用于框架一体型掩模的框架的尺寸设置方法,变形量缩减方法及框架技术

技术编号:36986790 阅读:16 留言:0更新日期:2023-03-25 18:04
本发明专利技术涉及用于框架一体型掩模的框架的尺寸设置方法,变形量缩减方法及框架。更详细地,涉及一种通过缩减在附着掩模时掩模施加的拉伸力引起的掩模单元片材部的变形量,能够准确地对各掩模进行对准(align)的框架尺寸设置方法,变形量缩减方法及框架。变形量缩减方法及框架。变形量缩减方法及框架。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于框架一体型掩模的框架的尺寸设置方法,变形量缩减方法及框架


[0001]本专利技术涉及用于框架一体型掩模的框架的尺寸设置方法,变形量缩减方法及框架。更详细地,涉及一种框架的尺寸设置方法,变形量缩减方法及框架,通过缩减在附着掩模时掩模施加的拉伸力引起的掩模单元片材部的变形量,能够准确地对各掩模进行对准(align)。

技术介绍

[0002]作为OLED制造工艺中形成像素的技术,主要使用FMM(Fine Metal Mask,精细金属掩模)方法,该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask,阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。
[0003]在现有的OLED制造工艺中,将掩模制造成条状、板状等后,将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架上并使用。一个掩模上可以具备与一个显示器对应的多个单元。另外,为了制造大面积OLED,可将多个掩模固定于OLED像素沉积框架,在固定于框架的过程中,拉伸各个掩模,以使其变得平坦。调节拉伸力以使掩模的整体部分变得平坦是非常困难的作业。特别是,为了一边使各单元都平坦化且一边对准尺寸为数~数十μm的掩模图案,需要进行如下高难度作业:一边细微地调节施加于掩模各侧的拉伸力,一边实时地确认对准状态。
[0004]尽管如此,在将多个掩模固定于一个框架过程中,仍然存在掩模之间及掩模单元之间对准不好的问题。另外,在将掩模焊接固定于框架的过程中,掩模膜的厚度过薄且面积大,因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的问题;由于焊接过程中在焊接部分产生的皱纹、毛刺(burr)等,导致掩模单元的对准不准的问题等。
[0005]在超高清的OLED中,现有的QHD画质为500

600PPI(pixel per inch,每英寸像素),像素的尺寸达到约30

50μm,而4K UHD、8K UHD高清具有比之更高的

860PPI,

1600PPI等的分辨率。如此,考虑到超高画质的OLED的像素尺寸,需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右,超出这一误差将导致产品的不良,所以收率可能极低。因此,需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术以及将掩模固定于框架的技术等。

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]因此,本专利技术是为了解决如上所述的现有技术的诸多问题而提出的,目的在于,提供一种框架的尺寸设置方法,的变形量缩减方法及框架,通过缩减在附着掩模时掩模施加的拉伸力引起的掩模单元片材部的变形量,从而能准确地对掩模的位置进行对准。
[0008]但是所述技术问题仅为示例性的,本专利技术的范围不受此限制。
[0009]技术方案
[0010]本专利技术的上述目的通过框架的尺寸设置方法来实现,该框架用于由多个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成的框架一体型掩模,其中,所述框架一体型掩模包括多个掩模
和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,当掩模单元片材部沿第一方向和第二方向的长度为DX和DY,单位掩模单元区域沿第一方向和第二方向的长度为MX和MY时,包括以下步骤:(a)计算满足NX
×
MX<DX≤(NX+1)
×
MX的NX和满足NY
×
MY<DY≤(NY+1)
×
MY的NY(NX、NY为自然数);(b)将[DX

