显示器件制造技术

根据本发明专利技术的显示器件包括：用来在在晶体管的栅电极等与数据线、漏电极等之间形成隔离的整平层；以及形成在整平层的上表面或下表面上且同时用来抑制来自整平层的潮气或放气组分的扩散的势垒层。此显示器件采用了一种器件结构，此器件结构借助于在整平层与势垒层之间创造一种位置关系而能够有效降低对整平层的等离子体损伤。而且，与新颖结构组合作为象素电极的结构，还能够提供诸如提高亮度之类的效果。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于涉及显示器件的
，其中半导体器件(典型为晶体管)被用作器件，特别是以电致发光显示器件为代表的发光器件，并属于涉及在图象显示部分中配备有显示器件的电器的

技术介绍
近年来，其中晶体管(特别是薄膜晶体管)被集成在衬底上的液晶显示器件和电致发光显示器件的开发已经取得了进展。这种显示器件的特征分别在于用成膜技术将晶体管制作在玻璃衬底上，且这样制作的晶体管被排列在各安置在矩阵中的象素中并使之用作图象显示的显示器件。对显示器件中执行图象显示的区域(以下称为象素部分)所要求的各种指标都是可能的。但其例子如下确保大量点和高分辨率；各个象素中的有效显示区大并能够显示明亮的图象；以及象素部分不包含可能在其整体中诱导点缺陷或线缺陷的缺陷。为了达到这些指标，不仅安置在各个象素中的晶体管的性能应该令人满意，而且需要一种在通过稳定的工艺来提高成品率的情况下制作晶体管的技术。而且，在电致发光显示器件中的有机电致发光显示器件中，有机化合物被用作发光元件作为发光源。因此，在确保其可靠性方面极其需要一种抑制有机化合物退化的措施。换言之，为了得到高度可靠的显示器件，必须不仅注意器件制造过程中积累的损伤的影响，而且还要注意这些积累损伤引起的随时间推移的后续退化。在上述的开发情况下，本专利技术的申请人在目前条件下最关心诸如由腐蚀工艺中等离子体对绝缘膜的积累损伤造成的晶体管阈值电压的变化和偏移之类的问题。
技术实现思路
考虑到上述问题而提出了本专利技术，本专利技术的目的是提供一种能够降低显示器件制造工艺中等离子体损伤的影响的器件结构。而且，本专利技术的另一目的是提供一种借助于降低等离子体损伤的影响来抑制晶体管阈值电压变化而得到的具有均匀显示特性(以下称为相邻象素之间亮度变化和退化程度小的显示特性)的显示器件。本专利技术涉及到一种显示器件，其特征是包括下列结构作为能够解决上述问题的器件结构。注意，此处定义的发光元件指的是这样一种元件，其中发光部分(指的是借助于层叠发光层、载流子注入层、载流子输运层、载流子阻挡层、以及诸如有机或无机化合物之类的发光所需的其它部件而得到的叠层)被提供在一对电极(阳极和阴极)之间。例如，电致发光元件被包括在发光元件的分类中。(1)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶体管包括由半导体形成的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；通过栅绝缘膜面对有源层的栅电极；形成在有源层上的势垒层；形成在势垒层上的整平层；以及形成在整平层上的漏电极，发光元件包括与整平层上的漏电极的上表面接触连接的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，且通过形成在栅绝缘膜和势垒层中的第一窗口以及形成在整平层中的第二窗口，漏电极与有源层连接。注意，本专利技术的整平层可以由用溅射、等离子体CVD、低压热CVD、或甩涂方法形成的无机绝缘膜或有机树脂膜形成。而且，当整平层用溅射，等离子体CVD、或低压热CVD方法形成时，在使用之前，其表面可以被抛光(包括机械或化学作用或其组合作用的抛光)。利用整平层，能够匀平形成在整平层上的第一电极的表面，并能够防止发光元件(EL元件)短路。而且，借助于在其上提供势垒层，能够阻挡来自EL元件的杂质扩散以保护TFT，还能够避免从有机绝缘膜放气。而且，借助于在靠近TFT有源层的部分中形成势垒层，阻挡了来自EL元件的杂质扩散，从而有效地保护了TFT。(2)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶体管包括由半导体形成的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；通过栅绝缘膜面对有源层的栅电极；形成在有源层上的整平层；形成在整平层上的势垒层；以及形成在势垒层上的漏电极，发光元件包括与整平层上的漏电极的上表面接触连接的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，通过形成在栅绝缘膜和势垒层中的第一窗口以及形成在整平层中的第二窗口，漏电极与有源层连接，且势垒层覆盖整平层的上表面和形成在整平层中的第二窗口的侧表面。