【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种主要在加热晶片时使用的晶片加热装置,例如,在半导体晶片、液晶装置或电路基板等晶片上形成薄膜时,或者,将上述晶片上涂有的抗蚀液(resist liquid)干燥烧成(baking)而形成抗蚀膜(resist film)时适合使用的加热器。
技术介绍
在半导体的制造工艺中,半导体薄膜的成膜处理、蚀刻处理、抗蚀膜的烧成处理时,为了加热半导体晶片(以下,简称晶片)使用陶瓷制加热器。传统的半导体制造装置有统一加热复数个晶片的批(batch)式和一张一张加热的枚叶式。枚叶式,因温度控制性优越,随着半导体元件的配线的细微化和晶片热处理温度的精密度的要求提高,广泛使用陶瓷制加热器。如同上述的陶瓷制加热器,提案的有例如专利文献1或专利文献2中的,如图18所示的陶瓷制加热器。该加热器(71)以板状陶瓷体(72)、金属套(79)为主要构成要素,在由铝等金属构成的有底面形状的金属套(79)的开口部,把树脂材的绝热性连接构件(74)介入,用螺栓(80)把由氮化物陶瓷或碳化物陶瓷构成的板状陶瓷体(72)固定,使其上面为装载晶片(W)的装载面(73),同时,在板状陶瓷体( ...
【技术保护点】
一种加热器,包括:板状体;和形成在上述板状体表面的带状电阻发热体,其特征在于:上述带状电阻发热体具有槽部,上述板状体的表面上具有定位表示部,其上述定位表示部是与上述槽部相对应而形成的。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:牧诚一郎,竹之内浩,益山启幸,中村恒彦,
申请(专利权)人:京瓷株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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