(NX
×
MX)]/(NX+1)设置为第二栅格片材部的宽度TX,将[DY

(NY
×
MY)]/(NY+1)设置为第一栅格片材部的宽度TY。
[0011]可将第一边缘片材部的宽度和第一栅格片材部的宽度设置为相同,可将第二边缘片材部的宽度和第二栅格片材部的宽度设置为相同。
[0012]当DX和DY为预设的固定值时,基于MX和MY的变化,TX和TY可发生改变。
[0013]DX可具有至少大于1500mm的固定值,DY可具有至少大于900mm的固定值,TX和TY中至少一个可设置为大于8mm。
[0014]满足DX2+DY2=D2的D至少可大于1750mm。
[0015]当第一栅格片材部的厚度为TZ1,第二栅格片材部的厚度为TZ2,单位掩模单元区域沿第一方向的焊珠数量为WX,沿第二方向的焊珠数量为WY时,第一栅格片材部的单位体积的焊珠数量可为WV1=(WX
×
NX)/(TX
×
TZ1
×
DX),第二栅格片材部的单位体积的焊珠数量可为WV2=(WX
×
NY)/(TY
×
TZ2
×
DY)。
[0016]通过调高TZ1值来降低WV1值,或者通过调高TZ2值来降低WV2值,从而可缩减基于焊接掩模单元片材部而产生的变形量。
[0017]当宽度TX和宽度TY的一侧端设置为0%,另一侧端设置为100%时,掩模单元片材部与掩模间的焊接可将在相当于宽度TX和宽度TY的25%至75%的部分进行。
[0018]另外,本专利技术的上述目的通过框架的变形量缩减方法来实现,该框架用于由多个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成的框架一体型掩模,其中,所述框架一体型掩模包括多个掩模和框架,所述框架具有多个掩模单元区域且边缘框架部上连接有掩模单元片材部,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,当掩模单元片材部沿第一方向和第二方向的长度为DX和DY,单位掩模单元区域沿第一方向和第二方向的长度为MX和MY,第一栅格片材部的厚度
为TZ1,第二栅格片材部的厚度为TZ2,单位掩模单元区域本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种框架的尺寸设置方法,该框架用于由多个掩模及用于支撑掩模的框架一体形成的框架一体型掩模,其特征在于,框架包括边缘框架部和掩模单元片材部,边缘框架部包括中空区域;掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向具有多个掩模单元区域,且连接于边缘框架部,掩模单元片材部包括一双第一边缘片材部、一双第二边缘片材部、至少一个第一栅格片材部及至少一个第二栅格片材部,所述一双第一边缘片材部朝第一方向延伸形成且相隔设置;所述一双第二边缘片材部朝第二方向延伸形成,两端分别连接于第一边缘片材部的各端部且相隔设置;所述至少一个第一栅格片材部朝第一方向延伸形成,且两端连接于第二边缘片材部;所述至少一个第二栅格片材部朝第二方向延伸形成并与第一栅格片材部交叉,且两端连接于第一边缘片材部,当掩模单元片材部沿第一方向和第二方向的长度为DX和DY,单位掩模单元区域沿第一方向和第二方向的长度为MX和MY时,包括以下步骤:(a)计算满足NX
×
MX<DX≤(NX+1)
×
MX的NX和满足NY
×
MY<DY≤(NY+1)
×
MY的NY,其中NX、NY为自然数;(b)将[DX

(NX
×
MX)]/(NX+1)设置为第二栅格片材部的宽度TX,将[DY

(NY
×
MY)]/(NY+1)设置为第一栅格片材部的宽度TY。2.如权利要求1所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于,将第一边缘片材部的宽度和第一栅格片材部的宽度设置为相同,将第二边缘片材部的宽度和第二栅格片材部的宽度设置为相同。3.如权利要求1所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于,当DX和DY为预设固定值时,基于MX和MY的变化,TX和TY发生改变。4.如权利要求3所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于,DX具有至少大于1500mm的固定值,DY具有至少大于900mm的固定值,TX和TY中至少一个被设置为大于8mm。5.如权利要求1所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于,满足DX2+DY2=D2的D至少大于1750mm。6.如权利要求1所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于:当第一栅格片材部的厚度为TZ1,第二栅格片材部的厚度为TZ2,单位掩模单元区域沿第一方向的焊珠数量为WX,沿第二方向的焊珠数量为WY时,第一栅格片材部的单位体积的焊珠数量为WV1=(WX
×
NX)/(TX
×
TZ1
×
DX),第二栅格片材部的单位体积的焊珠数量为WV2=(WX
×
NY)/(TY
×
TZ2
×
DY)。7.如权利要求6所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于,通过调高TZ1值来降低WV1值,或者通过调高TZ2值来降低WV2值,从而缩减基于焊接掩模单元片材部而产生的变形量。8.如权利要求1所述的框架的尺寸设置方法,其特征在于,当宽度TX和宽度TY的一侧端设置为0%,另一侧端设置为100%时,掩模单元片材部与掩模间的焊接在相当于宽度TX和宽度TY的25%至75%的部分进行。9.一种框架的变形量缩减方法,该框架用于由多个掩模及用于支撑掩模的框架一体形
成的框架一体型掩模,其特征在于,框架包括边缘框架部和掩模单元...

【专利技术属性】
技术研发人员:张泽龙李炳一
申请(专利权)人:悟劳茂材料公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1