【技术实现步骤摘要】
一种全自动晶圆清洗装置
[0001]本专利技术涉及晶圆清洗设备相关领域,具体是涉及一种全自动晶圆清洗装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。晶圆的生产工序中很重要的一步便是晶圆清洗,晶圆是否干净对其质量有很大的影响,晶圆的清洗主要分两种方式,一种为批量清洗,一种为单次清洗,批量清洗由于其将多个晶圆放置在一个清洗池内清洗,对晶圆的清洗效果不如单次清洗对晶圆的清洗效果。
[0003]传统的单次清洗晶圆设备具有以下不足:首先很多传统的清洗设备仍需人工辅助操作,从而对晶圆进行上下料,晶圆单次清洗本就相对批量清洗耗时较长,人工辅助操作更加延长了晶圆的清洗时长,且为了保证清洗环境的干净,工人为进入无尘化操作空间中工作,需要进行繁杂的准备工作,更加增加了时间成本和人工成本,其次,很多传统的清洗设备在晶圆清洗过程中,针对晶圆的放置、夹紧、清洗液的喷洒等操作,大多需要分步操作,很多可以同步进行的操作无法实现同步,或者以较高成本的设备实现同步操作,更进一步延长了晶圆的清洗时长。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要针对现有技术问题,提供一种全自动晶圆清洗装置。
[0005]为解决现有技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种全自动晶圆清洗装置,包括设置有进料口和出料口的加工箱以及分别设置于 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种全自动晶圆清洗装置,包括设置有进料口(2)和出料口(3)的加工箱(1)以及分别设置于进料口(2)和出料口(3)处的进料传送带(4)和出料传送带(5),其特征在于,所述加工箱(1)内设置有清洗平台(7)、用于将进料传送带(4)上的晶圆(8)依次运输至清洗平台(7)和出料传送带(5)上的送料机构(9)以及设置于清洗平台(7)上方且用于先后喷洒清洗液和超纯水的清洗机构(10),所述清洗平台(7)上设置有能够竖直升降且用于放置晶圆(8)的托盘(11)以及四个沿圆周方向均匀分布且能够跟随托盘(11)的下降而同步向内平移的转盘(12),四个转盘(12)向内平移至极限位置能够夹紧晶圆(8)并同步同向旋转,送料机构(9)包括能够同步旋转的进料吸盘(13)和放料吸盘(14),所述进料吸盘(13)用于将进料传送带(4)上的晶圆(8)吸附并放置托盘(11)上,所述放料吸盘(14)用于将托盘(11)上的晶圆(8)吸附并放置于出料传送带(5)上,所述进料吸盘(13)能够沿竖直方向弹性顶起,加工箱(1)内还设置有位于进料传送带(4)尾端正上方且用于将进料吸盘(13)压下的下压件(15)。2.根据权利要求1所述的一种全自动晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗平台(7)由下而上包括呈水平状态固定设置于加工箱(1)内的底圆盘(16)、同轴固连于底圆盘(16)顶部的下层筒(17)、与下层筒(17)顶部同轴固连的圆台挡环(18)和设置于圆台挡环(18)上方的顶圆环(19),且顶圆环(19)与圆台挡环(18)固连,所述托盘(11)能够升降的同轴设置于圆台挡环(18)和顶圆环(19)内,四个转盘(12)沿径向滑动设置于顶圆环(19)的顶部。3.根据权利要求2所述的一种全自动晶圆清洗装置,其特征在于,所述底圆盘(16)上固连有第一气缸(20)且托盘(11)与第一气缸(20)的输出轴固连,底圆盘(16)上还设置有第一伸缩筒且第一伸缩筒具有一个自由伸缩的伸缩竖轴(21),伸缩竖轴(21)的顶部与托盘(11)同轴固连,顶圆环(19)上固连有四个一一对应于四个转盘(12)的第二伸缩筒,每个第二伸缩筒均具有一个沿顶圆环(19)径向自由伸缩的伸缩横轴(22),每个伸缩横轴(22)的外端均指向顶圆环(19)的内侧且每个伸缩横轴(22)的外端均与对应转盘(12)相连,第一伸缩筒与四个第二伸缩筒通过气管相连。4.根据权利要求3所述的一种全自动晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一伸缩筒还包括与底圆盘(16)顶部同轴固连的第一筒体(23),所述伸缩竖轴(21)同轴滑动设置于第一筒体(23)内且与第一筒体(23)动密封相连,第一筒体(23)的底部开设有第一通气口,第二伸缩筒还包括与顶圆环(19)固连的第二筒体(24),第二筒体(24)靠近顶圆环(19)外侧的一端开设有第二通气口,所述伸缩横轴(22)同轴滑动设置于第二筒体(24)内且与第二筒体(24)动密封相连,气管包括与通气口密封固连的五通管(25)和四根分别与四个第二通气口密封固连的连接管(26),四根连接管(26)的另一端分别与五通管(25)的另外四个端口密封固连。5.根据权利要求4所述的一种全自动晶圆清洗装置,其特征在于,顶圆环(19)上还成型有四个沿圆周方...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖飞,张德海,甘志金,
申请(专利权)人:安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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