供给装置、供给系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种使向基板处理装置供给的处理液的液温稳定的供给装置、供给系统。供给装置包括：回收罐，从基板处理装置回收处理液并进行加热；及供给罐，向基板处理装置供给在回收罐中加热的处理液。回收罐包括：回收容器，贮存处理液；第一分隔板，将回收容器分隔成从基板处理装置导入处理液的第一区域、以及向供给罐导入处理液的第二区域；配管，将导入至第一区域的处理液向第二区域送出；第一加热器，设置在配管的路径上；及送出配管，将利用第一加热器加热的第二区域的处理液向供给罐送出。供给罐包括：供给容器，贮存从回收罐送出的处理液；供给配管，向基板处理装置供给贮存在供给容器中的处理液；及第二加热器，设置在供给配管的路径上。配管的路径上。配管的路径上。

【技术实现步骤摘要】
供给装置、供给系统


[0001]本专利技术涉及一种供给装置、供给系统。

技术介绍

[0002]作为利用处理液对层叠在半导体晶片或玻璃等基板上的膜进行蚀刻的湿式蚀刻装置，已知有将多片基板一并浸渍在处理液中的批次式基板处理装置、以及对一片一片的基板供给处理液的单片式基板处理装置。
[0003]在批次式基板处理装置中，由于对多片基板一并进行处理，因此在生产性的方面具有优势。另一方面，在单片式基板处理装置中，由于对基板逐片进行处理，因此在生产性上比批次式基板处理装置差，但能够进行细致且均匀的蚀刻。特别是近年来，由于基板的图案的微细化不断推进，因此使用单片式基板处理装置的频率也逐步变高。
[0004]在单片式基板处理装置中，为了能够进行细致且均匀的蚀刻，需要严格地控制向基板供给的处理液的温度。处理液的温度例如保持在160℃，但即使从此温度仅改变1℃，蚀刻速率也会大幅改变，从而蚀刻的深度会产生偏差。因此，处理液的温度的变动理想的是抑制在例如0.2℃以内。
[0005]但是，此种处理液比较昂贵，因此在蚀刻后被回收，在调整了温度的基础上被再利用。例如，如专利文献1所公开的那样，已用于蚀刻的处理液暂时被回收至罐中，在调整了液温之后，再次供给至基板。
[0006][现有技术文献][0007][专利文献][0008]专利文献1：日本专利特开2007
‑
258462号公报

