用于电子线路封装的电镀铜通孔填平方法技术

本发明专利技术提供一种用于电子线路封装的电镀铜通孔填平方法，包括：步骤S1，在基板上设置通孔，并在所述基板的至少一侧表面设置导电种子层；步骤S2，在所述基板的第一表面进行图形转移，以形成第一图案，其中，所述第一表面形成有所述导电种子层；步骤S3，对形成有所述图案的第一表面以及所述通孔进行电镀；步骤S4，在所述基板的第二表面进行电镀，所述第二表面与所述第一表面相对。根据本发明专利技术实施例的电镀铜通孔填孔方法，无需在孔内壁形成导电种子层，简化了工艺，且无需昂贵的脉冲电镀填孔添加剂即可实现。可实现。可实现。

【技术实现步骤摘要】
用于电子线路封装的电镀铜通孔填平方法


[0001]本专利技术涉及电子线路封装
，具体涉及一种用于电子线路封装的电镀铜通孔填平方法。

技术介绍

[0002]目前，对于电子线路封装领域主流的层间连通方法都是采用填孔电镀的办法，即通过盲孔填平后堆叠或者通孔填平来实现。盲孔填平后堆叠存在工艺繁琐，另外孔底部容易出现可靠性问题。而通孔填孔存在如下问题：
[0003]直径较大的孔，或者直径较小的通孔，通常都比较难填。
[0004]对于孔径较小的孔，尤其是通孔，更容易形成孔内空洞的问题，尤其对于TSV来说，沉积速率相对较低，而且工艺管控难度极大。
[0005]另一方面，对于直径较大的通孔，孔内和孔外环境差异相对较小，很容易以保形生长的模式完成电化学沉积，这样容易形成狭缝或者孔内空洞。
[0006]为此，提出了在孔内壁及孔的端部所在平面(板面)先形成导电种子层，并在电镀液中选用脉冲填孔电镀添加剂来克服上述问题。
[0007]然而，一方面，孔内壁形成导电种子层难度较大。如果通过溅射法则难以保证完全覆盖孔内壁，而如果使用化学铜法生成种子层则由于孔内渗透性不好也难以保证均匀覆盖。
[0008]另一方面，脉冲电镀填孔添加剂不仅价格昂贵，而且由于反向脉冲对具有剥离效果，所以相对来说，有效沉积速率比较低。
[0009]此外，在进行电镀时，不同孔型尺寸需要对应不同脉冲参数以及不同添加剂浓度，这也增加了工艺复杂度。

