一基板上；形成第一光阻层于第二基板上方，其中第一光阻层具有数个镂空部；填充第一导电材料于第一光阻层的镂空部中；去除第一光阻层并回蚀第一导电材料以形成图案化的第一
导电材料；去除玻璃基板；藉由蚀刻形成通孔穿过第一导电材料、第一基板以及第二基板；形成第二光阻层于第二基板的顶面以及第三光阻层于第一基板的底面，其中第二光阻层以及第三光阻层各具有镂空部，第二光阻层的镂空部以及第三光阻层的镂空部分别连接通孔的两端，且第二光阻层的镂空部的高度大于第一导电材料的厚度；填充第二导电材料于第二光阻层的镂空部、通孔以及第三光阻层的镂空部中，其中第二导电材料于通孔中形成连通柱，且第二导电材料与第一导电材料相同；去除第二光阻层以及第三光阻层以形成图案化的第二导电材料；回蚀图案化的第一导电材料以及图案化的第二导电材料以形成第一凸块、第二凸块以及第三凸块；以及将发光单元设置于第一凸块上，且第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度。
[0015]于本专利技术的一或多个实施方式中，显示器结构的制造方法进一步包含形成第一种子层于第二基板上，且形成第一种子层于第二基板上的步骤执行于形成第一光阻层于第二基板上方的步骤之前。
[0016]于本专利技术的一或多个实施方式中，第一种子层位于第一凸块与第二基板之间以及第二凸块与第二基板之间。
[0017]于本专利技术的一或多个实施方式中，显示器结构的制造方法进一步包含形成第二种子层于通孔的内表面以及第一基板的底面，且形成第二种子层于通孔的内表面以及第一基板的底面的步骤执行于填充第二导电材料于第二光阻层的镂空部、通孔以及第三光阻层的镂空部中的步骤之前。
[0018]于本专利技术的一或多个实施方式中，形成第二种子层于通孔的内表面以及第一基板的底面的步骤执行于形成第二光阻层于第二基板的顶面以及第二光阻层于第一基板的底面的步骤之前。
[0019]于本专利技术的一或多个实施方式中，第二种子层位于连通柱与通孔之间以及第三凸块与第一基板之间。
[0020]于本专利技术的一或多个实施方式中，去除玻璃基板的步骤执行于去除第一光阻层并回蚀第一导电材料以形成图案化的第一导电材料的步骤之后。
[0021]于本专利技术的一或多个实施方式中，第三凸块的宽度大于第二凸块的宽度。
[0022]于本专利技术的一或多个实施方式中，填充第一导电材料于第一光阻层的镂空部中的步骤以及填充第二导电材料于第二光阻层的镂空部、通孔以及第三光阻层的镂空部中的步骤利用电镀制程。
[0023]于本专利技术的一或多个实施方式中，藉由蚀刻形成通孔穿过第一导电材料、第一基板以及第二基板的步骤利用激光钻孔制程。
[0024]于本专利技术的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度与第一凸块的厚度的厚度差大于0.5微米。
[0025]于本专利技术的一或多个实施方式中，以俯视观之，第二凸块位于第一凸块的周围。
[0026]于本专利技术的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和。
[0027]综上所述，在本专利技术的显示器结构及其制造方法中，由于显示器结构经过正反两面的两次电镀，例如第二凸块经过两次电镀(第一次电镀于玻璃基板上方，第二次电镀不具有玻璃基板)，可以满足因正面所需分辨率高而需要高黄光对位精准度的需求，并可以解决
位于正面(第二基板的顶面)的第二凸块的厚度不足还有通孔搭接的问题。在本专利技术的显示器结构及其制造方法中，由于第二凸块的厚度与第一凸块的厚度有高度差，且第二凸块设置于第一凸块的周围，因此可以增加发光单元转置区的挺性，进而提升发光单元的转置精准度。在本专利技术的显示器结构及其制造方法中，由于第二凸块的厚度至少大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和，因此第二凸块之间可以作为发光单元的聚光堤(bank)，以提升发光单元的发光效能。
[0028]以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。
附图说明
[0029]图1绘示根据本专利技术的一实施方式的显示器结构的制造方法的流程图。
[0030]图2绘示根据本专利技术的一实施方式的接续图1的显示器结构的制造方法的流程图。
[0031]图3绘示根据本专利技术的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。
[0032]图4绘示根据本专利技术的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。
[0033]图5绘示根据本专利技术的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。
[0034]图6绘示根据本专利技术的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器结构，其特征在于，包含：一第一基板；一第二基板，设置于该第一基板上；一第一凸块，设置于该第二基板的一顶面上；一发光单元，设置于该第一凸块上；一连通柱，填充贯穿该第一基板以及该第二基板的一通孔；一第二凸块，设置于该第二基板的该顶面上并连接该连通柱，其中该第二凸块的一厚度大于该第一凸块的一厚度；以及一第三凸块，设置于该第一基板的一底面上并连接该连通柱。2.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于，进一步包含：一第一种子层，位于该第一凸块与该第二基板之间以及该第二凸块与该第二基板之间；以及一第二种子层，位于该连通柱与该通孔之间以及该第三凸块与该第一基板之间。3.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于，其中该第二凸块的该厚度与该第一凸块的该厚度的一厚度差大于0.5微米。4.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于，其中该第三凸块的一宽度大于该第二凸块的一宽度。5.如权利要求4所述的显示器结构，其特征在于，其中该第三凸块的该宽度大于17微米。6.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于，其中以俯视观之，该第二凸块位于该第一凸块的周围。7.如权利要求6所述的显示器结构，其特征在于，其中该第二凸块的该厚度大于该第一凸块的该厚度以及该发光单元的一厚度的总和。8.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于，进一步包含一主动元件，且该主动元件位于该第二基板中。9.如权利要求8所述的显示器结构，其特征在于，其中该主动元件藉由一接触件连接该第一凸块。10.如权利要求8所述的显示器结构，其特征在于，其中该主动元件为薄膜晶体管。11.一种显示器结构的制造方法，其特征在于，包含：提供一玻璃基板、一第一基板以及一第二基板，其中该第一基板位于该玻璃基板上，该第二基板位于该第一基板上；形成一第一光阻层于该第二基板上方，其中该第一光阻层具有数个镂空部；填充一第一导电材料于该第一光阻层的该些镂空部中；去除该第一光阻层并回蚀该第一导电材料以形成图案化的该第一导电材料；去除该玻璃基板；藉由蚀刻形成一通孔穿过该第一导电材料、该第一基板以及该第二基板；形成一第二光阻层于该第二基板的一顶面以及一第三光阻层于该第一基板的一底面，其中该第二光阻层以及该第三光阻层各具有一镂空部，该第二光阻层的该镂空部以及该第三光阻层的该镂空部分别连接该通孔的两端，且该第二光阻层的该镂空部的一高度大于该
第一导电材料的一厚度；填充一第二导电材料于该第二光阻层的该镂空部、该通孔以及该第三光阻层的该镂空部中，其中该第二导电材料于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁育馨，黄婉真，王修华，林威廷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：