【技术实现步骤摘要】
一种显示基板、显示装置
[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
,具体涉及一种显示基板、显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum
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dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的柔性显示装置(Flexible Display)已成为目前显示领域的主流产品。
技术实现思路
[0003]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]第一方面,本公开实施例提供了一种显示基板,包括显示区和边框区,所述边框区位于所述显示区周边,所述边框区设有第一阻挡结构和第二阻挡结构;在垂直于所述显示基板所在平面的方向上,所述显示基板包括基底以及依次叠设在所述基底上的驱动结构、发光结构层、封装结构层,所述第一阻挡结构设置于所述驱动结构层与所述封装结构层之间,所述第二阻挡结构设置于所述驱动结构层。
[0005]在示例性实施方式中,所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构均为条形状,并且所述第一阻挡结构、所述第二阻挡结构的延伸方向与所述显示区边缘的延伸方向一致。
[0006]在示 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括显示区和边框区,所述边框区位于所述显示区周边,所述边框区设有第一阻挡结构和第二阻挡结构;在垂直于所述显示基板所在平面的方向上,所述显示基板包括基底以及依次叠设在所述基底上的驱动结构层、发光结构层、封装结构层,所述第一阻挡结构设置于所述驱动结构层与所述封装结构层之间,所述第二阻挡结构设置于所述驱动结构层。2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构均为条形状,并且所述第一阻挡结构、所述第二阻挡结构的延伸方向与所述显示区边缘的延伸方向一致。3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一阻挡结构包括第一阻挡坝和第二阻挡坝,在平行于所述显示基板所在平面的方向上,所述边框区包括第一阻挡区和第二阻挡区,所述第一阻挡区位于所述显示区与所述第一阻挡坝之间,所述第二阻挡区位于所述第一阻挡坝与所述第二阻挡坝之间;所述第二阻挡结构设置于所述第一阻挡区和所述第二阻挡区中的至少一个位置。4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板所在平面的方向上,所述第一阻挡结构的尺寸大于或者等于所述第二阻挡结构的尺寸,所述第二阻挡坝的尺寸大于或者等于所述第一阻挡坝的尺寸;在垂直于所述显示区边缘的延伸方向上,所述第二阻挡坝的尺寸大于或者等于所述第一阻挡坝的尺寸。5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述驱动结构层包括依次叠设在所述基底上的第一半导体层、第一栅绝缘层、第一导电层、第二栅绝缘层、第二导电层、层间绝缘层、第三导电层、平坦化层和第四导电层,所述第二阻挡结构设置于所述第一半导体层、所述第一导电层、所述第二导电层中的其中一层或多层。6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述第二阻挡结构为单层结构,所述第二阻挡结构包括多个条状的凸起结构,所述多个条状的凸起结构设置于所述第一半导体层、所述第一导电层、所述第二导电层中的其中一层或多层;在垂直于所述显示基板所在平面的方向上,任意一个凸起结构的尺寸与其所在膜层的厚度一致。7.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述第二阻挡结构为多层结构,所述第二阻挡结构包括多个条状的凸起结构,所述多个条状的凸起结构设置于所述第一半导体层、所述第一导电层、所述第二导电层中的多个膜层中。8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,在垂直于所述显示基板所在平面的方向上,所述多个条状的凸起结构的尺寸一致,任意一个凸起结构包括位于多个膜层中的子凸起结构,同一个凸起结构中的多个子凸起结构在所述基底上的正投影至少部分重叠。9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,沿远离所述显示区的方向,在所述第一阻挡区和所述第二阻挡区中的任意一个区间中,所述多个条状的凸起结构在垂直于所述显示基板所在平面的方向上的尺寸依次增大。10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述第二阻挡结构包括第一凸起结构、第二凸起结构和第三凸起结构,所述第一凸起结构设置于所述第一半导体层,所述第二凸起结构设置于所述第一半导体层和所述第一导电层,所述第三凸起结构设置于所述第一半导体层、所述第一导电层和所述第二导电层。11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述第二凸起结构包括分别位于所
述第一半导体层和所述第一导电层的两个第二子凸起结构,并且两个所述第二子凸起结构在所述基底上的正投影至少部分重叠;所述第三凸起结构包括分别位于所述第一半导体层、所述第一导电层、所述第二导电层的三个第三子凸起结构,并且三个所述第三子凸起结构在所述基底上的正投影至...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈鸿,王格,王苗,蒋志亮,李晨曦,牛戈,罗翔,王登宇,李春延,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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