一种双生8TSRAM存算单元、计算系统技术方案

本发明专利技术公开了一种双生8T SRAM存算单元、计算系统，双生8T SRAM存算单元包括计算单元和存储单元，所述存储单元为双生8T SRAM单元，包括高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T；工作在存储模式时，高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T用于实现读写通路的分离；工作在计算模式时，计算单元用于实现2 bits输入数据与2 bits权重的乘法运算。本发明专利技术提升了运算效率的同时减少了功耗，并避免了读干扰写的问题。干扰写的问题。干扰写的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种双生8T SRAM存算单元、计算系统


[0001]本专利技术属于计算机
，具体涉及一种双生8T SRAM存算单元、计算系统。

技术介绍

[0002]现有技术中，诸多设计都仅支持单比特输入与单比特权重的乘法计算，这从根本上限制了效率的提升，而诸多研究多比特计算的设计中，局部计算单元又设计得较为复杂，不利于节省面积和减少功耗，而有的设计为了减小面积，采用6T SRAM存储单元作基本存储单元，但是这又给电路引进了读干扰写问题。

技术实现思路

[0003]为解决现有技术中的不足，本专利技术提供一种双生8T SRAM存算单元、计算系统，提升了运算效率的同时减少了功耗，并避免了读干扰写的问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：
[0005]第一方面，提供一种双生8T SRAM存算单元，包括：计算单元和存储单元，所述存储单元为双生8T SRAM单元，包括高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T；工作在存储模式时，高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T用于实现读写通路的分离；工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双生8T SRAM存算单元，其特征在于，包括：计算单元和存储单元，所述存储单元为双生8T SRAM单元，包括高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T；工作在存储模式时，高位权重存储单元M8T和低位权重存储单元L8T用于实现读写通路的分离；工作在计算模式时，计算单元用于实现2bits输入数据与2bits权重的乘法运算。2.根据权利要求1所述的双生8T SRAM存算单元，其特征在于，所述低位权重存储单元L8T，包括：NMOS晶体管N1～N6和PMOS晶体管P1～P2；其中，NMOS晶体管N1、N2、N5的源端接地；NMOS晶体管N1的漏端与NMOS晶体管N2的栅端、PMOS晶体管P2的栅端、PMOS晶体管P1的漏端和NMOS晶体管N3的源端相连；NMOS晶体管N1的栅端与PMOS晶体管P1的栅端、NMOS晶体管N2的漏端、PMOS晶体管P2的漏端、NMOS晶体管N4的源端和NMOS晶体管N5的栅端相连；PMOS晶体管P1、P2的源端与电源电位相连；NMOS晶体管N3、N4的栅端接字线WL，NMOS晶体管N3的漏端接位线BL1；NMOS晶体管N4的漏端接位线BL1B；NMOS晶体管N5的漏端与NMOS晶体管N6的源端相接，NMOS晶体管N6的漏端接读位线RBL，NMOS晶体管N6的栅端接读字线RWL。3.根据权利要求2所述的双生8T SRAM存算单元，其特征在于，所述高位权重存储单元M8T，包括：NMOS晶体管N7～N12和PMOS晶体管P3～P4；其中，NMOS晶体管N8、N9、N10的源端接地；PMOS晶体管P3、P4的源端与电源电位相连；NMOS晶体管N7的漏端接读位线RBL；NMOS晶体管N7的栅端接读字线RWL；NMOS晶体管N7的源端与NMOS晶体管N8的漏端相接；NMOS晶体管N8的栅端与NMOS晶体管N9的漏端、PMOS晶体管P3的漏端、NMOS晶体管N11的源端、PMOS晶体管P4的栅端和NMOS晶体管N10的栅端相接；...

【专利技术属性】
技术研发人员：周玉梅，黎涛，乔树山，尚德龙，
申请(专利权)人：中科南京智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：