集成高压电容器制造技术

半导体器件包括半导体管芯和形成在半导体管芯上方的集成电容器。集成电容器配置为接收高压信号。在半导体管芯中形成跨阻抗放大器。雪崩光电二极管设置在半导体管芯上方或邻近处。集成电容器耦合在雪崩光电二极管和地节点之间。电阻器耦合在高压输入和雪崩光电二极管之间。电阻器是在半导体管芯上方形成的集成无源器件(IPD)。集成电容器的第一端子耦合到地电压节点。集成电容器的第二端子耦合到大于20伏的电压。在一个实施例中，集成电容器包括多个交叉指状物。在另一个实施例中，集成电容器包括多个垂直对齐的板。器包括多个垂直对齐的板。器包括多个垂直对齐的板。

【技术实现步骤摘要】
集成高压电容器
[0001]本申请是申请号为201910302455.1，申请日为2019年4月16日，专利技术名称为“集成高压电容器”的分案申请。
[0002]对优先权的要求
[0003]本申请要求2018年4月16日提交的美国临时申请No.62/658,073的权利，其申请通过引用并入本文。


[0004]本专利技术一般涉及半导体器件，更具体地说，涉及使用集成高压电容器滤除干扰的半导体器件和方法。

技术介绍

[0005]半导体器件通常存在于现代电子产品中。半导体设备在电子元件的数量和密度上有所不同分立半导体器件通常包含一种类型的电子元件，例如发光二极管(LED)、光电二极管、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器或功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件通常包含数百至数百万个电子元件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池和数字微镜器件(DMD)。
[0006]半导体器件执行广泛的功能，例如信号处理、高速计算、发送和接收电磁信号、控制电子设备、将太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造具有集成高压射频(RF)滤波器的基于雪崩光电二极管(APD)的光接收器的方法，其包括：提供包括跨阻抗放大器的半导体管芯；在半导体管芯上直接在跨阻抗放大器的覆盖区之上和之内形成集成电容器，其中集成电容器包括，第一汇流条，其中第一汇流条与在半导体管芯中形成的所有部件都电隔离，第一多个指状物，其从第一汇流条延伸，第二汇流条，第二多个指状物，其从第二汇流条延伸，其中第二多个指状物在第一导电层内与第一多个指状物交错，在第一多个指状物和第二多个指状物的各个指状物之间具有大约0.3微米(μm)的水平间隔，第三汇流条，其在第一汇流条上形成，第三多个指状物，其从第三汇流条延伸，其中第三多个指状物的每个指状物都直接在第一多个指状物的相应指状物的上方对齐，第四汇流条，其在第二汇流条上形成，第四多个指状物，其从第四汇流条延伸，其中第四多个指状物的每个指状物都直接在第二多个指状物的相应指状物的上方对齐，第一导电通孔，其从第一汇流条延伸到第三汇流条，以及第二导电通孔，其从第二汇流条延伸到第四汇流条；在半导体管芯的上方形成集成电阻器，其中集成电阻器和集成电容器形成射频(RF)滤波器；将半导体管芯放置入罐形封装中；将雪崩光电二极管(APD)设置在半导体管芯上，其中APD的阴极耦合到集成电容器和集成电阻器之间的电路节点；将透镜设置在罐形封装的开口中，其中罐形封装适于引导光纤信号穿过透镜并到达APD上；以及将电路节点耦合到半导体器件的高压输入，其中高压输入配置为接受60至90伏之间的电压。2.根据权利要求1所述的方法，还包括图案化所述第一导电层以包括围绕第一汇流条、第二汇流条、第一多个指状物以及第二多个指形物的保护环。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：提供接触焊盘，所述接触焊盘耦合到集成电容器；在接触焊盘上方形成绝缘层；在接触焊盘上方的绝缘层中形成开口；以及在开口的上方设置雪崩光电二极管，所述开口在接触焊盘和光电二极管之间带有导电材料。4.根据权利要求3所述的方法，还包括形成从雪崩光电二极管到半导体管芯的接合线。5.一种制造光接收器的方法，其包括：提供包括跨阻抗放大器的半导体管芯；
在半导体管芯的上方形成集成电容器，其中集成电容器包括多个交叉指状物，多个交叉指状物的各个指状物之间的指间距为0.3μm或更大；在半导体管芯的上方形成集成电阻器，其中集成电阻器和集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：C，
申请(专利权)人：升特股份有限公司，
类型：发明
国别省市：