本发明专利技术公开了一种单晶硅切片方法，包括：步骤1：切割前，放线轮向收线轮送规定线量的新线，所述新线为未参与过切割的金刚线；步骤2：通过收线轮向放线轮送线，对单晶晶棒进行切割，直至收线轮上规定线量的新线全部至放线轮完成此轮切割，得到目标厚度的单晶硅片；步骤3：将放线轮上的旧线全部送至收线轮，再执行步骤1，进行下一轮切割；本发明专利技术还公开了一种单晶硅切片装置，包括放线轮、收线轮、第一绕线导向滑轮组、第二绕线导向滑轮组、切割室和控制机构；放线轮和收线轮分别设置在切割室的两侧；控制机构用于对放线轮和收线轮进行控制；第一绕线导向滑轮组和第二绕线导向滑轮组结构相同，均包括第一绕线导向滑轮和第二绕线导向滑轮。轮。轮。
【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅切片方法及装置
[0001]本专利技术属于单晶硅
，具体涉及一种单晶硅切片方法及装置。
技术介绍
[0002]以导轮为载体带动电镀金刚线对单晶晶棒进行往复切割，实现将单晶硅棒加工成目标厚度的单晶硅片；为了适应行业发展，硅片加工细线化为主要趋势之一。目前电镀金刚线线径已经降至0.035mm，但线径降低带来的主要负面影响为断线，目前常规工艺使用35线切割，断线率较38线上升50％。
技术实现思路
[0003]专利技术目的：为了解决线径降低带来的断线率上升的问题，本专利技术公开了一种单晶硅切片方法及装置，适用于线径为0.035mm的电镀金刚线，在保证切片质量的前提下，大大降低断线率。
[0004]技术方案：一种单晶硅切片方法，包括以下步骤：
[0005]步骤1：切割前，放线轮向收线轮送规定线量的新线，所述新线为未参与过切割的金刚线；
[0006]步骤2：通过收线轮向放线轮送线，对单晶晶棒进行切割，直至收线轮上规定线量的新线全部至放线轮完成此轮切割，得到目标厚度的单晶硅片；
[0007]步骤3：将放线轮上的旧线全部送至收线轮，再执行步骤1，进行下一轮切割；
[0008]其中，在步骤2中，所述的通过收线轮向放线轮送线，对单晶晶棒进行切割，具体包括：
[0009]入刀时，收线轮向放线轮送线的线量为a，当达到送线的线量a时，按照设定的回线比，放线轮向收线轮进行回线；
[0010]当达到回线的线量＝a
×
回线比时，重新由收线轮向放线轮送线；以此类推，直至收线轮上规定线量的新线全部至放线轮。
[0011]进一步的，线量a满足：当收线轮向放线轮送线的线量达到a时，金刚线已对单晶晶棒进行入刀切割。
[0012]进一步的，根据切割深度，回线比递减。
[0013]本专利技术还公开了一种单晶硅切片装置，包括放线轮、收线轮、第一绕线导向滑轮组、第二绕线导向滑轮组、切割室和控制机构；
[0014]所述放线轮和收线轮分别设置在切割室的两侧；
[0015]所述控制机构内存储有执行上述公开的一种单晶硅切片方法的程序，用于对放线轮和收线轮进行控制；
[0016]所述第一绕线导向滑轮组和第二绕线导向滑轮组结构相同，均包括第一绕线导向滑轮和第二绕线导向滑轮；
[0017]所述第一绕线导向滑轮设置在所述放线轮/收线轮的上方，所述第二绕线导向滑
轮设置在第一绕线导向滑轮的上方且位于第一绕线导向滑轮的外侧；
[0018]所述位于第一绕线导向滑轮和第二绕线导向滑轮之间的金刚线与位于第一绕线导向滑轮组和第二绕线导向滑轮组之间的金刚线平行设置。
[0019]进一步的，所述第一绕线导向滑轮和第二绕线导向滑轮的直径均为106mm。
[0020]进一步的，两个所述第二绕线导向滑轮均通过摆臂设置在机台上，该第二绕线导向滑轮固定在摆臂的下端，摆臂的上端固定在机台上，所述摆臂的下端为自由端。
[0021]进一步的，所述第一绕线导向滑轮和第二绕线导向滑轮的质量均为60g。
[0022]有益效果：本专利技术与现有技术相比，具有以下优点：
[0023](1)本专利技术通过采用直径为106mm的绕线导向滑轮，能大大降低绕线导向滑轮轴向跳动值，降低钢线张力波动，从而改善切割断线率；
[0024](2)本专利技术通过将第二绕线导向滑轮固定在摆臂的下端，能大大减小机台对金刚线的附加张力，从而改善切割断线率；
[0025](3)本专利技术通过新线仅参与1刀晶棒切割，可大大减小钢线疲劳强度，从而改善切割断线率；
[0026](4)本专利技术通过增加第一步工艺循环长度，确保单向切割入刀，有效解决入刀片厚厚薄不均导致钢线磨损断线的问题；
[0027](5)本专利技术通过采用轻质化的绕线导向滑轮，能大大减少切割过程中绕线导向滑轮变向走线时惯性带来的摩擦，从而改善切割断线率。
附图说明
[0028]图1为一种单晶硅切片装置的结构示意图。
