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本发明实施方式提供提高了栅极焊盘的密合性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备硅基板、第1层、第2层、阻挡金属和栅极焊盘。上述第1层由上述硅基板上所具备的氧化膜形成。上述第2层是在上述第1层的上表面中至少选择性地具有凹凸部的层，...
该专利属于东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。

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