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本发明公开了一种外延片电阻率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：通过汞探针机台对外延片电阻率进行测试，并与外延片电阻率阈值进行比较，对应生成不合格信号和合格信号；当收到外延片电阻率不合格信号时，获取汞探针机台的运行参数和测试环境，对检测的结...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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