具有稠合的五元环的三线态发射体制造技术

本发明专利技术涉及发光化合物，特别是适用于电光应用的三线态发射体。依据本发明专利技术的化合物为金属、优选Ｉｒ的有机金属络合物，其具有通过中间六元环连接于五元或六元环的一个五元环的主链。这些化合物适用于调节在ＵＶ～ＮＩＲ范围内的光的发射，通过至少一个五元或六元环结构内的原子或基团的调节。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有稠合的五元环的三线态发射体 本专利技术涉及发光化合物，特别是适用于电光例如电致发光应用的磷光化合物。依据本专利技术的化合物例如用作OLED中的层或者用于激光器应 用，以在电流激发时发出可见光，以及形成光电器件中用于光吸收的层。更详细地，依据本专利技术的化合物为三线态发射体(triplet emitter),利 用了有机化合物络合的金属原子、优选Ir中发生的电能向辐射的高效转 化。
技术介绍
一种最初可获得的三线态发射体为三(2-苯基吡啶)铱 (Ir(ppy)3)(Grushin等，Chem. Communications 1494-1495 (2001))。该化合物中，两个六元芳环通过一个CT-键连接，其一含有用于络合金属原子的氮原子。Finkenzeller等(Chemical Physics Letters 377， 299-305 (2003))已详细 地考察了 Ir(ppy)3的发射体性能。由WO 2004/016711A1可知大量的Ir(ppy)3衍生物，提供具有吸电子 或给电子基团的取代基来影响发射体性能。Li等(Organometallics 24， 1329-1335 (2005)描述了用于电致发光的六 元Ir络合物，基于8-苯基喹啉结构。已经报道了依据Li等的铱(Ir)络合物 在深红色范围的波长处发光。 一种含有六元鳌合物的Ir络合物的实例为双 [8-(3，5-二氟苯基)-喹啉铱(III)乙酰丙酮酸盐。这些化合物中，在螯合Ir时 两个芳族部分通过o-键连接且形成六元环状结构。JP2004319438公开了大量发射体的结构，络合Rh。所有结构包括含 有络合Rh的氮的六元环。专利技术目的本专利技术旨在提供适用于电光应用的有机金属*物，即，作为三线态 发射体，具有不同于已知络合物的结构。优选地，本专利技术旨在提供具有不同于已知电致发光化合物的结构的三 线态发射体，该替代结构优选地具有改进的所耗电能的发光效率。更优选 地，本专利技术的化合物具有高的化学和热稳定性。专利技术概述本专利技术涉及适用于电光应用的化合物，特别是三线态发射体。通常，在包含本专利技术发射体化合物的OLED中必须存在下面的层排列阳极，例 如覆盖透明导电金属氧化物(TCO)的基底如ZnO，优选覆盖ITO(铟锡氧化 物)的玻璃或有机透明板材，空穴传输材料，发光层，任选地空穴阻隔材料 和/或电子传输材料，和导电阴极层。 依据本专利技术的发射体化合物，通过改变原子，例如将碳原子替换为杂原子，或基团(其在络合金属原子 的含氮五元环之内或者含*金属原子的碳原子的五元或六元环之内)，适 用于在UV、可见和NIR，优选在可见范围内的光的发射。代替在碳原子 的位置引入杂原子，可以通过在*金属原子的结构之内取代碳和/或杂原 子，以可预测的方式来影响发射光的波长。依据本专利技术的化合物为过渡金属的有机金属^物，例如，选自Os、 Pt和Re、 Ru、 Pd，优选Ir。该过渡金属原子通过有机主链中所含的一个 氮原子和一个碳原子^，形成包括金属原子的五元环结构。构B和C，通过由中间连接基芳族基团(A)(其为六元环)形成的两个连接彼 此相连。排列在环状结构B和C之间的连接基团分别与结构B和C共享 原子。这些环状结构之一，环状结构B，含有与^的金属原子形成连接 的氮，另一个，环状结构C,含有与金属原子形成连接的碳原子。环状结构B为五元环。环状结构C独立地为五元或六元环。优选地，环状结构B和C含有不饱和键，优选至少两个共辄不饱和键， 最优选地，结构B和C为芳族的。环状结构A为芳族的，形成与相邻环状结构B和C共享原子的六元 环。任选地，环状结构B和/或C还含有另外的杂原子，例如选自N、 O、 S、 Se、 Te和Si。金属原子选自Pt、 Pd、 Ru、 Re、 Os，优选Ir。为了金属原子化合价的饱和，多于一个的配体(例如2个或3个)可以 各自与金属原子形成五元环结构，或者，替换地，通过辅助的配合配体来 提供饱和，如乙酰丙酮酸盐基团、吡啶曱酸盐基团、2-吡啶曱酸盐基团、 2-(4H-[l，2，4-三唑-3-基)吡啶基团、和/或二新戊酰基甲坑化物基团。