光学装置和用于生产光学装置的方法制造方法及图纸

用于生产光学装置(200)的方法，提供衬底(210)，在该衬底的第一主表面(212)布置用于发射电磁辐射(250，255)的多个发射器件(220)。衬底(210)设计为发光二极管晶片和/或由蓝宝石或氮化镓形成，且至少对由发射器件(220)发射的辐射(250，255)的一个发射波长为透明。该方法在衬底(210)的第一主表面(212)一侧施加吸收材料(230)，其具有至少吸收发射波长的可光致结构化抗蚀剂。该方法处理吸收材料(230)以裸露各发射器件(220)至少一发射表面(227)，由此从衬底(210)与第一主表面(212)相反的第二主表面(214)实施要裸露表面的位置确定。该方法借助分离制造法将衬底(210)分割成多个光学装置(200)，该各装置(200)具有至少一发射器件(220)。(220)。(220)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学装置和用于生产光学装置的方法
[0001]本专利技术涉及一种用于生产光学装置、特别是用于生产具有至少一个这种光学装置的光学瞄准镜、特别是反射式瞄准镜的方法。本专利技术此外还涉及一种光学装置和一种光学瞄准镜、特别是反射式瞄准镜。
[0002]目前存在用于抑制光学装置中的二次光发射的各种方法。例如，可以使用小型化的金属掩模来覆盖LED芯片的区域。还可以将吸收层施加到例如透明衬底的后侧。例如，还可以使用小的黑色塑料帽来覆盖芯片和键合线，并因此吸收部分不需要的反射。
[0003]文件US 2011/0 298 000A1披露了一种芯片封装工艺，其可以用于生产光学装置、特别是LED芯片。
[0004]在此背景下，这里提出的方案，给出了一种根据主权利要求的、用于生产光学装置、光学装置和具有至少一个这种光学装置的光学瞄准镜、特别是反射式瞄准镜的方法。本专利技术的有利配置和发展从下面的从属权利要求中显而易见。
[0005]根据实施例，可以特别提供一种光学装置，在该光学装置的生产期间，装置的在进一步的生产方法中不再被触及和/或仅允许二次光发射出现的所有区域可以以辐射吸收方式被覆盖，以便消除或至少最小化不需要的二次光发射。具有吸收材料的覆盖可以特别是在晶片级的芯片工艺期间实施，以便以成本有效的方式在一个工艺步骤中处理多个或数个部件。换言之，例如，光学装置可以设置有晶片级可光致结构化的吸收层，以防止由于透明衬底或外延层中的反射和/或光引导而引起的不需要的二次光发射。
[0006]有利地，根据实施例，在光学装置中可以最小化或完全消除特别是不期望的或不需要的二次光发射。可以在一个步骤中处理多个装置，例如多达数千个装置。接触栅格可以存在于特别在标准芯片的情况下，其在使用常规金属掩模作为吸收覆盖物时也将保持可见且是不期望的，这可以根据实施例避免。例如抗蚀剂的吸收材料还可以充当用于随后对键合线和衬底边缘或芯片边缘的黑色灌封的阻挡部。
[0007]例如，对于反射式瞄准镜和类似应用，根据实施例，光学装置可以被提供为具有精确限定的发光表面的LED点发射器和LED显示器。用户可感知的预期发光表面外部的二次光发射可以被抑制或减少到最小。二次光发射可以由多种原因引起，例如在装置的金属边缘处或在LED芯片上的反射、发光表面的不精确限定、通过透明层和衬底的光引导等。根据实施例的生产特别可适用于透明衬底上的点发射器和显示芯片，因为吸收材料可以精确地被施加以覆盖可能发生二次光发射的且在随后的构建过程中不再需要被触及的所有芯片级区域。此外，可以保护装置免受管芯分割过程的影响。另外，由于所有装置可以在晶片级制成和保护，因此装置生产成本低廉。
[0008]提出了一种用于生产光学装置的方法，该方法具有以下步骤：
[0009]提供衬底，在该衬底的第一主表面上布置有用于发射电磁辐射的多个发射器件，其中，该衬底至少对于由发射器件发射的辐射的一个发射波长是透明的；
[0010]在衬底的第一主表面的一侧上施加吸收材料，其中，吸收材料吸收至少一个发射波长；
[0011]处理吸收材料以裸露每个发射器件的至少一个发射表面，其中，从衬底的与第一
主表面相反的第二主表面实施要裸露表面的位置确定；以及
[0012]借助于分离制造工艺将衬底分割成多个光学装置，其中，每个光学装置具有至少一个发射器件。
[0013]根据本专利技术，该方法中的衬底被设计为发光二极管晶片和/或由蓝宝石或氮化镓形成。此外，根据本专利技术，吸收材料具有至少吸收发射波长的可光致结构化抗蚀剂。
[0014]电磁辐射可以被理解为例如意味着例如通过作为辐射源的光源或激光源发射的光发射。换言之，电磁辐射可以包括人可见光谱中的光和/或不可见光谱中的辐射。发射器件中的至少一个可以被设计为发光二极管(LED)。该装置可以是LED芯片。该装置可以充当例如LED点发射器或LED显示器。在分割步骤中，可以将衬底分割成数个光学装置，例如多于十个、多于100个或多于1000个装置。每个光学装置可以具有至少一个发射器件和衬底的一部分。至少一个进一步部件(例如电气、电子和/或光学部件)可以布置在衬底的第一主表面上。吸收层的位置确定可以借助于后侧调整来实施。
