一种抽空管道以及具有该抽空管道的单晶炉结构制造技术

本申请涉及管道除灰领域，尤其是涉及一种抽空管道以及具有该抽空管道的单晶炉结构，其技术方案要点是：抽空管道包括管道本体，管道本体上设置有与管道本体内部连通的进气口；达到了减少抽空管道内管壁上SiO的粘附积累的目的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
一种抽空管道以及具有该抽空管道的单晶炉结构


[0001]本申请涉及管道除灰领域，尤其是涉及一种抽空管道以及具有该抽空管道的单晶炉结构。

技术介绍

[0002]单晶硅片作为光伏发电的一种基础材料，拥有广泛的市场需求；直拉单晶硅生长方法是一种常见的单晶生长方法，此单晶生长过程常在单晶炉中完成。
[0003]相关技术中记载的一种单晶炉，其底部往往连通用于对单晶炉进行抽真空处理的抽空管道；在单晶硅生产的过程中，石英坩埚会在高温下和硅溶液生成大量的SiO(硅蒸汽)，SiO在抽空管道内部凝结并吸附在内管壁上，大量SiO的积累会增长气流行程进而导致炉内气压存在波动，对单晶硅的品质无疑造成负面影响；此外，积累粘附的大量SiO会导致在对抽空管道进行清灰处理过程中，瞬时接触空气而发生爆炸或不可控的自燃情况发生。

