一种外延片电阻率检测方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种外延片电阻率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：通过汞探针机台对外延片电阻率进行测试，并与外延片电阻率阈值进行比较，对应生成不合格信号和合格信号；当收到外延片电阻率不合格信号时，获取汞探针机台的运行参数和测试环境，对检测的结果进行分析；接收汞探针机检测不合格信号和汞探针机合格信号，当接收到汞探针机合格信号时，获取外延片制备的工艺参数，对工艺参数进行核准，判断是否外延片是否为残次品，而影响到外延片电阻率的检测；本发明专利技术保证对外延片电导率测试的准确性，以及对涉及的设备和生产工艺进行及时检查，大大减小在对外延片进行检查时的误差。大大减小在对外延片进行检查时的误差。大大减小在对外延片进行检查时的误差。

【技术实现步骤摘要】
一种外延片电阻率检测方法及其装置


[0001]本专利技术涉及外延片
，具体涉及一种外延片电阻率检测方法及其装置。

技术介绍

[0002]中国专利CN105552003A公开了一种P型外延片生产中的电阻率监控方法，包括如下步骤：步骤一、采用和产品外延片相同工艺在测试外延片表面形成P型外延层。步骤二、对测试外延片进行测试预处理：步骤21、采用去离子水对形成P型外延层的表面进行冲洗并形成自然氧化膜。步骤22、进行甩干。步骤三、采用四探针测试仪对测试外延片的P型外延层进行电阻率测试；
[0003]现有技术中，在通过汞探针机对外延片进行电阻率检测时，其方法比较简单，当电阻率没有处于规定的范围内，直接标定其不合格，但是，其存在着没有对产生电阻率不合格原因进行设备和生产工艺等双重因素进行验证，进而对检测结果进行准确分析。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的就在于解决目前存在着没有对产生电阻率不合格原因进行设备和生产工艺等双重因素进行验证，进而对检测结果进行准确分析的问题，而提出一种外延片电阻率检测方法及其装置。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0006]一种外延片电阻率检测方法及其装置，包括以下步骤：
[0007]步骤1：通过汞探针机台对外延片电阻率进行测试，并与外延片电阻率阈值进行比较，对应生成不合格信号和合格信号；
[0008]步骤2：当收到外延片电阻率不合格信号时，获取汞探针机台的运行参数和测试环境，对检测的结果进行分析；
>[0009]步骤3：接收汞探针机检测不合格信号和汞探针机合格信号，当接收到汞探针机合格信号时，获取外延片制备的工艺参数，对工艺参数进行核准，判断是否外延片是否为残次品，而影响到外延片电阻率的检测；
[0010]步骤4：当接收到汞探针机检测不合格信号，将此信号发送至显示模块上，工作人员根据此信号，对汞探针机进行维修检查；当接收到工艺异常信号时，将此信号发送至显示模块上，工作人员对外延片的生产线进行检查。
[0011]作为本专利技术进一步的方案：步骤1其具体工作过程如下：
[0012]S11、利用外层电压测试外延片外层的实际电阻率，利用内层电压测试外延片内层的实际电阻率，然后对外延片外层的实际电阻率和外延片内层的实际电阻率进行求和，得到该外延片电阻率，并标记为Lp；
[0013]S12、将得到外延片电阻率Lp与外延片电阻率阈值进行比较。
[0014]作为本专利技术进一步的方案：若外延片电阻率Lp大于外延片电阻率阈值，则生成不合格信号；若外延片电阻率Lp小于外延片电阻率阈值，则生成合格信号。
[0015]作为本专利技术进一步的方案：步骤2其具体工作过程如下：
[0016]S21、获取汞探针机台中汞探针的汞金属含量，并标记为Lg；CrO3溶液配制到检测时的时间间隔，并标记为Gs；以及获取汞探针机台测试的电压，并标记为Uj；
[0017]通过公式计算得到该汞探针机的检测系数X1；
[0018]S22、获取检测时刻内的环境中温度最大值并标记为Tmax和温度最小值并标记为Tmin，通过公式Th＝b1*Tmax
‑
b2*Tmin，计算得到温度参数Th；
[0019]同时，获取检测时刻内的环境中湿度最大值并标记为Smax和湿度最小值并标记为Smin，通过公式Sh＝b3*Smax
‑
b4*Smin，计算得到湿度参数Sh；将得到温度参数Th和湿度参数Sh代入到公式中，计算得到测试参数值Cc；
[0020]S23、将得到的汞探针机的检测系数X1和测试参数值Cc进行求和，得到汞探针机工作系数，将得到的汞探针机工作系数与汞探针机工作系数阈值进行比较。
[0021]作为本专利技术进一步的方案：若汞探针机工作系数大于汞探针机工作系数阈值时，则生成汞探针机检测不合格信号；
[0022]若汞探针机工作系数小于汞探针机工作系数阈值时，则生成汞探针机合格信号。
