公开了一种有机电致发光显示器，其包括一基板、一抗反射层、一遮光层、一薄膜晶体管及一有机发光二极管，其制造方法包括以下步骤。首先，形成该抗反射层于该基板上。接着，形成该遮光层于该抗反射层之上，并定义该遮光层为一第一区域及一第二区域。随后移除该第一区域内的该遮光层以曝露出该抗反射层。再将该薄膜晶体管制作于该第二区域内的该遮光层上方，以及形成一有机发光二极管于该第一区域内的该抗反射层上方。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种具有抗反射层的。
技术介绍
对比度(Contrast Ratio，CR)是消费者选购显示器的重要指针之一，定义为屏幕上同一点最亮时与最暗时的亮度比值。高的对比度意味着相对较高的亮度和呈现颜色的艳丽程度。以此为基准，厂商推算出越高的对比度意味着越好的显示器品质。因为在这样的情况下，黑色会比较深，而白色也会比较“白”，如此，显示器就能显示出更多颜色。有机电致发光显示器(organic electroluminescent display panel)为一种自发光显示器，在不发光时具有最小亮度。依据上述对比度的定义，若在暗室中量测有机电致发光显示器的对比度，则最小亮度趋近于零，而对比度会趋近于无穷大而失去意义。因此有机电致发光显示器的对比度是在亮室中所测得，作法是提供一环境亮度给有机电致发光显示器，在有机电致发光显示器不发光时，量测环境光经反射后所造成的亮度以作为最小亮度值。目前亮室中的环境亮度值通常采用500勒克斯(lux，照明度的国际单位)。获得较佳的对比度的方法之一是降低有机电致发光显示器反射环境光所造成的亮度。有机电致发光显示器通常利用黑矩阵(black matrix)降低光线反射以提高对比度。请参照图1A，现有的有机电致发光显示器10主要包括一有机发光二极管11及其驱动晶体管12位于一有源区(active area)13内。有机发光二极管11具有一底部电极111、一顶部电极112以及一有机发光层113夹置于该两电极111、112之间。驱动晶体管12包括一源极金属121、一栅极金属122、一漏极金属123及一沟道层124。沟道层124与栅极金属122之间以一层间介电层(ILD)125隔开。沟道层124具有一源极接触区1241、一漏极接触区1242分别与源极金属121与漏极金属123接触。漏极金属123是用以电性连接有机发光二极管11的底部电极111。有源区13的一部分被黑矩阵图案所覆盖形成一黑矩阵区(black matrixarea)131，未被黑矩阵图案所覆盖的部分形成一开口区(open area)132。如图所示，黑矩阵区131内部具有一图案化的黑矩阵15形成于基板14之上，驱动晶体管12位于黑矩阵15的上方，两者之间通常具有一缓冲层17，例如氧化硅。开口区132位于有机发光二极管11下方以供光线射出，并且被一滤光层18所覆盖以决定射出光线的颜色。滤光层18的边缘以黑色光阻层19与黑矩阵15上下相对应。值得注意的是，现有的开口区132内部并无抗反射的结构形成于基板14与有机发光二极管11之间，以致于显示器整体的反射率仍高于20％以上，无法有效提高面板对比度。请参考图1B，其为反射率与黑矩阵区面积百分比的关系图。图中纵轴为有机电致发光显示器对550nm光线的反射率，横轴为黑矩阵区131占有有源区13的面积百分比。图1B显示当黑矩阵区131于有源区13中所占面积百分比愈大时，反射率愈小。举例而言，当黑矩阵区131占整个有源区13面积的20％时，反射率约为60％；若黑矩阵区131的占有比例增加至68％，反射率则减至25％。仍请参照图1A，在黑矩阵区131与有源区13面积比例固定的情况下，现有降低反射率的方法是在有机电致发光显示器10的发光面外加一抗反射膜16。但如此一来，势必增加有机电致发光显示器10的厚度，并减少开口区132的光穿透率而降低亮度。因此有必要开发在不外加抗反射膜及不影响亮度的情形下，增加对比度的技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，将抗反射层直接形成于基板与有机发光二极管之间，以增加对比度。本专利技术的有机电致发光显示器制造方法，包括以下步骤。首先，形成一抗反射层于一基板上。接着，形成一遮光层于该抗反射层之上，并定义该遮光层为一第一区域及一第二区域。