发光二极管电路组件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管电路组件，包含一个发光二极管（ＬＥＤ）与一齐纳二极管（Ｚｅｎｅｒ　　Ｄｉｏｄｅ），该发光二极管其发射波长在５７０纳米（ｎｍ）黄绿光至６６０纳米（ｎｍ）红光之间。将齐纳二极管串接于此发光二极管，以提高发光二极管的工作电压，避免被瞬间电流烧毁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管电路，特别是涉及一种可防止被瞬间电流烧毁 的发光二极管电路组件。
技术介绍
参考图l，为一般发光二极管的保护回路。参考图2，为一般齐纳二极管的工作曲线图。参考图1与图2， 一般用以保护发光二极管(LED)的方式，通常利用一颗 齐纳二极管(Zener Diode)并联于此发光二极管(LED)。借此，当此发光二极 管的应用电路(图中未示)，产生逆向电压W或是逆向电流L时，或是一般电 路产生静电(ESD)时，此齐纳二极管随即导通，进而达到保护发光二极管的目 的。虽然此齐纳二极管可以保护此发光二极管，但是，当顺向电压Vf大于齐 纳二极管的崩溃电压Vz时，齐纳二极管立刻崩溃，电流仅可流经此已崩溃的 齐纳二极管；虽然发光二极管仍然完好，但己无法再有电流导通，因此，此线 路形同失效。此外，当顺向电压Vf大于发光二极管之膝点电压Vk，且小于齐 纳二极管的崩溃电压Vz时，则发光二极管导通，发光二极管维持正常工作。然而， 一般齐纳二极管的崩溃电压Vz为5V(伏特)以上，对于一般工作电 压在3V至4V的蓝、绿光发光二极管，原则上没有什么问题。但是，对于工作 电压在1. 8V至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管电路组件，其特征在于，包含有：一第一发光二极管，其发射波长在５７０纳米黄绿光至６６０纳米红光之间；以及至少一第一齐纳二极管，串接于该发光二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邢陈震仑，洪荣豪，
申请(专利权)人：葳天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]