具体实施方式
[0029]现结合附图和实施例对本专利技术的技术方案做进一步说明。
[0030]实施例1：
[0031]本实施例公开了一种单晶硅切片方法，包括：
[0032]步骤1：在切割前，放线轮向收线轮送规定线量的新线；
[0033]步骤2：将单晶晶棒放置于放线轮与收线轮之间，等待切割；
[0034]步骤3：收线轮向放线轮送线对单晶晶棒进行切割，得到目标厚度的单晶硅片，完成此轮切割；
[0035]步骤4：当进行下一轮切割时，由于放线轮上有旧线，所以首先将参与过切割的旧线送至收线轮，然后再执行步骤1，进行下一轮切割。
[0036]上述提及的新线指的是未参与过切割的金刚线，旧线指的是参与过切割的金刚线。
[0037]在步骤3中，当收线轮向放线轮送线时，按照设定的回线率进行送线切割，具体包括：假设设定的回线比为90％，即收线轮向放线轮送线1km后，放线轮向收线轮回送0.9km的金刚线线量；当回线线量达到0.9km后，再由收线轮向放线轮送线；回线比越小，回线的线量就越少。在步骤3中，随着切割从低位到高位，回线比会逐渐降低。
[0038]现在单晶切割工艺都是双向切割，钢线细线化后张力随着降低，导致线网双向走
线更不稳定，晶棒入刀时容易出现入刀片厚不均匀的现象，锯缝不均匀的情况继续切割，增加钢线磨损导致断线，为了解决入刀片厚厚薄不均导致钢线磨损断线，本实施例采用单向切割，即当收线轮向放线轮送线达到指定线量后，此时金刚线已经完成了入刀，此时再进行回线，以此确保单向切割入刀。
[0039]实施例2：
[0040]如图1所示，本实施例公开了一种单晶硅切片装置，包括放线轮1、收线轮2、第一绕线导向滑轮组3、第二绕线导向滑轮组4、切割室5和控制机构；放线轮1和收线轮2分别设置在切割室5的两侧；控制机构内存储有执行一种单晶硅切片方法的程序，用于对放线轮1和收线轮2进行控制；第一绕线导向滑轮组3和第二绕线导向滑轮组4结构相同，均包括第一绕线导向滑轮31和第二绕线导向滑轮32；第一绕线导向滑轮31设置在放线轮/收线轮的上方，第二绕线导向滑轮32设置在第一绕线导向滑轮的上方且位于第一绕线导向滑轮的外侧；此处的外侧指的是远离切割室5的一侧；位于第一绕线导向滑轮31和第二绕线导向滑轮32之间的金刚线与位于第一绕线导向滑轮组3和第二绕线导向滑轮组4之间的金刚线平行设置。
[0041]在本实施例中，两个第二绕线导向滑轮32均通过摆臂33设置在机台上，具体的，该摆臂33的上端固定在机台上，其下端可以左右摆动，也就是说，该第二绕线导向滑轮32固定在摆臂33的下端，摆臂33的上端设置在机台上。本实施例通过将摆臂33的上端进行固定，允许下端左右摆动，这样的设置可以避免在摆动过程中，受重力用作而产生附加张力，进而导致断线的情况发生。本实施例通过将第二绕线导向滑轮32固定在摆臂33的下端，这种安装方式，能减小机台对金刚本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅切片方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：切割前，放线轮向收线轮送规定线量的新线，所述新线为未参与过切割的金刚线；步骤2：通过收线轮向放线轮送线，对单晶晶棒进行切割，直至收线轮上规定线量的新线全部至放线轮完成此轮切割，得到目标厚度的单晶硅片；步骤3：将放线轮上的旧线全部送至收线轮，再执行步骤1，进行下一轮切割；其中，在步骤2中，所述的通过收线轮向放线轮送线，对单晶晶棒进行切割，具体包括：入刀时，收线轮向放线轮送线的线量为a，当达到送线的线量a时，按照设定的回线比，放线轮向收线轮进行回线；当达到回线的线量＝a
×
回线比时，重新由收线轮向放线轮送线；以此类推，直至收线轮上规定线量的新线全部至放线轮。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅切片方法，其特征在于：线量a满足：当收线轮向放线轮送线的线量达到a时，金刚线已对单晶晶棒进行入刀切割。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅切片方法，其特征在于：根据切割深度，回线比递减。4.一种单晶硅切片装置，其特征在于：包括放线轮、收线轮、第一绕线导向滑轮组、第二绕线导向...
【专利技术属性】
技术研发人员：史存振，
申请(专利权)人：阜宁协鑫光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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