一种亚阈值SRAM读写辅助电路制造技术

本公开提供一种亚阈值SRAM读写辅助电路，包括：电荷泵电路，由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一电容构成，用于在输出节点产生高于电源电压的更高电平；欠压电路，由第三PMOS晶体管构成，用于在输出节点产生低于电源电压的中间电平；脉冲生成电路，由第四PMOS晶体管和第二NMOS晶体管构成，用于生成字线脉冲。本公开的辅助电路根据读写周期，自发调控字线电平，在写周期抬升字线电平，在读周期降低字线电平，以提升读写能力。以提升读写能力。以提升读写能力。

【技术实现步骤摘要】
一种亚阈值SRAM读写辅助电路


[0001]本公开涉及存储器访问
，具体涉及一种亚阈值SRAM读写辅助电路。

技术介绍

[0002]随着单元供电电压的降低，SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)的读稳定性和写能力下降，需要辅助技术分别对读操作和写操作进行优化，改变字线电压是一种常见的优化方式。其中，降低字线电压有助于减少读破坏错误的发生，但是对写能力有负面影响；抬升字线电压可以提升写能力，但是会削弱读稳定性。因此，需要设计读写分离的字线调控电路，打破读写辅助的钳制关系，判断读写周期，自发调控字线电压降低或者抬升；并且把两套读写辅助电路合并为一套电路，以减小面积开销。

技术实现思路

[0003](一)要解决的技术问题
[0004]针对上述问题，本公开提供了一种亚阈值SRAM读写辅助电路，用于至少部分解决传统电路SRAM的读稳定性和写能力下降等技术问题。
[0005](二)技术方案
[0006]本公开提供了一种亚阈值SRAM读写辅助电路，包括：电荷泵电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种亚阈值SRAM读写辅助电路，其特征在于，包括：电荷泵电路，由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一电容构成，用于在输出节点产生高于电源电压的更高电平；欠压电路，由第三PMOS晶体管构成，用于在输出节点产生低于电源电压的中间电平；脉冲生成电路，由第四PMOS晶体管和第二NMOS晶体管构成，用于生成字线脉冲。2.根据权利要求1所述的亚阈值SRAM读写辅助电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的栅极与辅助使能信号连接，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一电容的正极板连接；所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极均与所述第一电容的负极板连接，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极均与所述辅助使能信号的反信号连接。3.根据权利要求2所述的亚阈值SRAM读写辅助电路，其特征在于，所述第三PMOS晶体管的源极与电容的输出字线连接，所述第三PMOS晶体管的栅极与辅助电路使能信号连接。4.根据权利要求3所述的亚阈值SRAM读写辅助电路，其特征在于，所述第四PMOS晶体管的源极与所述第一电容的正极板连接，所述第四PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极均与所述输出字线连接，所述第四PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极均与输入脉冲信号连接。5.根据权利要求4所述的亚阈值SRAM读写辅助电路，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极、所述第二PMOS晶体管的源极均与所述电源连接，所述第一NMOS晶体管的源极、所述第二NMOS晶体管的源极均与电源的地线...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔树山，尹佳璐，赵鹏远，赵慧冬，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：