包含用于有机电子元件的化合物的有机电子元件及其电子装置制造方法及图纸

技术编号:36820124 阅读:15 留言:0更新日期:2023-03-12 00:52
本发明专利技术提供了:有机电子元件,所述有机电子元件包括阳极、阴极以及位于所述阳极与所述阴极之间的有机材料层;以及包括所述有机电子元件的电子装置,其中所述有机材料层包含本发明专利技术的分别由式1和式2表示的化合物,因此能够降低所述有机电子元件的驱动电压并且改善所述有机电子元件的发光效率和使用寿命。有机电子元件的发光效率和使用寿命。有机电子元件的发光效率和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含用于有机电子元件的化合物的有机电子元件及其电子装置


[0001]本专利技术涉及使用用于有机电子元件的化合物的有机电子元件及其电子装置。

技术介绍

[0002]通常,有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转化为光能的现象。使用有机发光现象的有机电子元件通常具有包括阳极、阴极和插置在其间的有机材料层的结构。在此,为了增加有机电子元件的效率和稳定性,有机材料层通常由多层结构构成,所述多层结构由不同材料构成,并且例如可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。
[0003]用作有机电子元件中的有机材料层的材料可以根据其功能分为发光材料和电荷传输材料,例如空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。
[0004]在有机发光二极管中,最大的问题在于使用寿命和效率。随着显示器变大,必须解决效率和使用寿命问题。效率、使用寿命、驱动电压等彼此相关,随着效率增加,驱动电压相对降低,而随着驱动电压降低,由于驱动期间产生的焦耳加热导致的有机材料的结晶降低,因此使用寿命趋于增加。
[0005]然而,简单地改善有机材料层不能使效率最大化。这是因为,当实现各有机材料层之间的能级和T1值以及材料的固有性质(迁移率、界面特性等)的最佳组合时,才可以同时实现长寿命和高效率。
[0006]此外,近来,在有机电致发光装置中,为了解决空穴传输层中的发光问题,发光辅助层必须存在于空穴传输层与发光层之间,并且需要根据各个发光层(R、G、B)开发不同的发光辅助层。
[0007]通常,电子从电子传输层转移至发光层,并且空穴从空穴传输层转移至发光层,从而通过复合产生激子。
[0008]然而,用于空穴传输层的材料应具有低HOMO值,因此大多数具有低T1值。结果,在发光层中产生的激子转移至空穴传输层,导致发光层中的电荷不平衡,并且在空穴传输层的界面处发光。
[0009]当在空穴传输层的界面处发光时,有机电子元件的颜色纯度和效率降低,并且使用寿命缩短。因此,迫切需要开发具有高T1值并且具有在空穴传输层的HOMO能级与发光层的HOMO能级之间的HOMO能级的发光辅助层。
[0010]同时,有必要开发空穴注入层材料,其具有稳定的特性,即高玻璃化转变温度,抵抗在驱动元件时产生的焦耳热,同时延迟金属氧化物从阳极电极(ITO)渗透到有机层中,这是缩短有机电子元件的使用寿命的原因之一。空穴传输层材料的低玻璃化转变温度具有如下特征:当驱动装置时,薄膜表面的均匀性降低,据报道这对元件的使用寿命有很大影响。此外,OLED装置主要通过沉积方法形成,并且需要开发能够经受长时间沉积的材料,即,具有高耐热性特性的材料。
[0011]即,为了充分显示出有机电子元件的优异特性,用于在元件中形成有机材料层的材料(例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料、发光辅助层材料)应得到稳定且有效的材料的支持。然而,此类用于有机电子元件的稳定且有效的有机材料层材料还没有得到充分开发。因此,持续地需要开发新材料,并且迫切地需要开发用于空穴传输层或发光辅助层的材料。
[0012]KR020190038246 A用作参考的现有技术文献。