通常，依据本专利技术的金属螯合络合物可以通过通式I来表示其中，环B为五元环，环A为六元环，且环C可为六元环或五元环， XI选自CR，和N，X2选自NR，、 O、 S、 Se、 Te、 CR，R"和SiR，R"，X3、 X4=N、 NR，、 S、 O、 CR，、 CR，R"、 CR，=CR，，、 N=N、 CR，=N、 N=CR,，、 SiR，、 SiR，R，,、 Se、 Te,其中R，、 R，，选自Al、 CN、 NA1A2、 OAl、 SA1、 F、 Cl、 Br、 I、 CNO、 NCO、 CAIO、 COOAl，其中A1、 A2为任何取代的(杂)烷基、(杂)芳基， 任选地带有可聚合的基团，例如醛、醇、氰、异氰、至少单不饱和的烯烃 基团、乙烯基、亚烷基、烯丙基、氧杂环丁烷(oxethane)、丙烯酰基、胺、 环氧乙烷、碳酸或酯基团，或者H，Met选自Ir、 Pt、 Ru、 Re、 Pd和Os，对于Met-Ir、 Os、 Ru、 Re时n-1 3、 m = 3-n，且对于Me泸Pt、 Pd时 n=l~2、 ni=2-n,Rl、 R2独立地选自Al、 CN、 NA1A2、 OAl、 SA1、 F、 Cl、 Br、 I、 CNO、 NCO、 CAIO、 COOAl，其中A1、 A2为任何取代的(杂)烷基、(杂)芳基， 任选地带有可聚合的基团，例如醛、醇、氰、异氰、至少单不饱和的烯烃 基团、乙烯基、亚烷基、烯丙基、氧杂环丁烷、丙烯酰基、胺、环氧乙烷、 碳酸或酯基团，或者H,其中Rl和R2可以是取代的和/或可以彼此相连， 形成环状结构A、 B和C的成环取代基，优选稠合部分，且 其中Zl和Z2为辅助的饱和取代基。依据优选的实施方式，连接于环状结构A、 B和/或C的可聚合的基团 用来将络合金属的发射体部分的连接提供给至少一个聚合基团。该聚合基 团可以起到基质化合物的作用且可以例如选自惰性基团、电子传输基团和 /或空穴传输基团。作为用于本专利技术的目的，术语"惰性基团"表示无传导性 的基团，即在依据本专利技术的电光器件中釆用的电条件下不提供电荷传输， 且，由此在本文中并不包含在空穴或电子传输基团的基团中。惰性基团的 实例可以选自聚链烯烃如聚乙烯、聚丙烯、和聚苯乙烯，聚甲基丙烯酸酯， 聚氨酯，这些基团的衍生物及其共聚物。形成二齿配体以*金属原子且为单阴离子配体，其中Zl和Z2独立地表 示这样的原子，其任选地通过化学键或通过排列在Zl和Z2之间的一个、 两个或三个其它原子的中间基团取代和连接。优选地，Z1和Z2二者以及 其间的中间基团被可聚合的基团取代，以通过至少 一个聚合基团提供连 接。饱和配体中间基团可以选自关于Zl所列的基团。Zl和Z2例如彼此独立地选 自亚甲基、取代的亚曱基、N、 NR1、 S、 O、 Se、 Te、 CR1、 SiRl、 CR1R2、 SiRlR2、 CR2=CR3、 N=N、 CR1=N，其中R1 R3独立地选自Al、 CN、 NA1A2、 OAl、 SA1、 F、 Cl、 Br、 I、 S02A1、 CNO、 NCO、 CAIO、 COOA1本文档来自技高网...

【技术保护点】
适用于电光器件的化合物，其特征在于包括通式Ⅰ的结构　　　　＊＊＊　　（Ⅰ），　　　　其中，环Ｂ为五元环，环Ａ为六元环，且环Ｃ为六元环或五元环，　　　　Ｘ１选自ＣＲ’和Ｎ，　　　　Ｘ２选自ＮＲ’、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＣＲ’Ｒ”和ＳｉＲ’Ｒ”，　　　　Ｘ３、Ｘ４独立地选自Ｎ、ＮＲ’、Ｓ、Ｏ、ＣＲ’、ＣＲ’Ｒ”、ＣＲ’＝ＣＲ”、Ｎ＝Ｎ、ＣＲ’＝Ｎ、Ｎ＝ＣＲ”、ＳｉＲ’、ＳｉＲ’Ｒ”、Ｓｅ和Ｔｅ，　　　　其中Ｒ’、Ｒ”选自Ａ１、ＣＮ、ＮＡ１Ａ２、ＯＡ１、ＳＡ１、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮＯ，ＮＣＯ、ＣＡ１Ｏ、ＣＯＯＡ１，　　　　其中，Ａ１、Ａ２为任何取代的（杂）烷基、（杂）芳基、或Ｈ，　　　　Ｍｅｔ选自Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ和Ｏｓ，对于Ｍｅｔ＝Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｅ时ｎ＝１～３、ｍ＝３－ｎ，对于Ｍｅｔ＝Ｐｔ、Ｐｄ时ｎ＝１～２、ｍ＝２－ｎ，　　　　Ｒ１、Ｒ２独立地选自Ａ１、ＣＮ、ＮＡ１Ａ２、ＯＡ１、ＳＡ１、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮＯ、ＮＣＯ、ＣＡ１Ｏ、ＣＯＯＡ１，　　　　其中，　　　　＊＊＊　　　　为单阴离子饱和配体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：HH约翰内斯，W科瓦尔斯基，S阿默尔曼，M克罗纳，UJ魏瑙格，
申请(专利权)人：不伦瑞克工业大学，巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]