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本发明提供一种NOR Flash器件低压区栅氧化层的制备方法，包括提供衬底，该衬底包括高压区和低压区；利用炉管工艺在衬底上形成栅氧化层；利用光刻工艺刻蚀位于低压区的栅氧化层，直至暴露出低压区的衬底表面；通入气体，对低压区衬底进行氧化处理以形...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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