封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:36958040 阅读:55 留言:0更新日期:2023-03-22 19:18
本申请提供一种封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置,所述封装材料在傅里叶红外吸收谱图中,波数为1500cm

【技术实现步骤摘要】
封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]由于OLED显示装置具有自发光、亮度高、画质好和能耗低等优点,已经成为显示
的主流发展方向。OLED显示装置需要使用TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)进行像素驱动,在相关技术中,大尺寸OLED显示装置主要使用氧化物TFT进行驱动,但是包括氧化物TFT的显示装置,其显示面板在使用过程中容易发生TFT阈值电压漂移导致的OLED显示装置显示白斑亮度不均问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,本申请的目的在于提出一种封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置,以克服或者至少部分地解决包括氧化物TFT的显示装置,其显示面板在使用过程中容易产生OLED显示装置显示白斑亮度不均问题。
[0004]基于上述目的,本申请第一方面提供了封装材料,所述封装材料在傅里叶红外吸收谱图中波数为1500cm
‑1至3500cm
‑1范围内的吸收峰积分面积占波数为500cm
‑1至3500cm
‑1范围内全部吸收峰积分面积的比例小于等于3%。
[0005]可选的,所述封装材料为硅氧化合物,且所述硅氧化合物中的硅氧键的数量占所述硅氧化合物中化学键总数量的比例大于等于97%。
[0006]基于同一专利技术构思,本申请第二方面提供了封装膜层,包括如第一方面所述的封装材料。
[0007]基于同一专利技术构思,本申请第三方面提供了显示面板,包括发光层和至少覆盖所述发光层发光侧的封装层,所述封装层朝向所述发光层一侧为如第二方面所述的封装膜层。
[0008]可选的,所述封装层包括第一封装膜层和第二封装膜层,所述第一封装膜层包覆所述发光层,所述第二封装膜层设置于所述第一封装膜层远离所述发光层的一侧,且所述第二封装膜层的水汽透过率小于所述第一封装膜层的水汽透过率。
[0009]可选的,所述第二封装膜层的水汽透过率小于0.001克每平方米每天。
[0010]可选的,所述第一封装膜层的厚度大于等于0.3微米。
[0011]可选的,所述第二封装膜层的厚度小于等于1微米。
[0012]可选的,所述显示面板还包括基板,所述发光层设置于所述基板的第一侧,所述第二封装层包覆所述第一封装层;所述基板的第一侧还设有围绕所述发光层的第一阻挡坝,所述第一阻挡坝的顶部设置有盖板,所述盖板、所述第一阻挡坝和所述基板围成的空间内设置有填充物封装层。
[0013]基于同一专利技术构思,本申请第四方面提供了显示装置,包括如第三方面所述的显
示面板。
[0014]从上面所述可以看出,本申请提供的封装材料、封装膜层、显示面板和显示装置,通过高温高湿储存试验和傅里叶红外光谱分析,确定当封装材料在傅里叶红外吸收谱图中波数为1500cm
‑1至3500cm
‑1范围内的吸收峰积分面积占波数为500cm
‑1至3500cm
‑1范围内全部吸收峰积分面积的比例小于等于3%时,能够减少该封装材料所形成的封装层对氧化物TFT产生不良影响,从而降低TFT的阈值电压Vth发生负向漂移的可能,进而避免显示装置产生显示不良问题。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为氧化物TFT显示面板出现显示亮度不均的示意图;
[0017]图2为亮度不均所在位置的氧化物TFT阈值电压Vth的数值曲线图示意图;
[0018]图3为氧化物TFT阈值电压Vth负漂移及显示面板出现白斑亮度不均而产生的像素收缩的不良示意图;
[0019]图4为三种封装材料的傅里叶红外吸收谱图;
[0020]图5为本申请实施例的显示面板的示意图。
[0021]附图标记说明:
[0022]1、封装层;101、第一封装膜层;102、第二封装膜层;2、发光层;3、填充物封装层;4、盖板;5、第一阻挡坝;6、基板;601、第一侧。
具体实施方式
[0023]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本申请进一步详细说明。
[0024]应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
[0025]同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
[0026]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,绝不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
[0027]需要说明的是,除非另外定义,本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位
置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0028]显示面板之所以会出现亮度不均白斑,是由于氧化物TFT的阈值电压Vth发生负向漂移,导致电流增加,从而使得显示面板局部变亮。申请人经过研究发现,氧化物TFT的阈值电压Vth发生负向漂移的原因是由于氧化物TFT中的沟道层与显示面板的封装层之间产生反应,使得沟道的迁移率增加。
[0029]如图1示出了氧化物TFT显示面板出现白斑的示意图。图2示出了白斑所在位置的氧化物TFT阈值电压Vth的数值曲线示意图,由该曲线可以看出氧化物TFT白斑处的阈值电压Vth相比于非白斑处(即白斑外圈以外的部分)的阈值电压Vth较低,且越靠近白斑中心位置,阈值电压Vth就越低,即白斑内圈的阈值电压Vth小于白斑中圈的阈值电压Vth小于白斑外圈的阈值电压Vth。图3示出了由于氧化物TFT阈值电压Vth负漂移及显示面板出现白斑而产生的像素收缩的不良示意图,像素收缩位置如图中虚线圆框所示。
[0030]为了防止发生上述不良,需要对封装层所采用封装材料进行限定。
[0031]有鉴于此,本申请实施例提供了一种封装材料,所述封装材料在傅里叶红外吸收谱图中波数为1500cm
‑1至3500cm
‑1范围内的吸收峰积分面积占波数为500cm
‑1至3500cm
‑1范本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装材料,其特征在于,所述封装材料在傅里叶红外吸收谱图中波数为1500cm
‑1至3500cm
‑1范围内的吸收峰积分面积占波数为500cm
‑1至3500cm
‑1范围内全部吸收峰积分面积的比例小于等于3%。2.根据权利要求1所述的封装材料,其特征在于,所述封装材料为硅氧化合物,且所述硅氧化合物中的硅氧键的数量占所述硅氧化合物中化学键总数量的比例大于等于97%。3.一种封装膜层,其特征在于,包括如权利要求1

2任一项所述的封装材料。4.一种显示面板,其特征在于,包括发光层和至少覆盖所述发光层发光侧的封装层,所述封装层朝向所述发光层一侧为如权利要求3所述的封装膜层。5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括第一封装膜层和第二封装膜层,所述第一封装膜层包覆所述发光层,所述第二封装...

【专利技术属性】
技术研发人员:高昕伟许程赵康张帅
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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