而且，根据(2)所述的结构，形成了势垒层，从而在腐蚀第一电极和漏电极的过程中防止了整平层被腐蚀。而且，借助于用势垒层覆盖整平层，避免了杂质从整平层扩散到发光元件。(3)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶体管包括由半导体形成的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；通过栅绝缘膜面对有源层的栅电极；形成在有源层上的整平层；形成在整平层上的势垒层；以及形成在势垒层上的漏电极，发光元件包括 与整平层上的漏电极的上表面接触连接的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，通过形成在栅绝缘膜、整平层、以及势垒层中的窗口，漏电极与有源层连接，且势垒层覆盖整平层的上表面。而且，根据(3)所述的结构，通过利用相同的掩模的腐蚀，来形成形成在栅绝缘膜、整平层、以及势垒层中的窗口，从而能够用比(1)或(2)中结构更少的掩模来形成。(4)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶体管包括由半导体形成的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；通过栅绝缘膜面对有源层的栅电极；形成在有源层上的势垒层；形成在势垒层上的整平层；以及形成在整平层上的漏电极，发光元件包括与整平层上的漏电极的下表面接触连接的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，且通过形成在栅绝缘膜和势垒层中的第一窗口以及形成在整平层中的第二窗口，漏电极与有源层连接。(5)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶体管包括由半导体形成的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；通过栅绝缘膜面对有源层的栅电极； 形成在有源层上的整平层；形成在整平层上的势垒层；以及形成在势垒层上的漏电极，发光元件包括与整平层上的漏电极的下表面接触连接的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，通过形成在栅绝缘膜和势垒层中的第一窗口以及形成在整平层中的第二窗口，漏电极与有源层连接，且势垒层覆盖整平层的上表面以及形成在整平层中的第二窗口的侧表面。(6)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶体管包括由半导体形成的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；通过栅绝缘膜面对有源层的栅电极；形成在有源层上的整平层；形成在整平层上的势垒层；以及形成在势垒层上的漏电极，发光元件包括与整平层上的漏电极的下表面接触连接的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，通过形成在栅绝缘膜、整平层、以及势垒层中的窗口，漏电极与有源层连接，且势垒层覆盖整平层的上表面。而且，根据(4)、(5)、(6)所述的结构，在形成象素电极之后来形成漏电极，致使此结构能够被用于漏电极具有大的膜厚的情况。当在形成漏电极之后形成时，象素电极需要部分地重叠漏电极。当漏电极具有大的膜厚时，恐怕会在象素电极中出现诸如台阶状断裂之类的覆盖失误。(7)根据本专利技术的显示器件包括制作在衬底表面上的晶体管；以及与晶体管连接的发光元件，此晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件，它包含：制作在衬底上的晶体管；以及与晶体管电连接的发光元件，此晶体管包含：包含半导体的有源层；与有源层接触形成的栅绝缘膜；邻近有源层的栅电极，以栅绝缘膜插入其间；形成在有源层上的势垒层；形成在势垒层 上的整平层；以及形成在整平层上的漏电极，发光元件包含：与整平层上的漏电极的上表面接触的象素电极；与象素电极接触形成的发光部分；以及通过发光部分面对象素电极的反电极，且其中，通过形成在栅绝缘膜和势垒层中的第一窗口以及形 成在整平层中的第二窗口而与有源层电连接的漏电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，村上智史，纳光明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]