一种倒装发光二极管芯片制造技术

本申请提供一种倒装发光二极管芯片，包括：衬底、外延叠层、透明导电层、复合反射层和金属电极组件，通过复合反射层的设置来大幅提升倒装LED芯片的光提取效率。具体地，复合反射层包括非金属反射层和金属反射层，且非金属反射层和金属反射层在倒装LED芯片的竖直方向上顺序排布，以使有源层发出的部分光能够依次在非金属反射层和金属反射层的作用下进行反射，以从衬底侧射出。并且，金属反射层的设置能够在非金属反射层的基础上，进一步提升对部分光的反射效率。的反射效率。的反射效率。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装发光二极管芯片


[0001]本申请涉及半导体光电子器件
，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)与传统光源(如白炽灯、荧光灯等)相比具有诸多优势，例如响应时间快、低污染、高光效、长寿命、低能耗、体积小等。因此，LED在很多领域，如信号灯、背光源、汽车灯、普通照明、激光等领域具有广泛的应用。倒装LED芯片具有低热阻、大电流、低封装成本、密排列等优势，其耐温性和可靠性也好于正装LED芯片和垂直LED芯片，且倒装LED芯片的制造成本适中，可用于高功率和高可靠性要求的光源，一直备受业界青睐，至今研究热度不减。
[0003]目前，常见的倒装LED芯片主要包括衬底、设置于衬底的外延叠层(外延叠层包括N
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GaN层、有源层和P
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GaN层等)和位于所述外延叠层中远离衬底一侧的金属电极。为了提高倒装LED芯片的光提取效率，现有技术一般通过在外延叠层和金属电极之间设置金属反射层，以使部分射向金属电极的光能够在金属反射层的反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一表面；外延叠层，包括沿远离所述衬底的方向依次层叠设置于所述第一表面的N
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GaN层和P
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GaN层，以及位于所述N
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GaN层和所述P
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GaN层之间的有源层，以及分别贯穿所述P
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GaN层和所述有源层，以使所述N
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GaN层部分暴露的导电孔；透明导电层，设置在所述P
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GaN层背向所述有源层的一侧，且所述透明导电层与所述P
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GaN层之间欧姆接触；复合反射层，包括非金属反射层和金属反射层，所述金属反射层位于所述透明导电层背向所述P
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GaN层的一侧，所述非金属反射层位于所述金属反射层和所述透明导电层之间，且借由所述非金属反射层开设的第一间隙，所述金属反射层和所述透明导电层相连接；金属电极组件，包括分别设置于金属反射层背向所述透明导电层一侧的第一金属电极和第二金属电极，所述第一金属电极和所述第二金属电极两者之一与所述金属反射层相连接，两者之另一穿过所述导电孔与所述N
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GaN层相接触。2.如权利要求1所述的一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述非金属反射层为网状结构，且所述网状结构中的空隙形成所述第一间隙；或者，所述非金属反射层为岛状结构，且所述岛状结构中的空隙形成所述第一间隙。3.如权利要求1所述的一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述透明导电层为面状结构；或者所述透明导电层为网状结构，且所述网状结构中的空隙形成第二间隙；或者所述透明导电层为岛状结构，且所述岛状结构中的空隙形成第二间隙。4.如权利要求3所述的一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述透明导电层为网状结构，且所述网状结...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚志强，黄鑫，赵倩，吴和兵，曹玉飞，黄文光，贺云飞，冯小楠，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：