一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法技术

本发明专利技术公开了一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，包括：去金处理和搪锡处理；所述搪锡处理包括，搪锡预热阶段、搪锡阶段、焊锡整平阶段、搪锡冷却阶段；其中，焊锡整平阶段温度下降速率为10

【技术实现步骤摘要】
一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法


[0001]本专利技术涉及SMP连接器电子装联
，具有涉及一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法。

技术介绍

[0002]Au元素的化学稳定性好，具有不易氧化，导电性好和接触电阻小等优点。为防止SMP连接器氧化以及提高器件的插拔性能,射频连接器镀层大多采用了电镀金工艺，Au层厚度在1.27μm以上，一般控制在2μm～3μm。
[0003]有研究表明Au
‑
Sn化合物中,当Au的含量达到3％时就会明显地表现出脆性,这就是电子装联工艺中所说的“金脆”问题。“金脆”问题直接影响产品服役期间的可靠性。为防止“金脆”现象的发生，航天标准QJ3012中关于去金的要求：“表面镀金层厚度小于2.5μm需进行一次搪锡处理，大于2.5μm则需进行两次搪锡处理”。航天禁限用工艺要求：“所有镀金面焊接前必须进行去金搪锡处理”。因此，射频连接器内、外导体焊接前进行一次去金，一次搪锡处理。
[0004]传统方法中采用锡锅进行去金和搪锡，然后采用烙铁将多余的焊锡去除，该方法操作费时且质量一致性不好。采用自动化设备进行去金搪锡可显著提高SMP连接器去金搪锡的效率和质量一致性，但自动化设备搪锡去金存在射频连接器外导体处拉尖或者内、外导体短路现象。

