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本公开提供一种亚阈值SRAM读写辅助电路，包括：电荷泵电路，由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一电容构成，用于在输出节点产生高于电源电压的更高电平；欠压电路，由第三PMOS晶体管构成，用于在输出节点产生低于电源...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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