[0015]在处理步骤中，吸收材料还可以使用光掩模曝光、使用显影剂材料显影，并因此至少在至少一个发射表面的区域中被去除。例如，紫外光可以用于曝光。曝光可以实施例如10秒的曝光时间。可以基于位置确定来对准光掩模。这种实施例提供的优点是，吸收材料可以使用已完备工艺以简单和精确的方式被处理。
[0016]此外，在处理步骤中，可以处理吸收材料以便裸露每个发射器件的电连接表面，以及附加地或替代地裸露至少一个分割边界。在分割步骤中，可以沿着该至少一个分割边界将衬底分离成多个光学装置。这种实施例提供的优点是，可以以简单的方式从衬底的第一主表面的一侧上需要裸露的区域中去除吸收材料。
[0017]根据一个实施例，在提供步骤中，可以提供在其第二主表面上创建有用于位置确定的调整标记的衬底。替代地，该方法可以具有在衬底的第二主表面上创建用于位置确定的调整标记的步骤。创建步骤可以在处理步骤之前执行。这种实施例提供的优点是，可以作出精确、可靠且不复杂的位置确定，以便裸露吸收材料的被精确限定的表面。
[0018]在提供步骤中，还可以提供其第二主表面被抛光的衬底。替代地，该方法可以包括抛光衬底的第二主表面的步骤。抛光步骤可以在处理步骤之前执行。这种实施例提供的优点是，可以作出准确位置确定，其中，可以通过衬底容易且可靠地检测第一主表面上的元件。
[0019]另外，在分割衬底的步骤之后，该方法可以包括使用灌封材料灌封每个光学装置的衬底的侧边缘的步骤。在这种情况下，灌封材料可以至少吸收发射波长。这种实施例提供的优点是，可以以简单的方式进一步减少不期望的二次光发射，其中，还可以附加地实现或辅助装置的包覆。
[0020]特别地，可以在提供步骤中提供衬底，该衬底被设计为发光二极管晶片并因此包括基于电致发光的有源层，并且该衬底附加地或替代地由蓝宝石或氮化镓形成。附加地或替代地，可以在施加步骤中施加吸收材料，该吸收材料包括有色抗蚀剂，特别是从电路板的生产已知的焊料抗蚀剂、以及附加地或替代地可光致结构化抗蚀剂。这种实施例提供的优点是，可以提供廉价的光学装置，由此可以最小化不期望的二次光发射。
[0021]例如，在提供步骤中，可以提供具有使用半导体技术工艺制造的发射器件的衬底。替代地，该方法可以包括借助于半导体技术工艺在衬底上制造发射器件的步骤。在半导体
技术工艺中，n掺杂外延层可以被布置在衬底的第一主表面上，n接触金属可以被布置为第一电连接表面且有源发射层可以被布置在n掺杂外延层上，有源发射层可以被p掺杂外延层覆盖，并且p接触金属可以被布置在p掺杂外延层上作为第二电连接表面。这种实施例提供的优点是，可以使用周知已完备的且经测试的工艺以经济成本有效且精确的方式在衬底上制造至少发射器件。
[0022]还提出了一种光学装置，该光学装置具有以下特征：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于生产光学装置(200)的方法(400)，其中，该方法(400)具有以下步骤：提供(410)衬底(210)，在该衬底的第一主表面(212)上布置有用于发射电磁辐射(250，255)的多个发射器件(220)，其中，该衬底(210)被设计为发光二极管晶片和/或由蓝宝石或氮化镓形成，并且至少对于由这些发射器件(220)发射的辐射(250，255)的一个发射波长是透明的；在该衬底(210)的第一主表面(212)的一侧上施加(420)吸收材料(230)，其中，该吸收材料(230)具有至少吸收该发射波长的可光致结构化抗蚀剂；处理(430)该吸收材料(230)，以便裸露每个发射器件(220)的至少一个发射表面(227)，其中，从该衬底(210)的与该第一主表面(212)相反的第二主表面(214)实施要裸露表面的位置确定；以及借助于分离制造工艺将该衬底(210)分割(440)成多个光学装置(200)，其中，每个光学装置(200)具有至少一个发射器件(220)。2.如权利要求1所述的方法(400)，其特征在于，在该处理步骤(430)中，该吸收材料(230)使用光掩模曝光、使用显影剂材料显影、并且至少在该至少一个发射表面(227)的区域中被去除。3.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该处理步骤(430)中，处理该吸收材料(230)以便裸露每个发射器件(220)的电连接表面(224，229)和/或至少一个分割边界。4.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该提供步骤(410)中，提供在其第二主表面(214)上创建有用于该位置确定的调整标记的衬底(210)，或者其特征为在该衬底(210)的第二主表面(214)上创建用于该位置确定的调整标记的步骤(402)。5.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该提供步骤(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：业纳光学系统有限公司，
类型：发明
国别省市：