半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施方式提供提高了栅极焊盘的密合性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备硅基板、第1层、第2层、阻挡金属和栅极焊盘。上述第1层由上述硅基板上所具备的氧化膜形成。上述第2层是在上述第1层的上表面中至少选择性地具有凹凸部的层，上述凹凸部具有比在以平面状形成该层的情况下产生的凹凸深的凹凸。上述阻挡金属在上述第2层2的上表面按照上述凹凸部的形状而形成。上述栅极焊盘介由上述阻挡金属与上述硅基板密合。由上述阻挡金属与上述硅基板密合。由上述阻挡金属与上述硅基板密合。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]关联申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2021
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153436号(申请日：2021年9月21日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)作为功率器件而车载用、电车用、或在产业设备等中作为开关元件等被广泛使用。该IGBT在形成漂移、集电极等的硅基板上形成氧化膜、层间膜等，在其上部介由阻挡金属形成用于施加栅极电压的栅极焊盘。如果仅单纯地在阻挡金属上具备栅极焊盘，则栅极焊盘经常从金属剥离。为了应对其，有通过在层间膜中形成多晶硅、并在该多晶硅与阻挡金属的界面处形成硅化物来提高密合性的技术，但即使是该情况下，密合性有时也不充分。因此，期望技术的进一步提高。

技术实现思路

[0005]一实施方式提供提高了栅极焊盘的密合性的半导体装置及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具备：硅基板；第1层，其由所述硅基板的上表面所具备的氧化膜形成；第2层，其是在所述第1层的上表面中至少选择性地具有凹凸部的层，所述凹凸部具有比在以平面状形成该层的情况下产生的凹凸深的凹凸；阻挡金属，其在所述第2层的上表面按照所述凹凸部的形状而形成；和栅极焊盘，其介由所述阻挡金属与所述硅基板密合。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其为IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)、或MOSFET(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管)。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第2层具备：多晶硅，其选择性地形成于所述第1层的上表面；和层间膜，其至少形成于所述第1层的上表面的未形成所述多晶硅的区域中，所述凹凸部在所述多晶硅的上表面中形成。4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第2层具备：多晶硅，其选择性地形成于所述第1层的上表面；和层间膜，其至少形成于所述第1层的上表面的未形成所述多晶硅的区域中，所述凹凸部通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上绘美子，西川幸江，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：