显示器件制造技术

一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ／２的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到显示器件，更确切地说是涉及到具有改进了的视角特性的自发光显示器件。
技术介绍
利用来自电致发光元件(发光元件)的光发射的发光器件作为具有广阔视角和低功耗的显示器件，已经受到了注意。作为主要用于图象显示的发光器件的驱动方法，存在着有源矩阵驱动方法和无源矩阵驱动方法。至于采用有源矩阵驱动方法的发光器件，能够在各个象素中控制发光元件的发射/不发射等。因此，能够以低于无源矩阵发光器件的功耗被驱动。于是，发光器件能够被适当地安装作为诸如便携式电话以及大屏幕电视接收机之类的小型电子器具的显示部分。在有源矩阵发光器件中，为各个发光元件提供了用来控制各个发光元件的驱动的电路。此电路和发光元件被提供在衬底上，使向外发射的光不被电路阻挡。此外，在重叠发光元件的部分中，透光的绝缘膜被提供在叠层中，光通过其中行进而被向外发射。这种绝缘膜被用来形成诸如晶体管和电容器之类的作为主要电路组成部分的电路元件，或布线。当光通过层叠的绝缘膜行进时，可能存在着各个层之间的界面上反射的光由于各个绝缘膜的折射率差异而彼此干涉(称为多干涉)的情况。结果，发射谱就依赖于从发射侧观察的角度而改变，导致不良的视角特性。例如，专利文献1公开了一种响应于可见度和视角特性由于发光元件发射的光通过其中行进的各个层的折射率差异而退化的问题所提出的一种发光器件。借助于确定各个层之间的折射率关系，此发光器件能够避免这种问题。日本专利公开No.2003-133062专利文献2公开了一种作为显示元件的发光元件，它是响应于视角特性在具有由电极和发光层构成的谐振结构的发光元件中退化的问题而提出的。借助于改善谐振结构，此发光元件能够解决这一问题。日本专利公开No.2002-367770但在专利文献1的结构中，由于折射率对于各种材料是一个本征数值，故要选择能够满足所需折射率以及各个层诸如绝缘性质和钝化性质之类的功能二者的材料，是相当困难的。此外，在专利文献2的结构中，仅仅集中注意到了由面对的电极和插入在其间的有机层构成的发光元件。因此，在诸如光除了通过发光元件之外还通过多个层向外发射的有源矩阵发光器件之类的发光器件中，存在着视角特性退化无法被充分地抑制的可能性。
技术实现思路
考虑到上述情况，本专利技术的主要目的是提供一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种显示器件，它具有其上制作薄膜晶体管和发光元件的衬底。多个光学层被形成在衬底与发光元件之间，这些光学层包括折射率为n1的层、折射率为n2的层、以及折射率为n3的层组成的相继层叠的层。n1、n2、n3满足下列关系n1＜n2＞n3或n1＞n2＜n3，且根据发光元件发射的光的中心波长为入的假设，折射率为n2的层的光学厚度基本上等于λ/2的整数倍。周来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在透光衬底上的第一基底绝缘膜；形成在第一基底绝缘膜上的第二基底绝缘膜；以及形成在第二基底绝缘膜上的包括半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管。此外，本专利技术的显示器件包含覆盖薄膜晶体管而形成的第一绝缘膜；覆盖第一绝缘膜而形成的第二绝缘膜；形成在第二绝缘膜上且通过接触孔电连接到半导体层的布线；以及电连接到布线的发光元件。衬底侧上发光元件的电极透光，第一基底绝缘膜由折射率比衬底和与第一基底绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成，且第一绝缘膜由折射率比与第一绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成。此外，根据发光元件发射的光的中心波长为λ的假设，第一基底绝缘膜和第一绝缘膜的每一光学厚度基本上等于λ/2的整数倍。用来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在透光衬底上的第一基底绝缘膜；形成在第一基底绝缘膜上的第二基底绝缘膜；以及形成在第二基底绝缘膜上的包括半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管。此外，本专利技术的显示器件包含覆盖薄膜晶体管而形成的第一绝缘膜；覆盖第一绝缘膜而形成的第二绝缘膜；形成在第二绝缘膜上且通过接触孔电连接到半导体层的布线；以及电连接到布线的发光元件。