技术实现思路

[0005]基于上述技术问题，本专利技术提供了一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡的方法，能够实现SMP连接器内、外导体去金，获得的SMP连接器镀层均匀，未发生焊锡拉尖、短路等缺陷，去金搪锡质量和一致性较为优异。
[0006]本专利技术具体方法如下：
[0007]本专利技术提供了一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，包括：去金处理和搪锡处理；
[0008]所述搪锡处理包括，搪锡预热阶段、搪锡阶段、焊锡整平阶段、搪锡冷却阶段；其中，焊锡整平阶段温度下降速率为10
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40℃/s，焊锡整平时间t5为2
‑
6s，并且在焊锡冷却至液相线之前完成焊锡整平。
[0009]对于本专利技术焊锡整平所采用的手段不作具体限定，包括但不限于采用高速旋转、热风风刀进行焊锡整平等。
[0010]本专利技术方法通过调控SMP连接器温度下降速率，防止冷却过快，并控制在焊锡冷却至液相线之前完成焊锡整平工作，避免发生SMP连接器镀层不均匀、拉尖等缺陷。
[0011]优选地，焊锡整平阶段采用辅助加热方式控制温度下降速率；所述辅助加热方式为热风加热或对SMP连接器夹持工装进行加热。
[0012]优选地，以热风加热时，热风温度为150
‑
300℃；以SMP连接器夹持工装进行辅助加
热时，SMP连接器夹持工装温度为150
‑
200℃。
[0013]优选地，搪锡预热温度为室温
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130℃，搪锡预热时间t3为10
‑
120s。
[0014]优选地，搪锡预热阶段采用的预热方式为热风预热或对SMP连接器夹持工装加热进行预热；更优选地，热风温度为100
‑
200℃，压力为0.05
‑
0.5MPa；更优选地，SMP连接器夹持工装温度为100
‑
150℃。
[0015]优选地，搪锡阶段在搪锡锡锅中进行，搪锡锅温度为240
‑
270℃，搪锡时间t4为2
‑
4s。
[0016]优选地，去金处理包括，去金预热阶段、去金阶段、去金冷却阶段；所述去金预热温度为室温
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130℃，去金预热时间t1为10
‑
120s；更优选地，去金预热方式为热风预热或对SMP连接器夹持工装加热进行预热。
[0017]优选地，采用热风预热方式进行去金预热时，热风温度为100
‑
200℃，压力为0.05MPa
‑
0.5MPa；更优选地，对SMP连接器夹持工装加热进行去金预热时，SMP连接器夹持工装温度为100
‑
150℃。
[0018]优选地，去金阶段在去金锡锅中进行，去金锡锅温度为240
‑
270℃，去金时间t2为2
‑
3s。
[0019]优选地，还包括在去金处理之前以及搪锡处理之前的涂覆助焊剂阶段。
[0020]本专利技术有益效果为：
[0021]本专利技术提供的SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，提出了在焊锡整平阶段采用辅助加热的方式，控制SMP连接器温度下降速率在一定范围，在焊锡冷却至液相线之前完成焊锡整平工作，能够有效避免发生SMP连接器镀层不均匀，拉尖等缺陷。
[0022]采用本专利技术方法获得的SMP连接器去金效果良好，搪锡后连接器镀层均匀，尺寸精度
±
10μm，去金搪锡成品率提升至99.9％以上。
附图说明
[0023]图1为本专利技术SMP连接器去金搪锡各阶段温度曲线示意图；
[0024]图2为本专利技术采用的自动化去金搪锡设备示意图；
[0025]图3为实施例1去金搪锡后40倍显微图；
[0026]图4为实施例1去金处理后的能谱图；
[0027]图5为对比例1去金搪锡后40倍显微图；
具体实施方式
[0028]下面，通过具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细说明，但是应该明确提出这些实施例用于举例说明，但是不解释为限制本专利技术的范围。
[0029]本专利技术所述方法是在自动化去金搪锡设备中进行，自动化去金搪锡设备的示意图如图2(a)(b)所示，包括：助焊剂模块1、预热模块2、去金锡锅模块3、搪锡锡锅模块4、温度采集模块5和SMP连接器夹持模块6。其中：
[0030]助焊剂模块1用于SMP连接器预涂敷助焊剂，助焊剂涂敷方式为喷涂或浸蘸；
[0031]图2(a)中，预热模块2用于SMP连接器去金预热和搪锡预热，预热方式为热风直接对SMP连接器预热。另一预热模块2用于对去金搪锡锅上方进行加热，用于SMP连接器的保
温；
[0032]图2(b)中，通过预热模块2对SMP连接器夹持工装6加热从而实现SMP连接器的预热，加热的压缩空气由预热模块2提供；
[0033]去金锡锅模块3和搪锡锡锅模块4分别用于SMP连接器的去金和搪锡。
[0034]温度采集模块5用于采集SMP连接器在去金搪锡过程中的实时温度。
[0035]SMP连接器夹持模块6用于固定SMP连接器。
[0036]本专利技术所述方法各阶段温度曲线示意图如图1所示，温度曲线包括上助焊剂阶段、去金预热阶段、去金阶段、去金冷却阶段、上助焊剂阶段、搪锡预热阶段、搪锡阶段、焊锡整平阶段和搪锡冷却阶段。
[0037]实施例1
[0038]一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，包括：
[0039](1)涂覆助焊剂；
[0040](2)去金预热阶段：温度为室温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，其特征在于，包括：去金处理和搪锡处理；所述搪锡处理包括，搪锡预热阶段、搪锡阶段、焊锡整平阶段、搪锡冷却阶段；其中，焊锡整平阶段温度下降速率为10
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40℃/s，焊锡整平时间t5为2
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6s，并且在焊锡冷却至液相线之前完成焊锡整平。2.根据权利要求1所述的SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，其特征在于，焊锡整平阶段采用辅助加热方式控制温度下降速率；所述辅助加热方式为热风加热或对SMP连接器夹持工装进行加热。3.根据权利要求2所述的SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，其特征在于，以热风加热时，热风温度为150
‑
300℃；以SMP连接器夹持工装进行辅助加热时，SMP连接器夹持工装温度为150
‑
200℃。4.权利要求1
‑
3任一项所述的SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，其特征在于，搪锡预热温度为室温
‑
130℃，搪锡预热时间t3为10
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120s。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的SMP连接器内外导体自动化去金搪锡方法，其特征在于，搪锡预热阶段采用的预热方式为热风预热或对SMP连接器夹持工装加热进行预热；优选地，热风温度为100
‑
200℃，压力为0.05
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0.5MPa；优选地，SMP连接器夹持工装温度为100
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150℃。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：李苗，宋惠东，赵培堂，邹嘉佳，刘颖，黄梦秋，孙艳龙，陈该青，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第三十八研究所，
类型：发明
国别省市：