一种太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、掺杂导电层、本征多晶硅层、增强导电部和第一电极。基底具有第一表面；隧穿氧化层覆盖于第一表面；掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面；本征多晶硅层设置于掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧表面；增强导电部覆盖于本征多晶硅层远离掺杂导电层的一侧表面，至少部分的增强导电部与掺杂导电层相连接；多个第一电极设置于所述增强导电部远离本征多晶硅层的一侧，每个第一电极的至少部分位于增强导电部内，以通过增强导电部与掺杂导电层电连接。载流子能够直接通过增强导电部在掺杂导电层与第一电极之间传输，增强载流子的传输能力，提高了太阳能电池的电池效率。电池的电池效率。电池的电池效率。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池能够将太阳辐射能直接转换为电能，通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层，以增强对基底的钝化效果。现有技术中，太阳能电池的电极与掺杂导电层之间的电连接不够可靠，载流子在二者之间的传输不畅，影响了太阳能电池的光电转化效率。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的光电转换效率。
[0004]本申请第一方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
[0005]基底，所述基底具有第一表面；
[0006]隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面；
[0007]掺杂导电层，所述掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面；
[0008]本征多晶硅层，所述本征多晶硅层设置于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；
[0009]增强导电部，所述增强导电部覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面，至少部分的所述增强导电部与所述掺杂导电层相连接；
[0010]第一电极，多个所述第一电极设置于所述增强导电部远离所述本征多晶硅层的一侧，每个所述第一电极的至少部分位于所述增强导电部内，以通过所述增强导电部与所述掺杂导电层电连接。
[0011]在一种可能的设计中，所述增强导电部包括相连接的增强导电膜和增强导电桩，所述增强导电膜覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面；沿所述太阳能电池的厚度方向，所述增强导电桩的两端分别与所述掺杂导电层和所述增强导电膜相连接。
[0012]在一种可能的设计中，所述增强导电膜的电导率和所述增强导电桩的电导率均大于所述掺杂导电层的电导率。
[0013]在一种可能的设计中，所述增强导电膜的厚度D1满足：1nm≤D1≤40nm。
[0014]在一种可能的设计中，所述增强导电膜的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
[0015]在一种可能的设计中，所述增强导电桩的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。
[0016]在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层覆盖于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层一侧的全部表面。
[0017]在一种可能的设计中，所述增强导电桩形成于所述本征多晶硅层内；所述增强导电桩贯穿所述本征多晶硅层，以与所述掺杂导电层和所述增强导电膜连接。
[0018]在一种可能的设计中，所述掺杂导电层与所述增强导电膜具有相同导电类型的掺杂元素，且所述增强导电膜的掺杂浓度大于所述掺杂导电层的掺杂浓度；所述增强导电膜中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层的方向渗透，以形成所述增强导电桩。
[0019]在一种可能的设计中，所述掺杂导电层中所述掺杂元素的浓度为1
×
10
18
atoms/cm3～5
×
10
21
atoms/cm3。
[0020]在一种可能的设计中，所述增强导电膜中所述掺杂元素的浓度为5
×
10
18
atoms/cm3～1
×
10
22
atoms/cm3。
[0021]在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层包括多个覆盖部，所述覆盖部用于覆盖所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；多个所述覆盖部分别覆盖于所述掺杂导电层上与多个所述第一电极相对应的部位。
[0022]在一种可能的设计中，所述增强导电桩位于相邻的两个覆盖部之间，并与所述覆盖部的侧面接触。
[0023]在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域，所述局部掺杂区域分别与所述第一电极、所述本征多晶硅层和所述掺杂导电层相连接，以使所述第一电极与所述掺杂导电层电连接。
[0024]在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于所述增强导电膜远离所述本征多晶硅层的一侧表面。
[0025]在一种可能的设计中，所述基底还具有与所述第一表面相对设置的第二表面；
[0026]所述太阳能电池还包括：
[0027]发射极，所述发射极设置于所述第二表面；
[0028]第二电极，多个所述第二电极设置于所述发射极远离所述基底的一侧，多个所述第二电极与所述发射极电连接；
[0029]第二钝化层，所述第二钝化层覆盖于所述发射极远离所述基底的一侧表面。
[0030]本申请第二方面提供一种光伏组件，所述光伏组件包括：
[0031]电池串，所述电池串由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为以上所述的太阳能电池；
[0032]封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
[0033]盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0034]本申请中，通过设置增强导电部能够实现掺杂导电层与第一电极之间的电连接，使得载流子能够直接通过增强导电部在掺杂导电层与第一电极之间传输，增强了载流子的传输能力，降低了太阳能电池的串联电阻，从而提高了太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。
[0035]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0036]图1为本申请所提供的太阳能电池在第一种具体实施例中的剖面结构示意图；
也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0069]应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0070]需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
[0071]现有技术中，制备太阳能电池时，会在基底的一侧表面设置隧穿氧化层和掺杂导电层，隧穿氧化层能够作为多数载流子的隧穿层，同时对基底表面进行化学钝化，减少界面态。掺杂导电层能够形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少复合损失，保证了载流子的传输效率。此外，还会在基底表面制备金属电极，金属电极与掺杂导电层电连接，且不穿透隧穿氧化层，以保持良好的界面钝化效果。其中，掺杂导电层具有吸光能力，会造成一定的光学损失而使得太阳能电池的正面电池和背面电池效率降低，进而使得电池双面率下降，导致太阳能电池用于双面发电功能时，双面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：基底(1)，所述基底(1)具有第一表面(1a)；隧穿氧化层(2)，所述隧穿氧化层(2)覆盖于所述第一表面(1a)；掺杂导电层(3)，所述掺杂导电层(3)覆盖于所述隧穿氧化层(2)远离所述基底(1)的一侧表面；本征多晶硅层(4)，所述本征多晶硅层(4)设置于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面；增强导电部(5)，所述增强导电部(5)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面，至少部分的所述增强导电部(5)与所述掺杂导电层(3)相连接；第一电极(6)，多个所述第一电极(6)设置于所述增强导电部(5)远离所述本征多晶硅层(4)的一侧，每个所述第一电极(6)的至少部分位于所述增强导电部(5)内，以通过所述增强导电部(5)与所述掺杂导电层(3)电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电部(5)包括相连接的增强导电膜(51)和增强导电桩(52)，所述增强导电膜(51)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面；沿所述太阳能电池的厚度方向，所述增强导电桩(52)的两端分别与所述掺杂导电层(3)和所述增强导电膜(51)相连接。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)的电导率和所述增强导电桩(52)的电导率均大于所述掺杂导电层(3)的电导率。4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)的厚度D1满足：1nm≤D1≤40nm。5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电膜(51)的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。6.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电桩(52)的材料为金属导电物、半导体材料、无机复合导电材料、高分子电介质中的一种或多种。7.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)覆盖于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)一侧的全部表面。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述增强导电桩(52)形成于所述本征多晶硅层(4)内；所述增强导电桩(52)贯穿所述本征多晶硅层4，以与所述掺杂导电层(3)和所述增强导电膜(51)连接。9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层(3)与所述增强导电膜(51)具有相同导电类型的掺杂元素，且所述增强导电膜(51)的掺杂浓度大于所述掺杂导电层(3)的掺杂浓度；所述增强导电膜(51)中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层(3)的方向渗透，以形成所述增强导电桩(52)。10.根据权利要求9所述的太阳能电池，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张临安，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：