衬底侧上发光元件的电极透光，第一基底绝缘膜由折射率比衬底和与第一基底绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成，且第一绝缘膜由折射率比与第一绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成。此外，根据发光元件发射的光的中心波长为λ，第二基底绝缘膜和栅绝缘膜的总光学厚度为L1，第一基底绝缘膜和第一绝缘膜的各个光学厚度为L2，且m是不小于1的整数的假设，基本上满足L1＝-L2+(2m-1)λ/4。用来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在透光衬底上的第一基底绝缘膜；形成在第一基底绝缘膜上的第二基底绝缘膜；以及形成在第二基底绝缘膜上的包括半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管。此外，本专利技术的显示器件包含覆盖薄膜晶体管而形成的第一绝缘膜；覆盖第一绝缘膜而形成的第二绝缘膜；通过接触孔电连接到半导体层的布线；以及电连接到布线的发光元件。衬底侧上发光元件的电极透光，且各个第一基底绝缘膜和第一绝缘膜由包含氮化硅作为其主要组分的材料组成，而第二基底绝缘膜和栅绝缘膜由包含氧化硅作为其主要组分的材料组成。此外，第一基底绝缘膜的物理厚度在120-162nm范围内，第一绝缘膜的物理厚度在120-162nm范围内，且栅绝缘膜和第二基底绝缘膜的总物理厚度在132-198nm范围内。用来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在透光衬底上的第一基底绝缘膜；形成在第一基底绝缘膜上的第二基底绝缘膜；以及形成在第二基底绝缘膜上的包括半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管。此外，本专利技术的显示器件包含覆盖薄膜晶体管而形成的绝缘膜；形成在绝缘膜上且通过接触孔电连接到半导体层的布线；以及电连接到布线的发光元件。衬底侧上发光元件的电极透光，且第一基底绝缘膜由折射率比衬底和与第一基底绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成。此外，根据发光元件发射的光的中心波长为λ的假设，第一基底绝缘膜的光学厚度基本上等于λ/2的整数倍。用来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在衬底上的基底绝缘膜；以及形成在基底绝缘膜上的包括半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管。此外，本专利技术的显示器件包含覆盖薄膜晶体管而形成的第一绝缘膜；覆盖第一绝缘膜而形成的第二绝缘膜；形成在第二绝缘膜上且通过接触孔电连接到半导体层的布线；以及电连接到布线的发光元件。衬底侧上发光元件的电极透光，基底绝缘膜由折射率比衬底和与基底绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成，且第一绝缘膜由折射率比与第一绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成。此外，根据发光元件发射的光的中心波长为λ的假设，基底绝缘膜和第一绝缘膜的各光学厚度基本上等于λ/2的整数倍。用来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在衬底上的基底绝缘膜；以及形成在基底绝缘膜上的包括半导体层、栅绝缘膜、栅电极的薄膜晶体管。此外，本专利技术的显示器件包含覆盖薄膜晶体管而形成的绝缘膜；形成在绝缘膜上且通过接触孔电连接到半导体层的布线；以及电连接到布线的发光元件。衬底侧上发光元件的电极透光，且基底绝缘膜由折射率比衬底和与基底绝缘膜接触的各个膜更大或更小的材料组成。此外，根据发光元件发射的光的中心波长为λ的假设，基底绝缘膜的光学厚度基本上等于λ/2的整数倍。用来解决上述问题的本专利技术的显示器件包含形成在衬底上的基底绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件，它包含：衬底；形成在衬底上的薄膜晶体管；形成在衬底上的发光元件；以及形成在衬底与发光元件之间的光学上的多个层，它包括：折射率为ｎ１的第一层，第一层上折射率为ｎ２的第二层，以及 第二层上折射率为ｎ３的第三层，其中，ｎ１＜ｎ２＞ｎ３，其中，第二层的光学厚度基本上等于λ／２的整数倍，且其中，从发光元件发射的光的中心波长为λ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：乡户宏充，松原友惠，坂仓真之，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]