技术实现思路

[0004]为了减少抽空管道内管壁上SiO的粘附积累，本申请提供一种抽空管道以及具有该抽空管道的单晶炉结构。
[0005]本申请提供的一种抽空管道采用如下的技术方案：
[0006]一种抽空管道，包括用于对单晶炉内抽真空的管道本体，管道本体上设置有与管道本体内部连通的进气口。
[0007]通过采用上述技术方案，将管道本体安装在单晶炉上并与单晶炉内部连通，管道本体的另一端安装用于对单晶炉抽真空的真空泵，进气口用于连通向管道本体内部输送含氧气流的气源；单晶炉使得管道本体内部升温，当单晶炉内的硅蒸汽进入到管道本体内部后，SiO与通过进气口进入的氧在单晶炉散发热量的作用下发生反应，SiO被氧化形成不易挂壁的SiO2，且在含氧气流的作用下，管道本体内部的灰尘以及生成的SiO2向管道本体的出气端吹送，大大减少了管道本体内部所含的杂质，使得炉内气压更加稳定，有利于提高单晶硅的质量。
[0008]可选的，管道本体上套设有水冷套管，水冷套管与管道本体之间设置有水冷夹层管，水冷夹层管的两端均向水冷套管外部延伸。
[0009]通过采用上述技术方案，起到对管道本体的降温作用，防止由于管道本体温度过高而影响抽空管道上元件的使用寿命。
[0010]可选的，管道本体上设置有与管道本体内部连通的清灰管，清灰管上可拆卸连接有用于封闭清灰管的盲堵。
[0011]通过采用上述技术方案，方便了管道本体内部的清灰；此外，清灰管内部空间可用于设置温度传感器，以便于对管道本体内部温度进行掌控。
[0012]可选的，还包括与管道本体连通的主管路，主管路以及管道本体上均设置有一个或多个防爆盖。
[0013]通过采用上述技术方案，当抽空管道内部的气压过大时，防爆盖冲开以对抽空管道起到过压保护作用；此外，防爆盖打开以便于工作人员对抽空管道内部进行清灰处理。
[0014]可选的，主管路或管道本体上设置有压力计。
[0015]通过采用上述技术方案，便于对抽空管道内部制造的负压情况起到监控作用，以确保真空泵以及抽空管道对单晶炉抽真空作用的有效性。
[0016]可选的，主管路连通有一段或多段波纹管。
[0017]通过采用上述技术方案，便于主管路与不同位置的真空泵连通，此外有效避免了管路之间的刚性连接，提高了整个系统的减震或抗冲击性能。
[0018]本申请提供的一种具有上述抽空管道的单晶炉结构采用如下的技术方案：
[0019]一种具有上述抽空管道的单晶炉结构，包括与管道本体连通的炉体。
[0020]通过采用上述技术方案，进气口用于连通向管道本体内部输送含氧气流的气源；炉体使得管道本体内部升温，当炉体内的硅蒸汽进入到管道本体内部后，SiO与通过进气口进入的氧在炉体散发热量的作用下发生反应，SiO被氧化形成不易挂壁的SiO2，且在含氧气流的作用下，管道本体内部的灰尘以及生成的SiO2向管道本体的出气端吹送，大大减少了管道本体内部所含的杂质，使得炉内气压更加稳定，有利于提高单晶硅的质量。
[0021]可选的，进气口位于管道本体靠近炉体的一端。
[0022]通过采用上述技术方案，更好地利用炉体产生的高温，以使SiO的氧化更加充分，且能够使得SiO在排出的瞬间被及时氧化，进一步减少了管道本体内部SiO的粘附积累。
[0023]可选的，水冷套管靠近炉体设置。
[0024]管道本体靠近炉体位置处的温度最高，通过采用上述技术方案，能够更多且更及时地带走管道本体吸收的热量。
[0025]可选的，管道本体的进气端与炉体连接，管道本体的进气端位于出气端上方，管道本体自上而下倾斜设置。
[0026]通过采用上述技术方案，灰尘以及生成的SiO2能够自发沿倾斜的管道本体向出气端坠落或滚动，进一步减少了管道本体内壁上杂质的附着积累。
[0027]综上所述，本申请具有以下技术效果：
[0028]1.通过设置了管道本体和进气口，当单晶炉内的硅蒸汽进入到管道本体内部后，SiO与通过进气口进入的氧在单晶炉散发热量的作用下发生反应，SiO被氧化形成不易挂壁的SiO2，减少抽空管道内管壁上SiO的粘附积累；
[0029]2.通过设置了水冷套管以及水冷夹层管，起到对管道本体的降温作用，防止由于管道本体温度过高而影响抽空管道上元件的使用寿命；
[0030]3.通过设置了防爆盖，当抽空管道内部的气压过大时，防爆盖冲开以对抽空管道起到过压保护作用；此外，防爆盖打开以便于工作人员对抽空管道内部进行清灰处理。
附图说明
[0031]图1是本申请实施例中的单晶炉结构的整体结构示意图；
[0032]图2是本申请实施例中的抽空管道的整体结构示意图。
[0033]图中，1、管道本体；2、进气口；3、水冷套管；4、水冷夹层管；41、进水口；42、出水口；51、清灰管；52、盲堵；6、主管路；71、防爆管道；72、防爆盖；8、压力计；9、波纹管；10、炉体；
11、球阀。
具体实施方式
[0034]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“进气端”、“出气端”、“自上而下”、“竖直”等均为基于附图所示的相对关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的工艺或模块必须具有特定的方位、状态和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0035]以下结合附图对本申请作进一步详细说明。
[0036]参照图1和图2，本申请提供了一种单晶炉结构，包括竖直设置的炉体10，以及两个同时与炉体10内部连通的管道本体1，管道本体1的进气端与炉体10之间法兰固连，两个管道本体1的出气端共同连接有同一个主管路6，管道本体1与主管路6连通，主管路6上设置有用于控制主管路6通断的球阀11，主管路6的出气端连通有用于对炉体10内部抽真空的真空泵（图中未示出），主管路6的出气端连接有一个或多个波纹管9，以提高整个管道系统的减震或抗冲击性能，波纹管9与主管路6之间、相邻波纹管9之间、波纹管9与真空泵之间均通过法兰固连。
[0037]管道本体1上设置有一个连通有能够向管道本体1内部输送含氧气流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抽空管道，其特征在于：包括管道本体(1)，管道本体(1)上设置有与管道本体(1)内部连通的进气口(2)；管道本体(1)上套设有水冷套管(3)，水冷套管(3)与管道本体(1)之间设置有水冷夹层管(4)，水冷夹层管(4)的两端均向水冷套管(3)外部延伸。2.根据权利要求1所述的一种抽空管道，其特征在于：管道本体(1)上设置有与管道本体(1)内部连通的清灰管(51)，清灰管(51)上可拆卸连接有用于封闭清灰管(51)的盲堵(52)。3.根据权利要求1所述的一种抽空管道，其特征在于：还包括与管道本体(1)连通的主管路(6)，主管路(6)以及管道本体(1)上均设置有一个或多个防爆盖(72)。4.根据权利要求3所述的一种抽空管道，其特征在于：主...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维，黄鸣，陈辉，常晓鱼，
申请(专利权)人：北京北方华创真空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：