温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

半导体器件包括半导体管芯和形成在半导体管芯上方的集成电容器。集成电容器配置为接收高压信号。在半导体管芯中形成跨阻抗放大器。雪崩光电二极管设置在半导体管芯上方或邻近处。集成电容器耦合在雪崩光电二极管和地节点之间。电阻器耦合在高压输入和雪崩光电...
该专利属于升特股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过升特股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。