[0023]作为本专利技术进一步的方案：步骤3其具体工作过程如下：
[0024]S31、获取外延片在制备过程中温度值和主氢流量值，并分别标记为Tz和Hz；
[0025]以温度值Tz为X轴和主氢流量值Hz为Y轴，构建叶轮浇铸时间的温度与主氢流量坐标系，将外延片制备工艺时间内温度值Tz和主氢流量值Hz代入到坐标系中，并将坐标系中所有的点进行连线，构成系数曲线；
[0026]将系数曲线与预设系数曲线进行重合比对，系数曲线与预设系数曲线的交叉图进行在线剪切得到交叉图，计算交叉图的面积并记为Sx，将所得到的所有交叉图的面积进行求和，得到外延片生产异常值Zy；
[0027]S32、将得到的外延片生产异常值Zy与外延片生产异常值阈值进行比较。
[0028]作为本专利技术进一步的方案：若外延片生产异常值Zy大于外延片生产异常值阈值时，则外延片生产工艺不合格，并生成工艺异常信号；并表明该生产线所生产得到的外延片为残次品，质量不合格；
[0029]若外延片生产异常值Zy小于外延片生产异常值阈值时，则外延片生产工艺合格，并生成工艺正常信号。
[0030]8、一种外延片电阻率检测装置，其特征在于，包括检测模块、分析模块、验证模块和反馈模块：
[0031]检测模块，通过汞探针机台对外延片电阻率进行测试，得到外延片电阻率Lp与外延片电阻率阈值进行比较，判断其检测的外延片电阻率是否合格；
[0032]分析模块，当收到外延片电阻率不合格信号时，获取汞探针机台的运行参数和测试环境，对检测的结果进行分析，判断汞探针机对外延片检测的影响；
[0033]验证模块，当接收到汞探针机合格信号时，获取外延片制备的工艺参数，对工艺参数进行核准，判断是否外延片是否为残次品，而影响到外延片电阻率的检测；
[0034]反馈模块，当接收到汞探针机检测不合格信号，将此信号发送至显示模块上，工作
人员根据此信号，对汞探针机进行维修检查；当接收到工艺异常信号时，将此信号发送至显示模块上，工作人员对外延片的生产线进行检查。
[0035]本专利技术的有益效果：
[0036]本专利技术对外延片电导率的测试结果，通过对所采用的汞探针机进行初步分析验证，再对验证结果，通过对制备工艺进行进一步分析验证，从而保证对外延片电导率测试的准确性，以及对涉及的设备和生产工艺进行及时检查，大大减小在对外延片进行检查时的误差，以及据此对工艺进行改进，保证外延片生产质量。
附图说明
[0037]下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。
[0038]图1是本专利技术的系统框图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延片电阻率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：通过汞探针机对外延片电阻率进行测试，并与外延片电阻率阈值进行比较，对应生成不合格信号和合格信号；步骤2：当收到外延片电阻率不合格信号时，获取汞探针机台的运行参数和测试环境；步骤3：当接收到汞探针机合格信号时，获取外延片制备的工艺参数，对工艺参数进行核准，判断是否外延片是否为残次品；步骤4：当接收到汞探针机检测不合格信号，对汞探针机进行维修检查；当接收到工艺异常信号时，工作人员对外延片的生产线进行检查。2.根据权利要求1所述的一种外延片电阻率检测方法，其特征在于，步骤1其具体工作过程如下：S11、测试外延片外层的实际电阻率、外延片内层的实际电阻率，再求和，得到该外延片电阻率Lp；S12、将外延片电阻率Lp与外延片电阻率阈值进行比较。3.根据权利要求2所述的一种外延片电阻率检测方法，其特征在于，若外延片电阻率Lp大于外延片电阻率阈值，则生成不合格信号；若外延片电阻率Lp小于外延片电阻率阈值，则生成合格信号。4.根据权利要求1所述的一种外延片电阻率检测方法，其特征在于，步骤2具体工作过程如下：S21、获取汞探针机台中汞探针的汞金属含量Lg、C rO3溶液配制到检测时的时间间隔Gs；以及获取汞探针机台测试的电压Uj；通过公式计算得到该汞探针机的检测系数X1；S22、通过公式Th＝b1*Tmax
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b2*Tmin，计算得到温度参数Th；Tmax、Tmin分别为温度最大值、最小值；通过公式Sh＝b3*Smax
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b4*Smin，计算得到湿度参数Sh；Smax、Smin湿度最大值、最...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐新华，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：