技术实现思路

[0010]有鉴于此，本专利技术提供一种简单的用于电子线路封装的电镀铜通孔填孔方法，无需在孔内壁形成导电种子层，且无需昂贵的脉冲电镀填孔添加剂。
[0011]为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
[0012]根据本专利技术实施例的用于电子线路封装的电镀铜通孔填平方法，包括：
[0013]步骤S1，在基板上设置通孔，并在所述基板的至少一侧表面设置导电种子层；
[0014]步骤S2，在所述基板的第一表面进行图形转移，以形成第一图案，其中，所述第一表面形成有所述导电种子层；
[0015]步骤S3，对形成有所述图案的第一表面以及所述通孔进行电镀；
[0016]步骤S4，在所述基板的第二表面进行电镀，所述第二表面与所述第一表面相对。
[0017]进一步地，所述步骤S1包括：
[0018]在基板上设置所述通孔；
[0019]此后，在形成有所述通孔的基板的一侧表面或两侧表面设置所述导电种子层，
[0020]或者，
[0021]在所述基板的一侧表面或两侧表面设置所述导电种子层；
[0022]此后，在形成有所述导电种子层的基板上设置所述通孔。
[0023]进一步地，所述导电种子层通过溅射、蒸镀、气相沉积、化学沉积、或压合法设置。
[0024]进一步地，所述步骤S2包括：
[0025]在所述基板的第一表面，在所述导电种子层表面覆盖感光膜；
[0026]通过曝光显影方法在所述感光膜上形成所述第一图案。
[0027]进一步地，所述步骤S3包括：
[0028]步骤S31a,在所述基板的第一表面施加第一电流进行电镀，以封住所述第一表面内的通孔孔口，并在所述第一表面上形成预定厚度的第一表面镀层；
[0029]步骤S32a，对所述第二表面施加所述第一电流，以对所述通孔进行电镀铜柱，直至填满所述通孔。
[0030]进一步地，所述步骤S3包括：
[0031]步骤S31b,从所述第一表面施加第二电流进行电镀，直至在该表面形成具有预定厚度的第一表面镀层且所述通孔内填满。
[0032]进一步地，所述步骤S4包括：
[0033]步骤S41，在所述第二表面上形成第二图案；
[0034]步骤S42，在形成有所述第二图案的所述另一侧表面施加第三电流进行电镀，以形成预定厚度的第二表面镀层。
[0035]进一步地，在所述步骤S1中，仅在所述第一表面形成有所述导电种子层的情况下，所述步骤S41还包括：
[0036]步骤S40，在所述第二表面上设置所述导电种子层，
[0037]其中，所述步骤S41中，所述第二图案形成于所述导电种子层之上。
[0038]更进一步地，所述步骤S40包括：
[0039]对所述第二表面上的通孔对应位置进行研磨抛光，以使得铜柱的端面与所述基板表面持平，此后，在所述第二表面上设置所述导电种子层。
[0040]更进一步地，所述步骤S40中，在所述研磨抛光后，还对所述第二表面进行咬蚀处理并在咬蚀处理后的表面设置所述导电种子层，其中，咬蚀的深度为1
‑
20μm。
[0041]本专利技术的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：
[0042]根据本专利技术实施例的用于电子线路封装的电镀铜通孔填孔方法，无需在孔内壁形成导电种子层，简化了工艺，且无需昂贵的脉冲电镀填孔添加剂即可实现；
[0043]由于孔内壁没有设置导电种子层，这样基板本身起到类似干膜或光阻的作用，在进行填孔电镀中，可以采用高速电镀铜柱的工艺，实现保形生长的模式，极大地提高了生产效率。
附图说明
[0044]图1为本专利技术实施例的电镀铜通孔填孔方法的流程示意图；
[0045]图2为本专利技术实施例1中步骤S3中不同阶段处理得到的基板的显微结构图；
[0046]图3为本专利技术实施例2中步骤S3处理得到的基板的显微结构图。
具体实施方式
[0047]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0048]除非另作定义，本专利技术中使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。
[0049]下面首先结合附图具体描述根据本专利技术实施例的电镀铜通孔填孔方法。
[0050]根据本专利技术实施例的电镀铜通孔填孔方法，如图1所示，包括如下步骤：
[0051]步骤S1，在基板上设置通孔，并在所述基板的至少一侧表面设置导电种子层。
[0052]也就是说，如图1中(a)和(b)所示，在基板上形成通孔100并在一侧表面设置导电种子层110。
[0053]此处，需要说明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电子线路封装的电镀铜通孔填平方法，其特征在于，包括：步骤S1，在基板上设置通孔，并在所述基板的至少一侧表面设置导电种子层；步骤S2，在所述基板的第一表面进行图形转移，以形成第一图案，其中，所述第一表面形成有所述导电种子层；步骤S3，对形成有所述第一图案的第一表面以及所述通孔进行电镀；步骤S4，在所述基板的第二表面进行电镀，所述第二表面与所述第一表面相对。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：在基板上设置所述通孔；此后，在形成有所述通孔的基板的一侧表面或两侧表面设置所述导电种子层，或者，在所述基板的一侧表面或两侧表面设置所述导电种子层；此后，在形成有所述导电种子层的基板上设置所述通孔。3.根据权利要求2所述的方法，所述导电种子层通过溅射、蒸镀、气相沉积、化学沉积、或压合法设置。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：在所述基板的第一表面，在所述导电种子层表面覆盖感光膜；通过曝光显影方法在所述感光膜上形成所述第一图案。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：步骤S31a,在所述基板的第一表面施加第一电流进行电镀，以封住所述第一表面内的通孔孔口，并在所述第一表面上形成预定厚度的第一表面镀层；步骤S32a，...

【专利技术属性】
技术研发人员：严星明，王映雪，
申请(专利权)人：惠州通志半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：