芯片硅通孔封装结构的制作方法及封装结构技术

本发明专利技术公开了一种芯片硅通孔封装结构的制作方法及封装结构，制作方法包括：提供芯片，芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上设置有焊垫；在芯片的第二表面形成通孔，通孔暴露出焊垫；在通孔的底壁、侧壁以及芯片的第二表面上形成绝缘层；在绝缘层的表面形成保护层，保护层包括：于通孔的开口处形成向通孔中轴线方向延伸的凸起结构；刻蚀保护层以及通孔内的绝缘层，暴露出焊垫；在通孔内以及绝缘层的表面形成电连接焊垫的金属层。本发明专利技术的芯片硅通孔封装结构的制作方法，能够在硅通孔内底部绝缘层上刻蚀形成内倒角，使得刻蚀后的绝缘层与外接线路层连接的结构更稳固。的绝缘层与外接线路层连接的结构更稳固。的绝缘层与外接线路层连接的结构更稳固。

【技术实现步骤摘要】
芯片硅通孔封装结构的制作方法及封装结构


[0001]本专利技术是关于半导体封装
，特别是关于一种芯片硅通孔封装结构的制作方法以及由该方法制得的芯片硅通孔封装结构。

技术介绍

[0002]现有技术中，晶圆级TSV封装中过程中，直接刻蚀形成通孔，在通孔中沉积一绝缘层，然后再刻蚀底部暴露出pad；最后形成连接pad的外接线路层。在刻蚀底部暴露pad的过程中，绝缘层会形成的直角或外倒角，在后续形成外接线路层中，容易形成应力过大，造成短路的风险。对整体的封装性能而言，存有隐患。
[0003]为了解决这一问题，本专利技术提出了一种芯片硅通孔封装结构的制作方法以及由该方法制得的芯片硅通孔封装结构。
[0004]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种芯片硅通孔封装结构的制作方法以及由该方法制得的芯片硅通孔封装结构，其能够解决封装过程中硅通孔内底部绝缘层存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片硅通孔封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一芯片，所述芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有焊垫；在所述芯片的第二表面形成通孔，所述通孔暴露出所述焊垫；在所述通孔的底壁、侧壁以及所述芯片的第二表面上形成绝缘层；在所述绝缘层的表面形成保护层，所述保护层包括：于所述通孔的开口处形成向所述通孔中轴线方向延伸的凸起结构；刻蚀所述保护层以及所述通孔内的绝缘层，暴露出所述焊垫；在所述通孔内以及所述绝缘层的表面形成电连接所述焊垫的金属层。2.如权利要求1所述的芯片硅通孔封装结构的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层的表面形成保护层，包括：通过喷涂工艺在位于所述芯片第二表面的所述绝缘层的表面上形成第一保护层；以及通过喷涂工艺在位于所述通孔的开口处形成向所述通孔的中轴线横向延伸的凸起结构；所述凸起结构与所述第一保护层不间断设置。3.如权利要求2所述的芯片硅通孔封装结构的制作方法，其特征在于，所述凸起结构的厚度在沿靠近所述通孔的中轴线方向上逐渐减小。4.如权利要求2所述的芯片硅通孔封装结构的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层的表面形成保护层，还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旦，夏华栋，李瀚宇，林焱，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：