随后移除该第一区域内的该遮光层以曝露出该抗反射层。将一薄膜晶体管制作于该遮光层上方的该第二区域内，再形成一有机发光二极管于该第一区域内的该抗反射层上方。以上述方法制造的有机电致发光显示器，其抗反射层是位于一基板表面。该遮光层覆盖于该抗反射层上方，并具有一开口部以曝露部分该抗反射层。该薄膜晶体管位于该遮光层上方。该有机发光二极管则连接该薄膜晶体管，并位于该开口部所曝露的该部分抗反射层上方。由于本专利技术不需将抗反射膜贴附于有机电致发光显示器外侧，而是用较简化且一贯的工艺将抗反射层制作于有机电致发光显示器内部，因此可以在不影响亮度的情形下，增加对比度并减少显示器厚度。附图说明图1A为现有的有机电致发光显示器；图1B为反射率与黑矩阵区面积百分比的关系图；图2为本专利技术的有机电致发光显示器；图3A-3E为本专利技术的有机电致发光显示器制造过程；图4A-4C为具有多个子层的抗反射层制造过程；图5为反射光强度随着可见光波长的变化图。主要组件符号说明10 有机电致发光显示器22 薄膜晶体管11 有机发光二极管221 半导体层111 底部电极 2212接触区112 顶部电极 2214接触区113 有机发光层222 栅极绝缘层12 驱动晶体管223 栅极121 源极金属 224 源极122 栅极金属 225 漏极123 漏极金属 23 钝化层124 沟道层24 有机发光二极管1241源极接触区242 透明电极1242漏极接触区244 有机发光层125 层间介电层246 反射电极13 有源区25 层间介电层131 黑矩阵区 26 基板 132开口区27 平坦层14 基板 28 抗反射层15 黑矩阵281金属氧化物层16 抗反射膜 282金属氮化物层17 缓冲层29 遮光层18 滤光层292开口部19 黑色光阻层294第一区域20 有机电致发光显示器296第二区域21 间隔层40 有机电致发光显示器具体实施方式现配合附图详述本专利技术，并列举优选实施例说明如下。请参照图2，其为本专利技术的有机电致发光显示器的剖面图。有机电致发光显示器20的每个像素结构包括一薄膜晶体管22以及一有机发光二极管24设置于一基板26上。薄膜晶体管22与基板26之间具有一抗反射层28及一遮光层29，但有机发光二极管24与基板26之间则缺少遮光层29。抗反射层28直接形成于基板26表面，遮光层29覆盖于抗反射层28上方，并具有一开口部292以曝露部分抗反射层28。有机发光二极管24位于开口部292所曝露的该部分抗反射层28上方。薄膜晶体管22位于遮光层29上方，用以驱动有机发光二极管24。抗反射层28包含至少一金属化合物层，例如铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、锌(Zn)、铟(In)、钛(Ti)、铝(Al)或银(Ag)等金属元素的氧化物、氮化物、硫化物或该些化合物的组合。遮光层29可以是铬、钼、铜、锌、铟、钛、铝及银等金属层或黑色光阻层。在一优选实施方式中，抗反射层28与遮光层29所含的金属为同一族元素。在抗反射层28与遮光层29之上通常具有一平坦层27，为其上方的薄膜晶体管22或有机发光二极管24提供一平坦底面，但平坦层27并非本专利技术的必要结构。薄膜晶体管22具有一半导体层221、一栅极绝缘层222、一栅极223、一源极224及一漏极225。半体体层221的材料为非晶硅或多晶硅，其与源极224或漏极225的接触区221本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光显示器的制造方法，包括以下步骤： 提供一基板； 形成一抗反射层于该基板上； 形成一遮光层于该抗反射层之上； 定义该遮光层为一第一区域及一第二区域； 移除该第一区域内的该遮光层以曝露出该抗反射层； 形成一薄膜晶体管于该第二区域内的该遮光层上方；以及 形成一有机发光二极管于该第一区域内的该抗反射层上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李世昊，石明昌，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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