技术实现思路

[0013]本专利技术的目的在于提供包含能够降低元件的驱动电压并且改善元件的发光效率、颜色纯度、稳定性和使用寿命的化合物的有机电子元件及其电子装置。
[0014]技术方案
[0015]在一个方面,本专利技术提供了有机电子元件,所述有机电子元件包括阳极、阴极以及形成在所述阳极与所述阴极之间的有机材料层,其中所述有机材料层包括发光层和形成在所述发光层与所述阳极之间的空穴传输带层,其中所述空穴传输带层包含由式1表示的化合物,其中所述发光层提供包含由式2表示的化合物的有机电子元件。
[0016][0017]在另一方面,本专利技术提供了包括所述有机电子元件的电子装置。
[0018]专利技术效果
[0019]通过使用根据本专利技术的化合物,可以实现元件的高发光效率、低驱动电压和高耐热性,并且可以大幅改善元件的颜色纯度和使用寿命。
附图说明
[0020]图1至图3例示出根据本专利技术的有机电子元件的实例。
[0021]100、200、300:有机电子元件
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110:第一电极
[0022]120:空穴注入层
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130:空穴传输层
[0023]140:发光层
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150:电子传输层
[0024]160:电子注入层
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170:第二电极
[0025]180:光效率增强层
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210:缓冲层
[0026]220:发光辅助层
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320:第一空穴注入层
[0027]330:第一空穴传输层
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340:第一发光层
[0028]350:第一电子传输层
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360:第一电荷产生层
[0029]361:第二电荷产生层
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420:第二空穴注入层
[0030]430:第二空穴传输层
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440:第二发光层
[0031]450:第二电子传输层
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CGL:电荷产生层
[0032]ST1:第一堆叠体
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ST2:第二堆叠体
具体实施方式
[0033]在下文,将详细地描述本专利技术的一些实施方案。此外,在本专利技术的以下描述中,当在本文中并入已知功能和配置的详细描述可能使本专利技术的主题相当不清楚时,将省略该详细描述。
[0034]此外,当描述本专利技术的组件时,本文可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等术语。这些术语中的每一个不用于限定相应组件的实质、顺序或次序,而仅用于区分相应组件与其它组件。应注意,如果组件被描述为“连接”、“联接”或“连接”至另一个组件,则该组件可以直接连接或连接至其它组件,但在各组件之间可以“连接”、“联接”或“连接”另一个组件。
[0035]如说明书和所附权利要求书中使用,除非另外说明,否则以下是如下术语的含义。
[0036]除非另外说明,否则如本文使用的术语“卤代”或“卤素”包括氟、溴、氯或碘。
[0037]除非另外说明,否则如本文使用的术语“烷基”或“烷基基团”具有1个至60个碳原子的单键,并且意指饱和脂肪族官能团,包括直链烷基基团、支链烷基基团、环烷基基团(脂环族)、被烷基取代的环烷基基团或被环烷基取代的烷基基团。
[0038]除非另外说明,否则如本文使用的术语“烯基”或“炔基”具有2个至60个碳原子的双键或叁键,但不限于本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.有机电子元件,包括:阳极、阴极以及形成在所述阳极与所述阴极之间的有机材料层,其中所述有机材料层包括发光层和形成在所述发光层与所述阳极之间的空穴传输带层,其中所述空穴传输带层包含由式1表示的化合物,并且其中所述发光层包含由式2表示的化合物:其中:1)X是O、S或NR,但当X是NR时,i是0并且j是1,2)X1、X2和X3各自独立地是CR'或N,条件是X1、X2和X3中的至少两个是N,3)R1、R2、R3、R4、R和R'各自独立地彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢;氘;卤素;C1‑
C
60
烷基基团;C2‑
C
60
烯基基团;C2‑
C
60
炔基基团;C1‑
C
60
烷氧基基团;C6‑
C
60
芳氧基基团;C6‑
C
60
芳基基团;芴基基团;包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团;C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团;和

L'

NR
a
R
b
;或者如果a、b、c和d是2或更大,多个相邻的R1、或多个R2、或多个R3、或多个R4可以彼此键合以形成环,4)L'、L1、L2、L3、L4和L5各自独立地选自单键;C6‑
C
60
亚芳基基团;亚芴基基团;C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团;C2‑
C
60
杂环基团;5)其中R
a
和R
b
各自独立地选自C6‑
C
60
芳基基团;芴基基团;C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团;包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团;6)a、b、c和d各自独立地是0至4的整数,7)i和j独立地是0至2的整数,条件是i+j是1或更大的整数;8)Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6和Ar7各自独立地选自C1‑
C
60
烷基基团;C2‑
C
60
烯基基团;C2‑
C
60
炔基基团;C1‑
C
60
烷氧基基团;C6‑
C
60
芳氧基基团;C6‑
C
60
芳基基团;芴基基团;包含O、N、S、Si或P的至少一个杂原子的C2‑
C
60
杂环基团;以及C3‑
C
60
脂肪族环和C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团;替代地,Ar1和Ar2或Ar3和Ar4可以彼此键合以形成环,9)其中所述芳基基团、所述亚芳基基团、所述杂环基团、所述芴基基团、所述亚芴基基团、所述稠环基团、所述烷基基团、所述烯基基团、所述烷氧基基团和所述芳氧基基团可以被一个或多个取代基取代,所述取代基选自氘;卤素;硅烷基团;硅氧烷基团;硼基团;锗基团;氰基基团;硝基基团;C1‑
C
20
烷硫基基团;C1‑
C
20
烷氧基基团;C1‑
C
20
烷基基团;C2‑
C
20
烯基基团;C2‑
C
20
炔基基团;C6‑
C
20
芳基基团;被氘取代的C6‑
C
20
芳基基团;芴基基团;C2‑
C
20
杂环基团;C3‑
C
20
环烷基基团;C7‑
C
20
芳基烷基基团;和C8‑
C
20
芳基烯基基团;和

L'

NR
a
R
b
;此外,取代基可以彼此键合以形成饱和或不饱和环,其中术语“环”意指C3‑
C
60
脂肪族环或C6‑
C
60
芳香族环或C2‑
C
60
杂环基团或通过其组合而形成的稠环。2.如权利要求1所述的有机电子元件,其中所述由式1表示的化合物由式1

1至式1

7中
的任一种表示:的任一种表示:其中:1)X、R1、R2、R3、R4、a、b、c、d、L1、L2、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4与权利要求1中定义的相同,2)aa、bb、cc和dd各自独立地是0至3的整数,3)bb'和dd'各自独立地是0至2的整数。3.如权利要求1所述的有机电子元件,其中所述由式1表示的化合物由式1

8至式1

9中的任一种表示:其中R1、R2、R3、R4、a、b、c、d、L1、L2、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4、i和j与权利要求1中定义的相同。
4.如权利要求1所述的有机电子元件,其中式1中的Ar1至Ar4中的至少一个由式B

1表示:式B

1其中:1)V1和V2各自独立地是单键、NR5、CR6R7、O或S,2)R5、R6和R7与式1中的R1的定义相同,然而,R6和R7可以彼此键合以形成环,3)环A和环B各自独立地是取代或未取代的C6‑
C
20
芳基基团;或者取代或未取代的C4‑
C
20
杂环基团。5.如权利要求1所述的有机电子元件,其中所述由式1表示的化合物可以是以下化合物中的任一...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴钟光李南杰李善希文成允李光明
申请(专利权)人:德山新勒克斯有限公司
类型:发明
国别省市:

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