技术实现思路

[0009][专利技术所要解决的问题][0010]就效率性的观点而言，多数情况下在此种容器上连接多个基板处理装置。即，一个罐对多个基板处理装置中使用后的处理液进行回收，并且向多个基板处理装置供给罐内的处理液。因此，有时罐由于使各基板处理装置的基板处理的时机重叠，而一次回收大量的处理液，并且一次供给大量的处理液。另外，即使在仅与一个基板处理装置连接的情况下，在使基板处理装置暂时停止的情况等下，处理液的回收时机也有可能出现偏差。
[0011]总之，由于此种问题，罐内的处理液的温度的变动变大，温度控制变得困难。例如，在连接多个基板处理装置，而基板处理的时机重叠从而回收的处理液的量变多的情况下，由于罐内的处理液的温度大幅下降，因此有可能在供给处理液之前无法取得充分的加热时间。也可考虑在处理液被充分加热之前停止供给。但是，即使在此情况下，由于不定期且不定量地回收的处理液的量的变动，罐内的处理液的温度时刻变动，因此无法避免温度控制的误差变大。进而，在罐内的处理液的温度大幅下降的情况下，提高加热器的输出来应对，但降低一度提高的加热器的输出的控制耗费时间。因此，本次对罐内的处理液进行过度加
热，仍然难以进行温度控制。如此，由于处理液的回收与加热器的控制此两个因素，无法充分地进行处理液的温度控制，从而导致基板的蚀刻深度产生偏差。
[0012]本专利技术的目的在于提供一种使向基板处理装置供给的处理液的液温稳定的供给装置、供给系统。
[0013][解决问题的技术手段][0014]本专利技术的供给装置包括：回收罐，从基板处理装置回收处理液并进行加热；以及供给罐，与所述回收罐连接，向所述基板处理装置供给在所述回收罐中加热的所述处理液；其中，所述回收罐包括：回收容器，贮存所述处理液；第一分隔板，将所述回收容器分隔成从所述基板处理装置导入所述处理液的第一区域、以及向所述供给罐导入所述处理液的第二区域；配管，将导入至所述第一区域的所述处理液向所述第二区域送出；第一加热器，设置在所述配管的路径上，对所述处理液进行加热；以及送出配管，将利用所述第一加热器加热的所述第二区域的处理液向所述供给罐送出；所述供给罐包括：供给容器，贮存从所述回收罐送出的所述处理液；供给配管，向所述基板处理装置供给贮存在所述供给容器中的所述处理液；以及第二加热器，设置在所述供给配管的路径上，对所述处理液进行加热。
[0015]另外，将包括所述供给装置的供给系统也设为本专利技术的一实施例。
[0016][专利技术的效果][0017]本专利技术的供给装置、供给系统，可使向基板处理装置供给的处理液的液温稳定。
附图说明
[0018]图1是表示实施方式的基板处理装置以及供给装置的图。
[0019]图2是表示实施方式的回收罐的透视立体图。
[0020]图3是表示实施方式的变形例的基板处理装置以及供给装置的图。
[0021][符号的说明][0022]100：基板处理装置
[0023]101：旋转驱动部
[0024]102：处理液供给部
[0025]103：处理液回收部
[0026]10：回收罐
[0027]10a：容器
[0028]11、111、112、113：分隔板
[0029]11a：开口
[0030]20：供给罐
[0031]20a：容器
[0032]C、M、N、O、P、Q、R、S：配管
[0033]H1、H2：加热器
[0034]L：连接位置
[0035]P1、P2、P3：泵
[0036]R1、R2、R3、R4：区域
[0037]TH：罐内加热器
[0038]W：基板
具体实施方式
[0039]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。如图1所示，本实施方式的供给装置1从基板处理装置100回收处理液，并且向基板处理装置100供给处理液。另外，虽在图1中省略了图示，但设为相对于一个供给装置1而设置有多个基板处理装置100。此外，将利用此种供给装置1以及基板处理装置100使处理液循环的系统设为供给系统SS。
[0040](基板处理装置)
[0041]基板处理装置100例如是对半导体晶片或玻璃等基板W供给处理液、并进行蚀刻的单片式基板处理装置。基板处理装置100包括：旋转驱动部101，保持基板W并使其旋转；处理液供给部102，向基板W供给处理液；以及处理液回收部103，对供给至基板W的处理液进行回收。
[0042]旋转驱动部101例如是通过卡盘销等保持基板W的边缘、并以与基板W正交的轴为中心使所保持的基板W旋转的旋转卡盘。处理液供给部102例如是设置在旋转驱动部101的上方、且朝向通过旋转驱动部101而旋转的基板W的面喷出处理液的喷嘴。喷嘴的另一端经由后述的配管S而与供给装置1连接。此外，处理液供给部102可相对于基板W的面而仅设置一个，也可设置多个。处理液例如是氢氟酸或磷酸、硫酸等酸系的液体。处理液回收部103例如是以包围旋转驱动部101的方式设置、且从其底部回收从基板W的面溢出的处理液的框体。即，处理液回收部103的底部具备开口，所述开口经由后述的配管C而与供给装置1连接。
[0043](供给装置)
[0044]供给装置1是对从基板处理装置100回收的蚀刻后的处理液进行加热、并再次向基板处理装置100供给的供给装置。供给装置1包括：配管C，为从基板处理装置100的处理液回收部103回收蚀刻后的处理液的回收配管；回收罐10，与配管C连接且对配管C回收的处理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供给装置，其特征在于，包括：回收罐，从基板处理装置回收处理液并进行加热；以及供给罐，与所述回收罐连接，向所述基板处理装置供给在所述回收罐中加热的所述处理液，其中，所述回收罐包括：回收容器，贮存所述处理液；第一分隔板，将所述回收容器分隔成从所述基板处理装置导入所述处理液的第一区域、以及向所述供给罐导入所述处理液的第二区域；配管，将导入至所述第一区域的所述处理液向所述第二区域送出；第一加热器，设置在所述配管的路径上，对所述处理液进行加热；以及送出配管，将利用所述第一加热器加热的所述第二区域的处理液向所述供给罐送出，所述供给罐包括：供给容器，贮存从所述回收罐送出的所述处理液；供给配管，向所述基板处理装置供给贮存在所述供给容器中的所述处理液；以及第二加热器，设置在所述供给配管的路径上，对所述处理液进行加热，且所述回收罐包括：第二分隔板，将所述第二区域分隔成从所述配管送出所述处理液的第三区域、以及向所述基板处理装置供给处理液的第四区域；所述第一分隔板包括：设置在连接有所述第一分隔板的端部的所述回收罐的所述回收容器的一侧面之侧、且使所述第一区域与所述第二区域连通的开口，所述第二分隔板包括：设置在所述回收罐的所述回收容器的与...

【专利技术属性】
技术研发人员：古矢正明，小林浩秋，森秀树，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：