一种NORFlash器件低压区栅氧化层的制备方法技术

本发明专利技术提供一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法，包括提供衬底，该衬底包括高压区和低压区；利用炉管工艺在衬底上形成栅氧化层；利用光刻工艺刻蚀位于低压区的栅氧化层，直至暴露出低压区的衬底表面；通入气体，对低压区衬底进行氧化处理以形成第一氧化层；对低压区衬底进行预清洗；利用炉管工艺在衬底上形成第二氧化层，由所述第一氧化层和所述第二氧化层共同构成所述低压区栅氧化层。本发明专利技术解决了现有NOR Flash器件由于低压区栅氧化层薄导致的TDDB易发生、电流隧穿效应加重、栅氧化层可靠性降低的问题，达到了增加NOR Flash器件低压区栅氧化层的厚度的目的，改善了NOR Flash低压区器件的可靠性，提高了器件寿命。提高了器件寿命。提高了器件寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法。

技术介绍

[0002]55nm或非型(NOR)闪存(Flash)器件低压区(LV)栅氧化层的厚度与低压器件寿命及可靠性密切相关。栅氧化层的厚度太薄，会导致电场强度增加，进而使经时击穿TDDB(time
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dependent dielectric breakdown，时间相关电介质击穿)更容易发生，从而缩短器件寿命，并且薄的栅氧化层会加重电流隧穿效应并降低氧化层可靠性。
[0003]现有技术中，若采用炉管工艺加厚低压区域栅氧化层，那么随着低压区域栅氧化层厚度的增加，高压(HV)区域栅氧化层的厚度也会随之增加，进而影响高压区域的器件性能。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法，用以增加NOR Flash器件低压区栅氧化层的厚度。
[0005]本专利技术提供一种NOR Flash器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底包括高压区和低压区；步骤二、利用炉管工艺在所述衬底上形成栅氧化层；步骤三、利用光刻工艺刻蚀位于低压区的所述栅氧化层，直至暴露出低压区的衬底表面；步骤四、通入气体，对低压区衬底进行氧化处理以形成第一氧化层；步骤五、对所述低压区衬底表面进行预清洗；步骤六、利用炉管工艺在所述衬底上形成第二氧化层，由所述第一氧化层和所述第二氧化层共同构成所述低压区栅氧化层。2.根据权利要求1所述的NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛立平，申红杰，杜怡行，王虎，顾林，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：