【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
[0001]本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum
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dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
[0003]随着显示技术的发展，消费者对显示产品显示效果的要求越来越高，极窄边框成为显示产品发展的新趋势，因此边框的窄化甚至无边框设计在显示产品设计中越来越受到重视。经本申请专利技术人研究发现，现有封装结构层的制备工艺在很大程度上制约了边框的窄化设计。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括显示区域和位于所述显示区域至少一侧的边缘区域；在垂直于所述显示基板的平面内，所述边缘区域包括基底、设置在所述基底上的边缘结构层以及设置在所述边缘结构层远离所述基底一侧的边缘封装层，所述边缘封装层包括叠设的无机材料的第一封装层、有机材料的第二封装层和无机材料的第三封装层；所述第二封装层包括靠近所述显示区域一侧的平直段和远离所述显示区域一侧的过渡段，所述平直段的第二封装层具有第一厚度，所述过渡段的第二封装层的厚度从所述第一厚度减少到0；所述过渡段的长度小于或等于100μm，所述长度为远离所述显示区域方向的尺寸。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述过渡段的长度小于或等于50μm。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述平直段中，所述第二封装层的最大厚度与所述第二封装层的最小厚度之差小于或等于所述第一厚度的10％。4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述过渡段远离所述显示区域的端部为通过图案化工艺形成的坡面结构。5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述过渡段远离所述显示区域的端部为通过图案化工艺形成的台阶结构。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述台阶结构至少包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶位于所述过渡段远离所述显示区域的一侧，所述第二台阶位于所述第一台阶靠近所述显示区域的一侧，所述第一台阶远离所述基底的表面与所述基底之间的距离小于所述第二台阶远离所述基底的表面与所述基底之间的距离。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一厚度为4μm到8μm，所述第一台阶的厚度为2μm到4μm，所述第二台阶的厚度为2μm到4μm。8.根据权利要求1至7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述边缘区域包括沿着远离所述显示区域方向依次设置的封装区和密封区；所述第一封装层设置在所述边缘结构层远离所述基底的一侧，所述第一封装层包括第一包覆段和第一密封段，所述第一包覆段位于所述封装区，所述第一密封段位于所述密封区；所述第二封装层设置在所述第一包覆段远离所述基底的一侧；所述第三封装层包括第二包覆段和第二密封段，所述第二包覆段设置在所述第二封装层远离所述基底的一侧，所述第二密封段设置在所述第一密封段远离所述基底的一侧。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一密封段远离所述显示区域一侧的端部与所述第二密封段远离所述显示区域一侧的端部平齐。10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第一密封段和第二密封段远离所述基底一侧的表面为平坦表面。11.根据权利要求1至7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述边缘结构层包括设置在所述基底上的复合绝缘层和设置在所述复合绝缘层远离所述基底一侧的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王领然，宋江，蒋志亮，颜俊，赵二瑾，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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