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一种同轴线材加工工艺制造技术

技术编号:36894710 阅读:12 留言:0更新日期:2023-03-15 22:21
本发明专利技术公开了一种同轴线材加工工艺,包括以下步骤:S01:剥外被,在同轴线材的外被层端部剥开缝隙,并且将外被层端部的一截进行切除剥离;S02:总编织反折;S03:反折的编织包铜箔;S04:排线;S05:一次激光切割;S06:剥铝箔;S07:二次激光切割;S08:剥绝缘;S09:装接头;S10:焊接。该同轴线材加工工艺,将同轴线的外被层一端进行整齐切除剥离,并且使用铜箔层包裹反折的编织层进行同轴线的外部整体屏蔽,并且将连接头的地线焊盘与线夹中受到限制的铝箔层进行紧密接触,高频同轴线的铝箔层在线夹靠近连接头的位置才完成剥离,使得导线层外部的屏蔽层来增强高频同轴线的屏蔽效果,通过该加工工艺可以保证该同轴线材的高频串音性能。艺可以保证该同轴线材的高频串音性能。

【技术实现步骤摘要】
一种同轴线材加工工艺


[0001]本专利技术涉及同轴线材加工
,具体为一种同轴线材加工工艺。

技术介绍

[0002]同轴线是微波射频工程中最常用的一种传输线,同轴线是由共轴线的实心圆柱导体和空心圆柱金属管构成的双导体传输线。常见的同轴线有两种类型,一种是由绝缘垫圈支撑内外导体的硬同轴线;另一种是内外导体之间为软绝缘介质支撑的软同轴线,又叫做同轴电缆。同轴线的结构由外到内依次为护套、外导体层、绝缘介质层和内导体四个部分组成。
[0003]根据专利申请号:201811257735.7数据线加工工艺,本专利技术的屏蔽线每两根一组扭在一起形成屏蔽线组,并将扭好的屏蔽线和剥离屏蔽线后的同轴线及电子线一起按照排序整齐地排在排线架上,因为所有的线(包括扭好的屏蔽线,剥离屏蔽线后的同轴线,电子线)可以整齐地排在一个直线线排上,这样就可以实现一次性激光切割,一次性剥离绝缘,一次性切断芯线导体,一次性焊接(焊盘能够排列在一排上,焊接时内导体、屏蔽线和内导线能够与该排焊盘一次性焊接),因此,数据线与接头焊接时只需焊接一次即可完成,焊接效率高,实现自动加工的条件。
[0004]上述专利的技术方案中,是采用将扭好的屏蔽线和剥离屏蔽线后的同轴线及电子线一起按照排序整齐地排在排线架上,而通常的此类线材加工,由于要处理高频同轴的屏蔽层在线夹的前端就剥掉铝箔,这样会影响线材的高频串音性能,为此我们提出了一种同轴线材加工工艺。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种同轴线材加工工艺,以解决上述背景技术提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种同轴线材加工工艺,包括以下步骤:
[0007]S01:剥外被,在同轴线材的外被层端部剥开缝隙,并且将外被层端部的一截进行切除剥离;
[0008]S02:总编织反折,在剥离外被层时露出编织层,将编织层进行反折压在外被层的外壁;
[0009]S03:反折的编织包铜箔,使用铜箔层紧密包裹压在外被层外壁的编织层;
[0010]S04:排线,将编织层内部的同轴线露出,并且将同轴线按照外绝缘层上的线序与线夹上的隔板间隙对应连接,并且调整同轴线的排列方式进行整形梳理;
[0011]S05:一次激光切割,沿着线夹的前端边缘对同轴线的外绝缘层进行画线,并且将线夹拆卸取下后使用激光切割机对外绝缘层的画线处进行切割,再将完成切割的一截外绝缘层沿着同轴线的端部进行剥离;
[0012]S06:剥铝箔,剥离外绝缘层的切除段时露出铝箔层,并且剥除铝箔层的前端,从而露出同轴线的内绝缘层;
[0013]S07:二次激光切割,使用激光切割机对内绝缘层靠近铝箔层的剥离边缘进行切割;
[0014]S08:剥绝缘,对导线层外部切断的内绝缘层进行剥离;
[0015]S09:装接头,将完成剥离内绝缘层前端的同轴线与线夹卡接,再将线夹的前端和连接头的尾部对接装配;
[0016]S10:焊接,将同轴线前端露出的导线层贴合在连接头表面的数据线焊盘上,并且使用焊接机将导线层的露出端与连接头表面的数据线焊盘进行焊接。
[0017]优选的,所述的剥外被步骤是将同轴线材的外被层一端进行整齐切断,且在外被层的外壁刻画需要切除的标记线。
[0018]优选的,所述连接头的一侧边缘设置有两个宽度不同的卡位,且连接头通过两个宽度不同的卡位与线夹一侧预留的定位槽口进行定位插接。
[0019]优选的,所述铝箔层剥离后露出的前端边缘和线夹靠近连接头的一端边缘相齐平,所述铝箔层与地线焊盘相接触。
[0020]一种同轴线材,包括导线层、内绝缘层、铝箔层和编织层,所述导线层的外侧依次套接有内绝缘层、铝箔层、外绝缘层、编织层和外被层,所述编织层的反折端外侧套接有铜箔层,所述铝箔层的外侧卡合连接有线夹,所述线夹远离外被层的一端与连接头对接。
[0021]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:该同轴线材加工工艺,将同轴线的外被层一端进行整齐切除剥离,并且使用铜箔层包裹反折的编织层进行同轴线的外部整体屏蔽,并且将连接头的地线焊盘与线夹中受到限制的铝箔层进行紧密接触,高频同轴线的铝箔层在线夹靠近连接头的位置才完成剥离,使得导线层外部的屏蔽层来增强高频同轴线的屏蔽效果,通过该加工工艺可以保证该同轴线材的高频串音性能。
附图说明
[0022]图1为本专利技术流程结构示意图;
[0023]图2为本专利技术立体爆炸结构示意图;
[0024]图3为本专利技术剥外被流程示意图;
[0025]图4为本专利技术排线流程示意图;
[0026]图5为本专利技术装接头流程示意图。
[0027]图中:1、导线层;2、内绝缘层;3、铝箔层;4、外绝缘层;5、编织层;6、外被层;7、铜箔层;8、线夹;9、连接头。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0029]请参阅图1

5,本专利技术提供一种技术方案:一种同轴线材加工工艺,包括以下步骤:
[0030]S01:剥外被,将同轴线材的外被层6一端进行整齐切断,且在外被层6的外壁刻画需要切除的标记线,在同轴线材的外被层6端部剥开缝隙,并且将外被层6端部的一截进行切除剥离;
[0031]S02:总编织反折,在剥离外被层6时露出编织层5,将编织层5进行反折压在外被层6的外壁;
[0032]S03:反折的编织包铜箔,使用铜箔层7紧密包裹压在外被层6外壁的编织层5;
[0033]S04:排线,将编织层5内部的同轴线露出,并且将同轴线按照外绝缘层4上的线序与线夹8上的隔板间隙对应连接,并且调整同轴线的排列方式进行整形梳理;
[0034]S05:一次激光切割,沿着线夹8的前端边缘对同轴线的外绝缘层4进行画线,并且将线夹8拆卸取下后使用激光切割机对外绝缘层4的画线处进行切割,切割过程中,翻转外绝缘层4的角度来切割多次实现整齐切断,再将完成切割的一截外绝缘层4沿着同轴线的端部进行剥离;
[0035]S06:剥铝箔,剥离外绝缘层4的切除段时露出铝箔层3,并且剥除铝箔层3的前端,从而露出同轴线的内绝缘层2,在剥离过程中,将高频同轴线屏蔽用的铝箔层3在线夹8的后端剥掉;
[0036]S07:二次激光切割,使用激光切割机对内绝缘层2靠近铝箔层3的剥离边缘进行切割;
[0037]S08:剥绝缘,对导线层1外部切断的内绝缘层2进行剥离;
[0038]S09:装接头,将完成剥离内绝缘层2前端的同轴线与线夹8卡接,再将线夹8的前端和连接头9的尾部对接装配,连接头9的一侧边缘设置有两个宽度不同的卡位,且连接头9通过两个宽度不同的卡位与线夹8一侧预留的定位槽口进行定位插本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种同轴线材加工工艺,其特征在于,包括以下步骤:S01:剥外被,在同轴线材的外被层(6)端部剥开缝隙,并且将外被层(6)端部的一截进行切除剥离;S02:总编织反折,在剥离外被层(6)时露出编织层(5),将编织层(5)进行反折压在外被层(6)的外壁;S03:反折的编织包铜箔,使用铜箔层(7)紧密包裹压在外被层(6)外壁的编织层(5);S04:排线,将编织层(5)内部的同轴线露出,并且将同轴线按照外绝缘层(4)上的线序与线夹(8)上的隔板间隙对应连接,并且调整同轴线的排列方式进行整形梳理;S05:一次激光切割,沿着线夹(8)的前端边缘对同轴线的外绝缘层(4)进行画线,并且将线夹(8)拆卸取下后使用激光切割机对外绝缘层(4)的画线处进行切割,再将完成切割的一截外绝缘层(4)沿着同轴线的端部进行剥离;S06:剥铝箔,剥离外绝缘层(4)的切除段时露出铝箔层(3),并且剥除铝箔层(3)的前端,从而露出同轴线的内绝缘层(2);S07:二次激光切割,使用激光切割机对内绝缘层(2)靠近铝箔层(3)的剥离边缘进行切割;S08:剥绝缘,对导线层(1)外部切断的内绝缘层(2)进行剥离;S09:装接头,将完成剥离内绝缘层(2)前端的同轴线与线夹(8)卡接,再将线夹(8)的前端和...

【专利技术属性】
技术研发人员:蒲燕冬
申请(专利权)人:蒲燕冬
类型:发明
国别省市:

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